Resimdeki iki tip Mosfet sürmede fark varmıdır?
(https://i.ibb.co/DWy6pBr/Gate-Driver.jpg) (https://ibb.co/DWy6pBr)
Var, üstteki daha sağlam on-off yapar.
Çoğu zaman RG'nin olmaması daha da iyidir.
R2 niçin ?
Rg direncini saymazsak hemen hemen ikisi de ayni. Fakat ustteki pwm kaynagina yuk bindirmezken alttaki pwm kaynagindan akim asilir.
R2 Sensör direnci.
Bunu niçin Sordum?
Üstteki 1.Durumda Transistörü besleme ile beslemek icab edecek.
Besleme Satndart sabit değil, 12V ile 50V arasında değişmesi muhmetel bir Besleme.
Bunun için Ekstra bir şeyler yapmam lazım Maliyet artacak.
Alttakinde böyle bir durum yok.
Her iki yapıda gayet iyi çalışıyor ama bir sıkıntı oluştururmu diye endişeliyim.
Ayrıca alttakinde tek Transistör ile iş bitmiş daha az maliyet var.
Sizce Ne yapmalıyım?
PWM sinyal kaynagin mosu surecek seviyede akim veriyorsa alttakinde sorun yok.
Alttaki yapi gate yuklerini carcabuk bosaltmak adina tasarlanmis. Ama Gate'i sarj isini pwm kaynaginiz yapabilmeli.
Her iki yapı arasında Çalışma-Sıcaklık farkı göremedim.
Tek fark,üstteki Push Pull Yapıda Sinyal tam Kare iken,Alttaki yapıda
Kare Sinyalin Hıgh kısmı çok Hafif Rampalı gidiyor.Diyot 1N4148.
Yük'ün türü önemli.
Rezistif yük ise çoğu zaman mcu çıkışından bile sürmek yeterli olur (çıkış 5V olmak şartı ile).
daha iyi Rds değerleri arzulanırsa Vgs yükseltilmeli
yine rezistif yük için, ben, araya vcc'den beslenen tek transistor 2 direnç atıp pwm'i de invert değerde sürüyorum (transistor invert yaptığından)
Alıntı YapBesleme Satndart sabit değil, 12V ile 50V arasında değişmesi muhmetel bir Besleme.
ise, Vgs'yi 15V'da limitleme önlemi şart, bir direnç birzener gibi.
Alttaki devre gate driver bobininden sonra kullanılır gate kapasitör ve bobinin çınlaması :D engellenir.
Direkt mosfeti bobinsiz süreceksen kullanmanın bir mantığı yok. Eğer mosfet gate pozitif sürülünce hafif rampalı mosfet gate keskin boşalsın istiyorsan sadece diyot ve dirençle yapılabilir transistöre gerek yok. Bunu tOn süresi tOff süresinden daha hızlı olduğu için yapıyorlar tON yavaşlatılıyor bi bakıma tOff hızladırılıyor.
Alıntı yapılan: OG - 13 Şubat 2020, 16:47:09Vgs'yi 15V'da limitleme önlemi şart, bir direnç birzener gibi.
OG, Zaten Alttaki devreyi deneme amacım, Zener Direnç falan uğraşmadan
Yapmak.Ama işte Sorun olurmu bilmiyorum!
Sinyal Şekilleri Alttaki gibi.
(https://i.ibb.co/yh6HZ9S/Gate-Sinyal.jpg) (https://ibb.co/yh6HZ9S)
Alıntı yapılan: devrecii - 13 Şubat 2020, 16:56:16Alttaki devre gate driver bobininden sonra kullanılır gate kapasitör ve bobinin çınlaması :D engellenir.
Direkt mosfeti bobinsiz süreceksen kullanmanın bir mantığı yok. Eğer mosfet gate pozitif sürülünce hafif rampalı mosfet gate keskin boşalsın istiyorsan sadece diyot ve dirençle yapılabilir transistöre gerek yok. Bunu tOn süresi tOff süresinden daha hızlı olduğu için yapıyorlar tON yavaşlatılıyor bi bakıma tOff hızladırılıyor.
Gate Driver Bobini ne devrecii?
Öyle bir Bobin yok.Çınlamada yok.Eğer yükü soruyorsan yük İndüktif.
Frekansı soruyorsan 4Mhz:)Tabiki Salliyorum.4Mhz kiim biz kim:)
Biz gariban,öyle bir Transistör bulamadık,Zaten kullandığımızıda zor bulduk o ayrı mesele.
Bizim Gate Frekansımız 50 ile 100Khz arasında.Clock-Band Frekansımız ise 1.6Mhz.
Yukarıdaki devre gate sarj edilirken ve boşaltırlırken pwm kaynağına yük bindirmez , aşağıdaki devre sadece gate boşaltılırken pwm kaynağına yük bindirmez doldurulurken biner.
Gate driver bobini gate sürmek için kullanılan aynı zamanda pwm kaynağı ile izolasyon sağlayan bobindir.
İlginç bir durum daha gördüm.
Gate Sürücü devreyi tamamen iptal edip Direkt olarak sürdüğümde
Sinyal Gayet güzel, tıpkı Push-Pull yapısındaki gibi.
Çalışmasında hiç bir Problem yok,Ama beslemeden çektiği Akım 1.4A'den 1.51A'e
çıkıyor.Mosfet ısınmaya başlıyor.Bu arada Mosfet Logic Gate Mosfetlerden.
Ne tuhaf bir şey anlamadım!Transistör dandik desem değil,Digikeyden aldım.
devrecii,anlıyorum seni ama öyle bir trafo yok.Bu direkt entegreden çıkan sinyal
ve Mosfeti daha iyi sürmek için yapmaya çalıştığım şey.
Digikeyden nasıl alıyorsun toplu mu getiriyorsun ?
Ben de zaten trafo için yazmadım ne olduğunu yazdım .
Mosfet niye ısınsın ki gate sinyali aynı ise ? Srüdüğün induktf yük ne ? Sourcedeki R direnci ne ? Devre ne ? Çınlama var mı ;)
Alıntı yapılan: devrecii - 13 Şubat 2020, 18:11:42Digikeyden nasıl alıyorsun toplu mu getiriyorsun ?
Ben de zaten trafo için yazmadım ne olduğunu yazdım .
Mosfet niye ısınsın ki gate sinyali aynı ise ? Srüdüğün induktf yük ne ? Sourcedeki R direnci ne ? Devre ne ? Çınlama var mı ;)
Aracı firma var onunla getirtiyorum.
Direnç, Sensör direnci.Devre Boost devresi.Çınlama yok. Acı da yok:)
Valla Sinyal aynı iken Mosfet niye ısınıyor anlamadım.
Belki Sinyalde farklılık oluyor da ben mi göremiyorum.
Ama Transistör ısınıyor,biraz beklesem yanacak.
Ek olarak hız ile alakalı. PWM kaynağı bir MCU ise Mhz dolaylarında açma kapama yapacaksanız çözemeyeceğiniz sorunlar ile karşılaşırsınız. Yüksek hızlarda mosfet gate akımı 1-2 amper hatta daha fazla olabilir.
Mosfet gate sinyaline osiloskop ile bakarsanız gate tetiklenmeden önce linear bölgede biraz oyalandığını görebilirsiniz. Aynı şekilde yük akımını ve mosfet akımını osiloskop ile gözlemlerseniz mosfet üzerinde ilk tetikleme anındaki voltaj düşümünü görebilirsiniz. Mosfetleri pwm ile kullanırken hızlı on off yapmak önemlidir. Eğer yükünüz küçük ve rezistif ise çok fazla takılmamakta gerekir. Ama değişen yükler bağlanıyorsa o zaman dikkat etmek lazım. Harcayacağınız 1-2 dolar size sonradan zaman olarak geri döner.
Alıntı yapılan: JOKERAS - 13 Şubat 2020, 18:26:32Aracı firma var onunla getirtiyorum.
Direnç, Sensör direnci.Devre Boost devresi.Çınlama yok. Acı da yok:)
Valla Sinyal aynı iken Mosfet niye ısınıyor anlamadım.
Belki Sinyalde farklılık oluyor da ben mi göremiyorum.
Ama Transistör ısınıyor,biraz beklesem yanacak.
Konu ile alakasiz ama mosfetin etrafindaki kondansatorler ne ise yariyor. Ozellikle D-S arasindaki?
Sanırım o kondansatörler parazit almasın diye kullanılıyor. değerleri çok küçük oluyor. bu çeşit kondansatörler diyotlara da paralel bağlanıyor. bir takım emc testlerinden geçmesi için kullanılıyor büyük ihtimalle
Alıntı yapılan: undefinedKonu ile alakasiz ama mosfetin etrafindaki kondansatorler ne ise yariyor. Ozellikle D-S arasindaki?
Mosfetin yapısından dolayı oluşan doğal kapasiteleridir. Bunlardan C1 ve C2'den deplasman akımları akar. Bunlar anahtarlamalı devrelerin hesaplarında önemlidir.
Alıntı yapılan: JOKERAS - 13 Şubat 2020, 18:01:56İlginç bir durum daha gördüm.
Gate Sürücü devreyi tamamen iptal edip Direkt olarak sürdüğümde
Sinyal Gayet güzel, tıpkı Push-Pull yapısındaki gibi.
Çalışmasında hiç bir Problem yok,Ama beslemeden çektiği Akım 1.4A'den 1.51A'e
çıkıyor.Mosfet ısınmaya başlıyor.Bu arada Mosfet Logic Gate Mosfetlerden.
Ne tuhaf bir şey anlamadım!Transistör dandik desem değil,Digikeyden aldım.
Gate voltajında H'a yükselirken ve L'a düşerken gecen süre uzamıştır muhtemelen, o bölgenin çoğu voltaj seviyesi (yukarıda da bahsedildiği gibi) linear bölge. Skopta görülebilir.
Alttakinden bahsetmiyorum, o durum sinyal bozulması.
(https://i.ibb.co/yh6HZ9S/Gate-Sinyal.jpg) (https://ibb.co/yh6HZ9S)
Konuya değerli fikirlerini yazan tüm arkadaşlara Teşekkür ederim.
1N4148 yerine Şotki diyot denedim,onda sinyal şekli biraz daha düzeldi ama
en ufak bir katkısı olmadı.Ne giriş Akımı ne çıkış akımı değişmedi.
Diyotlu yapı,Push-Pull Yapıya kıyasla çok daha Maliyetsiz oluyor.
Dün,Diyotlu yapıyı Çalıştırıp gittim.Kaç saatten beri sorunsuz çalışıyor.
Diyotlu yapıda R1 Gate Boşlatma direnç değerini biraz büyük tutmak gerekiyor.
68K - 100K arası direnç güzel oldu.Sinyali pek etkilemedi.
Direnç Değerini düşürürsem (Klasik 10K) Sinyal yamulmaya
başlıyor.R1 Direnci olmasada olurdu ama sistem ilk Enerjilendiğinde Mosfet
Gate Boşlatma garantisi için.Aksi taktirde Mosfetin High z
Kalma durumu oluşabiliyor.
Tekrar teşekkürler.
Hazir deniyorken diyoda paralel bir de kapasitor baglayiver.
Alıntı yapılan: OG - 14 Şubat 2020, 12:30:40Gate voltajında H'a yükselirken ve L'a düşerken gecen süre uzamıştır muhtemelen, o bölgenin çoğu voltaj seviyesi (yukarıda da bahsedildiği gibi) linear bölge. Skopta görülebilir.
Alttakinden bahsetmiyorum, o durum sinyal bozulması.
(https://i.ibb.co/yh6HZ9S/Gate-Sinyal.jpg) (https://ibb.co/yh6HZ9S)
Evet OG, öyle bir sıkıntı oluyor Scop ekranında görünmüyor,
İki Faklı yapı ile sinyalleri aynı anda görmek gerekir ama uğraşmadım.
Hiç Transistör kullanmadan direkt sürdüğümde Sinyalde çok küçük bir fark oluşuyor.
Bu kadar küçük fark Mosfetin ısınmasına sebep oluyor.
Görsel durum yanıltıyor.
Alttaki diyotlu yapıda sinyal Rampalı olmasına sorun olamadan çalışıyor.
Sanırım Mosfetin Lineer bölgesi ile doyum noktası arasında kalan kısa bölge
Tam iletim kesim oluyor diye düşünüyorum.
Tamam z, hemen deniyorum.Değeri ne olsun?
Şunu da denerdim,
Q1 'in
-baz ucunu pwm pinine alır
-emeterindeki direnci 0 yapardım.
Alıntı yapılan: OG - 14 Şubat 2020, 13:06:42Şunu da denerdim,
Q1 'in
-baz ucunu pwm pinine alır
-emeterindeki direnci 0 yapardım.
Onları Denedim OG, hiç bir şey değişmiyor.
Alıntı yapılan: z - 14 Şubat 2020, 12:41:19Hazir deniyorken diyoda paralel bir de kapasitor baglayiver.
z, Diyota paralel 47Nf ile 220Nf Kondansatörler denedim.
Sinyal Kare oldu, Ama Transistör hemen ısınmaya başladı.
Diyota Kondansatör ekleyince Sinyal Güzelleşiyor ama Mos ısınmaya başlıyor,
bu sayede bir şey daha keşfettim.
Sinyalin Sıfır Ofseti resmen yukarı kayıyor,Sinyal Level Shift oluyor.
Sinyalin Yukarı doğru Shift olması Sinyali güzelleştirirken sanırım bu sefer
PNP Transistörün Eşik seviyeside Offset oluyor,bu sebeple Mosfet Off Time
tam ara noktada kalıyor olmalıki Mos ısınmaya başlıyor.
O zaman 1nF civarini da deneyiver. Kritik bir kapasitor degeri civarinda optimum performans elde edilebilir. Ama duty orani degisiyorsa kapasitenin faydali oldugu duty araligi daralacaktir.
z, 1NF-10Nf denedim Sinyalde pek bir değişiklik olmadı.
1N4148 Diyotun yerine tekrar Şotki diyot taktım,Daha önce dediğim gibi
Sinyal Rampası biraz daha düzeldi,ama Şotki takınca da Sinyalin Offseti yukarı
doğru değişiyor.Sanrım Bu değişim Şotki Eşiği Daha düşük olduğu için,yani PNP
Transistörün 0.7V eşiği ile uyum olmadığı için.Dolayısı ile OFF Time Zamanı biraz uzuyor herhalde.
Bunun için R1 Gate Boşaltma Direncinin değerini 4.7K yaptım Offset çok azda olsa Aşağı indi.
Isınma yok Sinyal fena değil.Transistör yerine P Kanal Mosfet koyarsam Sanırım
Tam süper olacak diye düşünüyorum.
Elimde P Mos yok, P Mos temin ettiğimde Şemayı editlediğim şekilde Yapacağım.
Şu an BJT Transistör olmasına rağmen Sinyal şekli ve Mosfetin çalışmasında sıkıntı yok.
(https://i.ibb.co/DMPHLnz/Mos-Gate-Driver.png) (https://ibb.co/DMPHLnz)
D1' komple kaldırıp
Q1'in bazını pwm ucuna verip
Q1' in emetor direncini 0R yapıp
denemek farklı sonuç verebilir.
Diyodu kaldirirsan pozitif darbeler Gate'e nasil ulasacak?
Alıntı yapılan: OG - 14 Şubat 2020, 14:28:21D1' komple kaldırıp
Q1'in bazını pwm ucuna verip
Q1' in emetor direncini 0R yapıp
denemek farklı sonuç verebilir.
Hemen denedim OG,Diyotu iptal edince Mos anında Isınıyor.
Sorry, çıkmam gerektiğinden fazla düşünemeden yazdım.
Pozitif pulse de aradaki direnç Q1'i de bir miktar iletimde tutar ve mosfet linear bolgeye kayar.
@JOKERAS senin problemin gate sürülmesi veya mosfetle ilgili değil. Ya bobinden yüksek voltajlı pikler geliyor ya da bobinin doyuyor. Mosfetin daha lineer çalışınca sounun çözülmei bunu düşündürpüyor.
Boost devrenin çıkışında yük var mı feedback çalışıyor mu ?
Şu flyback devresindeki konulştuğumuz bobin-direnç-diyotlu snubberden yap direnç değerini 58k değilde mesela deneme amaçlı 1k koy kondansatörü 100nf koy.
Alıntı yapılan: devrecii - 14 Şubat 2020, 16:42:47@JOKERAS senin problemin gate sürülmesi veya mosfetle ilgili değil. Ya bobinden yüksek voltajlı pikler geliyor ya da bobinin doyuyor. Mosfetin daha lineer çalışınca sounun çözülmei bunu düşündürpüyor.
Boost devrenin çıkışında yük var mı feedback çalışıyor mu ?
Şu flyback devresindeki konulştuğumuz bobin-direnç-diyotlu snubberden yap direnç değerini 58k değilde mesela deneme amaçlı 1k koy kondansatörü 100nf koy.
Yok devrecii, Devrede sorun yok.Gayet iyi çalışıyor.
Feedbackte de bir sorun yok.
Devrede yük var, 40Watt Ampul yakıyorum.
Boost devresinde Snubber gücü gereksiz yere başka yerde harcamak olmazmı?
Benim devreyi Şöyle düşün...
Push-Pull yapısı ile hiç sorunsuz çalışan bir yapı var.
Push-Pull Yapısı ile Mos'u sürerken Besleme ihtiyacı oluyor,
ama besleme Stabil değil.12 ile 50V arasında değişmesi muhtemel bir durum var.
Bunun için Push-Pull yapısını beslediğim noktaya ayrıca bir Stabilize Voltaj verecek
bir yapı ile halledebilirim.Ama bu Maliyeti arttıyor,Devreyi şişiriyor.
Hiç sevmediğim yöntem.En az malzeme,hatta bir Direnç bile eksiltirsem Mutlu oluyorum.
Bu sayede PCB Tasarımınından,PCB büyüklüğüne,Daha az Malzeme ve Dizgi maliyetine ve en önemlisi
Karmaşa ortadan kalkmış oluyor.Temiz Sade devreleri seviyorum.
Bu sebeple Diyotlu yapıyı denedim,diyotlu yapı ile Push-Pull yapısı arasında
Devrenin çalışmasıyla alakalı hiç bir fark yok.Her iki yapıda da güzel çalışıyor.
Sadece Diyotlu yapıda Gate sinyali biraz Rampa şeklinde oluyor.
Simetri hastasıyım,Yamuk yumuk şeyleri sevmiyorum.Onun için Sinyali düzeltmekti
amacım.
Yukarıda anlattığım şekilde biraz düzelttim.
Bu sayede tecrübe edinmiş oldum.Çünkü mesele Sinyalin yamuk olmasında değil,Sinyal
Offset kazanıyor.Sanırım bunun sebebi de Diyot,Transistör eşik kayıpları diye düşünüyorum.
Onun için Şotki kullandım, ve BJT yerine Mosfet ile Offset kazanımı olmayan,hemde Düzgün bir Sinyal
alacağımı umuyorum.
Alıntı YapBunun için Push-Pull yapısını beslediğim noktaya ayrıca bir Stabilize Voltaj verecek
bir yapı ile halledebilirim.Ama bu Maliyeti arttıyor,Devreyi şişiriyor.
Hiç sevmediğim yöntem.En az malzeme,hatta bir Direnç bile eksiltirsem Mutlu oluyorum.
Bu sayede PCB Tasarımınından,PCB büyüklüğüne,Daha az Malzeme ve Dizgi maliyetine ve en önemlisi
Karmaşa ortadan kalkmış oluyor.Temiz Sade devreleri seviyorum.
Fakat bazen tersini yapmak cankurtaran oluyor, stability vs..
Ayrıca iş yetişiyor, iş sağlam oluyor, sağlam olunca arkası geliyor.
bunlar da diğer ayrıntılar.
Alıntı yapılan: OG - 14 Şubat 2020, 17:48:58Fakat bazen tersini yapmak cankurtaran oluyor, stability vs..
Ayrıca iş yetişiyor, iş sağlam oluyor, sağlam olunca arkası geliyor.
bunlar da diğer ayrıntılar.
Evet O'da doğru, Ama acelem yok oyalanıyorum:)
Sağlamlık açısından bir Sorun olacağını düşünmüyorum.
Çünkü devrenin çalışmasında her iki yapı arasında en ufak bir fark göremedim.
Ama sen mosfet ısınıyor dedin, eğer sistemde hiç problem yoksa rampa 8V dan sonra önemli değil
Resimle daha iyi anlatılır
(https://i.ibb.co/71W3KMm/untitled.jpg)
Devrecii, Mosfet, Logic Gate Mosfet.
Mosfetin ısınması, sinyali düzeltmeye çalıştığım zaman oluyor.
Sinyal çizimlerini yapmaya çalıştım.0.3V Offset farkı oluyor.
Bu kadar farktan ne olur diyebilirsin belki ama, 5 Volt Sinyalde 0.3V
Fark az bir fark değil.Mosfetin doyum Kesim Noktası arasında bir zaman tekabül ediyor
olmalı.
Ayrıca testlerimde Normalde 1.4A çeken yapı, 0.3V'luk fark sebebiyle 1.51A'e çıkıyor.
Yalandan yere 110Ma Boşa gidiyor ve Mosfet ısınıyor.
Giriş gerilimini veya çıkıştan asılacağım akımı arttırdığımda 110Ma'lik Fark büyüyerek
Artacak ve Transistör hemen yanacak pozisyona gelecek.
Ayrıca bu fark verimi düşürecek vs.
(https://i.ibb.co/wCr8dZk/Gate-Sinyal-1.jpg) (https://ibb.co/wCr8dZk)
@JOKERAS 2 transistörle sürmekten neden kaçınıyorsun anlamadım.
MCU PWM ile sürerken Gate i 5 Voltla sürmek zaten kendi başına bir problem.
Çiftli transistörde de 5 volt beslem kullansan ne değişir.
Ayar akord falan derdiyle uğraşmazsın.
Oysa VCC değişsede akım limitleyen bir direnç ve kondansatörle çok daha verimli hale gelebilir.
(https://i.ibb.co/mND4tpR/resim.png) (https://ibb.co/mND4tpR)
Değerleri kendine göre ayarlayabilirsin.
Mehmet, 32. Mesaja bakarsan niçin böyle bir yol izlediğimi açıklamıştım.
Uğraşırken şöyle bir tecrübe edindim.
Logic Gate Mosfet sürerken iş Kolaylaşıyormuş gibi görünse de
Özellikle Yüksek Akım ihtiyacı olduğu durumlarda Voltaj seviyesi Azaldığı
için durum kritikleşiyor.Çünkü Transistör,Diyot Kayıpları Zaten kısa aralıkta
olan Mosfet Doyum kesim zamanını etkiliyor diye düşünüyorum.
Aslında tüm problemin kaynağı Portların Yeterli Güçte Akım verememesinden kaynaklı.
İşlecmi Portları 20Ma, Hıyar salataları bunları biraz güçlü yapsalar iş bitecek.
Şemayı yanlış çizmişsin,Alttaki Transistör P Mos olacaktı:)
Alıntı yapılan: JOKERAS - 17 Şubat 2020, 14:15:37Mehmet, 32. Mesaja bakarsan niçin böyle bir yol izlediğimi açıklamıştım.
Uğraşırken şöyle bir tecrübe edindim.
Logic Gate Mosfet sürerken iş Kolaylaşıyormuş gibi görünse de
Özellikle Yüksek Akım ihtiyacı olduğu durumlarda Voltaj seviyesi Azaldığı
için durum kritikleşiyor.Çünkü Transistör,Diyot Kayıpları Zaten kısa aralıkta
olan Mosfet Doyum kesim zamanını etkiliyor diye düşünüyorum.
Aslında tüm problemin kaynağı Portların Yeterli Güçte Akım verememesinden kaynaklı.
İşlecmi Portları 20Ma, Hıyar salataları bunları biraz güçlü yapsalar iş bitecek.
Şemayı yanlış çizmişsin,Alttaki Transistör P Mos olacaktı:)
Aslında TLP 250 den bozma çizim :)
Ters olduğu konusunda haklısın.
Portlar yüksek çıkış verdiğinde çip üzerindeki güç kayıplarıda artmaya başladığından..
ısıl problemler ortaya çıkıyor. Bu ise istenmeyen bir olay.
Düşünsene 100 pinli bir MCU 0.02 A den tamamı yük altına girerse 2 Amper enerji taşımış olacak.
Yani 10 Watt. Atıyorum %10 Isı dönüşümü olsa 1 Watt lık bir ısı ortaya çıkar. hepi topu zaten minnacık çip.
Bide soğutucu Pad mi eklesinler yani...
Alıntı yapılan: Mehmet Salim GÜLLÜCE - 17 Şubat 2020, 15:42:37Aslında TLP 250 den bozma çizim :)
Ters olduğu konusunda haklısın.
Portlar yüksek çıkış verdiğinde çip üzerindeki güç kayıplarıda artmaya başladığından..
ısıl problemler ortaya çıkıyor. Bu ise istenmeyen bir olay.
Düşünsene 100 pinli bir MCU 0.02 A den tamamı yük altına girerse 2 Amper enerji taşımış olacak.
Yani 10 Watt. Atıyorum %10 Isı dönüşümü olsa 1 Watt lık bir ısı ortaya çıkar. hepi topu zaten minnacık çip.
Bide soğutucu Pad mi eklesinler yani...
Evet durum öyle ama tüm Portları yapmaz, 1-2 Tane Portu güçlü yapabilirler.
bu tip işler için mesela.
Alıntı yapılan: JOKERAS - 17 Şubat 2020, 16:53:24Evet durum öyle ama tüm Portları yapmaz, 1-2 Tane Portu güçlü yapabilirler.
bu tip işler için mesela.
Belkide öyle Portu olan bişi warda biz bilmiyoz ;) ..