Mosfetlerin Patlaması

Başlatan mustihkymz, 05 Şubat 2018, 15:05:28

mustihkymz

İyi günler picproje ailesi. Biliyorum başlık film ismi gibi oldu :). Bir full bridge inverter tasarımı yapmaya niyetlendim. Amacım yüksek frekansta ac gerilim elde etmek. Sürme kısmını hallettim 12 V akü ile denemeler yaptım gayet iyi çalışıyordu. Sonra şebeke gerilimini doğrultucu ile doğrulttum 310-320V arası DC gerilim elde ettim. Şebeke gerilimine uyması için "İRFP460" Mosfet edindim. Mosfetin datasheeti aşağıdaki linktedir. Mosfetlerin şebekeye dayanıklı olduğunu denemek amacıyla ve gate uçları boş şekilde devreyi kurdum. Fişi takınca ne göreyim mosfetin dördüde patladı. Birde evin şalterleri attı. Kurduğum kemik devre aşağıdadır. Kafam almıyor. Mosfetin değerleri 500v 20A. Mosfetleri devreye bağlamadan önce kontrol ettim deşarj durumda mı diye deşarj durumdaydı. Mosfetleride sürmedim. Gate ucu boştu. Bir anda patladı. Sonuçta şebekeden 310V elde ediyorum. Mosfetin devrilme gerilimi 500v. Nasıl patlayabilir ki. Şimdiden yardımlarınız için teşekür ederim.



Mosfet datasheeti ;
pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/fairchild/IRFP460.pdf


ankyra

Çok anladığım bir konu değil ama belki işinize yarar.


https://youtu.be/PXc8ohBY-0g


Gate ucu boşa düşen mosfet kısmını izleyin...

OG

İşin başındasın.
Önce Mosfetleri öğrenmek gerekecek
FORUMU İLGİLENDİREN KONULARA ÖM İLE CEVAP VERİLMEZ.

mehmet

Mosfet bu. Havadan nem kapar.
Ne olursa olsun, gate boş
bırakılmamalı.
Olan olmuştur,
olacak olan da olmuştur.
Olacak bir şey yoktur.
---------------------------------------------
http://www.mehmetbilgi.net.tr

devrecii

#4
Mosfet gate sadece source a göre değil aynı zamanda draine göre de kapasitifdir.

Eğer gate boş kamışsa yada yeterinde direnc sourceye bağlamammışsa draine gelen voltaj kapasite oranında bölünerek gateye dolar bu voltaj
150voltu bulabilir mosfet türüne göre.

Eğer gatede-source 30volttan fazla voltaj var ise içinden akım geçmese bile gate zarar görür bu nedenle mosfetler antistatik ortamda saklanır.

mustihkymz

Draine göre kapasitif olabileceği aklıma hiç gelmemişti. Sonuçta tetiklenmeyince geçiş olmaz dedim kendi kendime. Sanırım Gate in devrilme gerilimine ulaştı dediğiniz gibi. Çünkü patlamaların hepsi gate tarafında :) . Gate ucu boşta kalmayınca gayette iyi çalıştı. Bu hayata yeni atılmış birisine yardım  ettiğiniz için hepinize teşekkür ederim .

mehmet

Bazı darlington transistorlerde bu
durumun önüne gecikmeye çalışılmış.
Baz - emiter arasında direnç ilave
edilmiş.
Olan olmuştur,
olacak olan da olmuştur.
Olacak bir şey yoktur.
---------------------------------------------
http://www.mehmetbilgi.net.tr

KABO

Akım,Gerilim ve gate tetiklemesi mosfetler için çok onemlidir.
Birincisi gate hiçbirzaman için boşta kalmamalı ve gate sinyali 12v-18V aralıgında olmalıdır.mosfetler 10V un altında saglıklı çalışmaz.en kararlı çalışma aralıgı 12-18V aralıgı.
ikincisi ve entehlikelisi voltaj faktoru.gelebilecek herhangi bir yuksek voltaj veya pik mosfetin arızalanmasına sebebiyet verir.mosferler akıma belirli bir sure dayanabilir ama voltaja dayanamaz ve hemen arızalanır.gerekli voltaj korumalarını yapman lazım.olusabilecek pikleri sonumlendirmen lazım.
ucuncusu akım.mosfetler akıma belirli bir sure dayanabilir eger yuksek akım uzun sureli gecer ise mosfet arızalanır.

onemli bir Konu: senin resimde gorulen uygulamanda "dead time"çok onemli.eger dead time yetersiz olursada mosfetler hem ısınır hemde arızalanır.

umarim biraz yardımcı olabilmişimdir.
Saygılar...
BILGI PAYLASTIKCA COGALIR...