Mosfet Gate Diyot ve Direnci

[baran123]

Resimdeki 2 yönlü diyotların amacını tam olarak kavrayamadım. Bazı devrelerde tek yönlü yapılmış bunun sebebi nedir ?

[ilhan_mkp]

mosfet sürerken bir kondansatörü doldurduğumuzu farz edelim.
out çıkışından vccgerilimini uyguladık Don ve Ron üzerinden kondansatörü doldurduk. mavi kol üzerinden.
Ron direncinin değeri kondansatörün dolma zamanına etki ediyor gate kapasitesi tam dolduğunda drain source arası minimum direnç gösteriyor.
Ron büyüdükçe gate kapasitesi daha geç doluyor ve mosfetimiz bu süre zarfında tam olarak iletimde olmuyor.
Doff üzerinden ise kesime götürmek için gate kapasitesini boşaltıyoruz bunu yaparkende out çıkışı gnd seviyesine çekiliyor gate kapasitesi vcc seviyesinden gnd seviyesine inmesi için gereken zamanı Roff direnci ile belirliyoruz.  kırmızı kol ile gösterilen.


o diyotların esprisi Ron ile iletime geçerken yükselme zamanını Roff ile düşme zamanını ayarlamak.

[Zoroaster]

Mosları keskin kenarlı dörtgen dalgalarla sürmek istemeyiz ve kanarlara hafif meyil veririz. Bu kayıpları artırsa da EMI açısından daha iyi sonuçlar verir.

Kenar eğimlerini direnç değeri ile ayarlarız. Eğer bu eğimler inende farklı çıkanda farklı olacaksa o zaman da dirençlere diyod ekleriz.

[felix_eray]

Mosları keskin kenarlı dörtgen dalgalarla sürmek istemeyiz ve kanarlara hafif meyil veririz. Bu kayıpları artırsa da EMI açısından daha iyi sonuçlar verir.

Kenar eğimlerini direnç değeri ile ayarlarız. Eğer bu eğimler inende farklı çıkanda farklı olacaksa o zaman da dirençlere diyod ekleriz.

Hocam biraz daha açabilirmisiniz?
Neden keskin kenar olmasını istemeyiz. Birden istediğimiz voltaja gelip lineer bölgeye girmeden mosun açılmasını istemezmiyiz?
Köşe bırakmak ne işe yarar? Birde hangi nedenle inende farklı çıkanda farklı köşe isteriz?

[Zoroaster]

Normalde mosu ideal anahtarlamaya calisarak lineer bolgede kalmamasini isteriz. Boylece kayiplari azalir.

Fakat gate'e keskin voltaj darbeleri verirseniz gate kapasitesi ve gate hatti uzerindeki kacak enduktans cinlayarak EMI yayilimi yapar.

Eger gate devresine direnc eklersek bahse konu LC devresi RLC devresine donusur. Buradaki R damping direncidir. ve LC devresini  sonumlu hale getirir yani artik tank devresi cinlayamaz ve EMI yapamaz.

Ayni sekilde gate'i keskin darbeler yerine birazcik yumusak kenarli darbelerle surulmesi drain akim ve voltajindaki keskin gecisleri azaltir. Bu da EMI de cok yuksek frekansli bilesenlerin genliginde azalmaya neden olur.

Half bridge devresinde ya da push pull yapida moslardan birisinin hizlica devreden cikmasi digerinin yavasca iletime gecmesi guzel bir sey.

[baran123]

Çok teşekkür ederim şimdi anladım.


Hocam H Bridge için yapacak olursa her mosfete eklemek gerekir dimi diyot ve dirençleri.
Toplamda 8 adet sanırım ?

[felix_eray]

Normalde mosu ideal anahtarlamaya calisarak lineer bolgede kalmamasini isteriz. Boylece kayiplari azalir.

Fakat gate'e keskin voltaj darbeleri verirseniz gate kapasitesi ve gate hatti uzerindeki kacak enduktans cinlayarak EMI yayilimi yapar.

Eger gate devresine direnc eklersek bahse konu LC devresi RLC devresine donusur. Buradaki R damping direncidir. ve LC devresini  sonumlu hale getirir yani artik tank devresi cinlayamaz ve EMI yapamaz.

Ayni sekilde gate'i keskin darbeler yerine birazcik yumusak kenarli darbelerle surulmesi drain akim ve voltajindaki keskin gecisleri azaltir. Bu da EMI de cok yuksek frekansli bilesenlerin genliginde azalmaya neden olur.

Half bridge devresinde ya da push pull yapida moslardan birisinin hizlica devreden cikmasi digerinin yavasca iletime gecmesi guzel bir sey.

Cevap için teşekkürler. Sanırım transistör hesaplamaları videolarında bu kısım eksik kalmıştı. Bunun hesaplamaları ve neye dikkat etmemiz gerektiği hususlarını da irdeleyebilirmisin?
Hatta elin değimişken eksik kalan videoyu da halledersen bir çok kişi dua edecektir.
Dur dur birde şu flyback zımbırtısının son kısmını da tamamlarmısın?
Beni mazur görürsün umarım, bilgiye açım birazcık. Şu mübarek gün dua edecem sana

[hako83]

Ah hocam ah su flyback zımbırtısı nı bütün ahali beklemekte gel etme bizi sevindir. Geri beslemeyi anlat.

[harti212]

O diyotlar belli aralıklarla sinüs oluşturmak için,  bazen böyle sorularla karşılaşınca bu işlerde nasıl adamları çalıştırıyorlar diye kara kara düşünüyorum

[felix_eray]

O diyotlar belli aralıklarla sinüs oluşturmak için,  bazen böyle sorularla karşılaşınca bu işlerde nasıl adamları çalıştırıyorlar diye kara kara düşünüyorum

Ne demek istediğinizi anlayamadım.

Ama anladığım kadarıyla yorumlarsak; Burada ki arkadaşların hepsi "BU" işlerde çalışan insanlar değil. Zira ben devlet memuruyum ve ziraat mühendisiyim. Benim gibi hobi amaçlı, merak ve bilgi kapasitesini arttırmaya çalışan insanların dışında, lise öğrencileri, üniversiteye yeni başlamış veya ileri sınıflarda olan insanlar, eski bilgileri bulunan fakat kendini geliştirmeye çalışan meslektaşlarınız da var. Eğer akıllarına takılan bir soru varsa elbette soracak, bilgileneceklerdir. Zira bu ve bunun gibi forumlar bu yüzden varlar.
Birde @Zoroaster hocam detaylı açıklama yapmış. Sizin verdiğiniz, açıklama bile sayılmayan bilgi ve iğneleyici ifadenizle neyi elde etmeye çalıştığınızı anlayamadım açıkçası. Neyse ki burada bilgiye ve paylaşmaya değer veren insanlar var...

[mg1980]

@felix_eray  size katılıyorum ve ben de "bu" işlerde çalışanlardan değilim. Demek ki soru sorarken dikkatli olacağız !

[Okan AKÇA]

Sürücünün datashett devresini uygulamanız yeterli  ir2104 ile yaptığım 20amper h bridge diyot kullanmıyorum
Mosfet sürmek başlı basina ayrı konu gate kapasitesi, surucunuz çok önemli.

[cann]

mosfet için datashhet de verilen VDS 40V ise, bu mosfetle yapılan h bridgede en güvenilir besleme değeri en fazla kaç olmalıdır?

[cann]

bir devrede gate direnci 0 ohm konulmuş, bunun anlamı nedir?

[baran123]

Normalde oraya direnç koyulacaktı fakat daha sonra karar değiştirilip direnç koymadan direk 0 ile kısa devre yapmışlar.
Yada daha sonra lazım olur deyip oraya bir direnç yuvası koymuş olabilirler. Belki değiştirmek gerek gibi düşünülebilir.