Gönderen Konu: Mosfet Sürme İşlemi Direnç Ve Kapasite Seçimleri  (Okunma sayısı 814 defa)

Çevrimdışı adenon

  • Yeni Üye
  • *
  • İleti: 14
Mosfet Sürme İşlemi Direnç Ve Kapasite Seçimleri
« : 08 Aralık 2017, 14:39:16 »
Öncelikle konu ile alakalı forumda bulunan yazılara baktığımda mosfetin gate kısmının mosfet sürücü ile arasındaki bağlantıya seri bir Rgate direnci bağlandığını ve bu direncin değerinin 33ohm ile 10ohm aralığında olduğunu olduğunu gördüm. Bu direncin seçimini neye göre nasıl bir hesap ile gerçekleştiriyoruz. Cboost kapasite değerinin seçimine dair de bir çok yazılan şey var kimi arkadaşlar formülde paylaşmış lakin çok küçük değerler bulduğunu söylemiş ve şemalarda genel olarak hep daha yüksek değerlerin kullanıldığından bahsetmiş. Cboost kapasite değerini neye göre seçim yapıyoruz ? Aslına bakarsanız şematiklere baka baka bir çok şey öğrendim fakat hesap yapma konusunda kopya çekmek yerine matematiksel bir hesap ile nasıl kompanent seçimi yapacağım konusunda tıkanmış durumdayım. Umarım yardımcı olacak arkadaşlar çıkar.

Çevrimdışı elektrofan

  • Yeni Üye
  • *
  • İleti: 3
Ynt: Mosfet Sürme İşlemi Direnç Ve Kapasite Seçimleri
« Yanıtla #1 : 24 Ocak 2018, 11:01:45 »
Meraba mosfeti 555 ilemi süreceksiniz

Çevrimdışı adenon

  • Yeni Üye
  • *
  • İleti: 14
Ynt: Mosfet Sürme İşlemi Direnç Ve Kapasite Seçimleri
« Yanıtla #2 : 07 Şubat 2018, 16:09:03 »
Yanıtınızı yeni görüyorum kusura bakmayın. Sürücü entegre olarak ırs2110 kullanacağım. datasheet e baktım fakat bir sonuç bulamadım yardımcı olabilirseniz sevineceğim teşekkürler...

Çevrimdışı Zoroaster

  • Profesyonel Üye
  • *****
  • İleti: 1403
Ynt: Mosfet Sürme İşlemi Direnç Ve Kapasite Seçimleri
« Yanıtla #3 : 08 Şubat 2018, 02:02:56 »
Gate direnci daha cok deney sonuclarina gore belirleniyor cunku gate devresine seri  giren enduktansi bilmek kolay degil.

Gate'e seri olarak baglanan direncin bir kac tane amaci var.
Bunlar;

Surucu cipin cikis akimini limitlemek.

Dortgen dalga formundaki voltaj, gate kapasitesine uygulandiginda sinyalin inen ve cikan kenarlarinda akim cok buyuk degerlere cikmak ister. Ancak bu akim zaten surucunun cikisindaki (genelde mos) anahtarlarin kendi DS direnci tarafindan limitlenir. Gene de bu limitleme isi harici bir direnc tarafindan yapilsin istenir.

MOS'un drain akiminin egimini azaltmak.

Gate direncinin degeri arttikca gate voltajinin dalga formu dortgen formdan uzaklasir ve kenarlari yumusar. Bu mosun cok kisa sureligine lineer bolgede calismasina dolayisi ile drain akiminin dizginlenmesine neden olur. Haliyle drain akimi da dortgen formdan hafifce uzaklasir yani di/dt azalir. Boylece EMI nin zayiflamasi ugruna mosun bir miktar isinmasina izin verilir.

Gate devresindeki cinlamadan kaynakli EMI yayilimini azaltmak.

Dotgen dalgalarla uyarilan LC devresi kendi dogal frekansinda cinlama yapar. Cinlama frekansi bir kac yuz khz hatta Mhz bandinda olabilir. Bu EMI acisindan istenmez ve yayilimi bastirmak gerekebilir.

Gate kapasitesi C yi, gate'e sinyal tasiyan hat ve kablonun olusturdugu kacak enduktanslar da cinlama devresinin L sini olusturur. Sozkonusu LC devresine uygun degerde tamper direnci eklenirse sistem sonumlu hale gecer. Boylece hem cinlama olmaz hem de dortgen dalga en az bozulma ile gate'e ulasmis olur. Eger eklenen direnc olmasi gerekenden yuksek olursa cinlama yok olur fakat sinyal dortgen formdan cok uzaklasip yamulur. Eklenen direnc olmasi gerekenden daha dusuk kalirsa cinlama devam eder fakat sonme suresi kisalir. Bu konuda http://www.cncdesigner.com/wordpress/?p=4763 yazima bakabilirsiniz.

Snubber stresini MOS ile paylasmak hatta snubberi tamamen kaldirip Mosun isinmasina izin vermek.

MOS'un dortgen darbelerle surdugu enduktif yuklerin olumsuz etkileri snubber devreleri ile yok edilmeye calisilir. Fakat bazen snubber kullanmadan da MOS eleman uzerinde enerji harcanir. Bu tamamen uygulamaya bagli ve tercih meselesidir.

Bu durumda gate sinyali dolayisi ile drain akimi yumusar. Boylece di/dt duser snubberdaki stres azalir. Fakat mos biraz isinir.

Gordugun gibi bu direnci hesaplamak icin bu 4 durumdan hangisini goz onune alacagin onemli.
Uygulamanin tipine gore karar vermen gerekir. Bazen uygulamalar cok baglayici olabilir.

(Mesela ses ve goruntu cihazlari, labaratuvar cihazlari, tibbi cihazlar, tibbi cihazlarla bir arada kullanilacak cihazlar, sifreleme cihazlari, askeri cihazlar)

Iyi bir scopun ve sprectrum analiser cihazin olmadigi surece bu direncin degerini cok iyi sectiginden emin olamazsin.




« Son Düzenleme: 08 Şubat 2018, 03:12:07 Gönderen: Zoroaster »
חור השטן יוצא

Çevrimdışı Zoroaster

  • Profesyonel Üye
  • *****
  • İleti: 1403
Ynt: Mosfet Sürme İşlemi Direnç Ve Kapasite Seçimleri
« Yanıtla #4 : 20 Şubat 2018, 05:19:32 »
Mosfet surucunun cikis akiminin etkisi hakkinda.

http://www.ti.com/lit/an/slva714b/slva714b.pdf
חור השטן יוצא