İdeal gate sinyali hangisi/nasıl olmalı?

[tekosis]

Selamün aleyküm ustalarım. 300V 4A DC motor sürmek üzere tasarladığım devrenin gate sinyalini inceliyorum. Denemeleri 30V altında küçük bir dc motor ile yapıyorum. Sorularım olacak.

1 - Aşağıdaki sinyallerden sizce hangisi mosfet için daha sağlıklı bir çalışma sağlar. (Osilsakop ekranında sinyallerin üst üste iki defa görünmesi fotoğraf çektiğim telefondan kaynaklanıyor.)

2 - B sinyalindeki osilasyon gözardı edilebilecek düzeydemidir? Yoksa olması gerekenden kaliteli bir sinyalden uzakmı? Eğer sinyalin iyileştirilmesi lazımsa neler yapılabilir?

İyileştirme için yaptığım denemeler : Mosfetin geyt direncini yükseltince sinyal formu B şeklinden A şekline dönüyor. Direnci yükseltmeden, 100nf olan şarj kapasitesine paralel bağladığım farklı kondansatörler ise dalga formunu değiştirmedi ama osilasyonu azaltma yönünde etkisi olmadı.

Devre şemam :



A sinyali:



B sinyali:

[M.Salim GÜLLÜCE]

kullandığın çip igbt değil mos sürmek için uygun.
yüksek voltaja geçiş yaptığında igbt ler patlar bilesin.
igbt de gate için negatif kesim voltajı kullanmalısın.
kıldan tüyden etkilenirler igbt ler
bir sürü sürme prosedürleri vardır. firmaların yayınladıkları uygulama notlarına göz at derim.

[tekosis]

@Mehmet Salim GÜLLÜCE teşekkür ederim .

Soruyu IGBT değil de mosfet gibi düşünelim arkadaşlar. Bu durumda yorumunuz ne olur?

[Zoroaster]

B fotosunda yukselen kenardaki ince pik EMI acisindan zararli. A daki dalga seklinde gate direncin yuksek.

A fotusunda dalga seklinde ustel yukselis esik degerin altinda degilse sorun degil.

Secim yapmak zorunda kalsaydim B dekini tercih ederdim. Fakat genlikler neden 4v civarinda?

[M.Salim GÜLLÜCE]

@Mehmet Salim GÜLLÜCE teşekkür ederim .

Soruyu IGBT değil de mosfet gibi düşünelim arkadaşlar. Bu durumda yorumunuz ne olur?

A görüntüsünde mosların daha çok ısınması beklenir.
Tam bir anahtarlama yapılmadığı için rampa görünümü mos üzerindede gerilim açısından aynı etkiyi gösterir.
Gate gerilimini bir kondansatürü şarj deşarj ediyormuş gibi düşünerek değerlendirin.
o takdirde kondansatörü aşırı doyurmak vede doyuramamak gibi bir sorun var a ve b de.

[tekosis]

@Mehmet Salim GÜLLÜCE teşekkür ederim.

@Zoroaster hocam düşük genlik osilaskop probundan kaynaklanıyor, x10 kademesindeymiş. Ama bu durumda da gate voltajı 40V civarında olması lazım ancak güç kaynağı 20V. Yani osilaskop voltaj ayarlarını biraz kurcalamam lazım.

Aşağıdaki videoda gate direncini 47R - 1K aralığında değiştiriyorum. Osilasyonda bir iyileşme olmuyor.Ayrıca motor hızında gate voltajının titreşmesine bağlı olarak salınımlar var. 100nf kapasiteye paralel olarak 2.2uf - 4.7uf - 10uf gibi kapasiteler de denedim sonuç aynı. Gate direncini 10R - 47R aralığında bir daha deneyeceğim.

Dikkat : video biraz gürültülü olabilir.

https://www.youtube.com/watch?v=xx6ku5vRq5o

[Zoroaster]

D2,3 diyodlarini soktugunde B fotosunu bir daha cekmek lazim. Duzelme olursa diyodlara seri 1 kac ohm balayip sonucu tekrar gormek lazim.

[devrecii]

MOsfetin gateinde dalga yükselirken +12V üzerine mümkün olduğu kadar hızlı çıkması gerekir , ne kadar hızlı çıkarsa piklerin voltajı da o kadar artar ama en azında mosfetin sağlam kalır.

30V a bakma 300v verdiğin an mosfetlerin gümler.  DEvre rezonant değilse çok hızlı şekilde yükselip düşmesi en iyisidir.

Osikoskpda min 1 max 40V diyor bu nedir ? Yanlış yerden ölçüyorsun galiba.

[tekosis]

@Zoroaster hocam sinyal ölçümünü yanlış noktadan yapıyormuşum @iboibo yazınca farkettim, teşekkür ederim. Şimdi sinyali gate-emiter arasından izleyince gördüğüm sinyal düzeldi. Devrede fazla değişiklik yapmadan sadece gate direncini 10ohm yaptım. Sonuç aşağıdadır. Bu hali ile kabul edilebilir bir sinyal midir sizce? Sinyal frekansı yaklaşık 38khz.