LDO (Low DropOut Regülatör) Üzerine (Her Bişeyisi)

[M.Salim GÜLLÜCE]

Texas'ın ilgili dökümanı..
MCU ile yada daha kompleks ünitelerle birlikte MCU ile devre tasarlamak isteyen arkadaşlar için..
Biçilmiş kaftan bilgiler içerir.
LDO ve iç yapısı, Çalışma mantığı...
LDO ile devre beslemeleri...
VS..

http://www.ti.com/lit/ml/slyy151/slyy151.pdf

[hwdesigner]

LDO nun lineer regülatör den farkı var mı ? LM1117 den atıyorum. Ripple seviyesi kalitesi v.s bakımından. Giriş voltajı- çıkış voltajı aralığının düşük olması dışında yani.

[yesilu]

ldo nun klasik regülatörden temel farkı çıkışında transistör yerine mosfet bulunması diyebilir(miy)iz? bir de yazıda seramik kondansatörlerin olumsuzlukları tablosunda "dc bias derating" den bahsedilmiş, sonrasında dc voltage derating başlığında yazılmış. bunun ne olduğunu kısaca açıklar mısınız?

[M.Salim GÜLLÜCE]

LDO nun lineer regülatör den farkı var mı ? LM1117 den atıyorum. Ripple seviyesi kalitesi v.s bakımından. Giriş voltajı- çıkış voltajı aralığının düşük olması dışında yani.

LDO lar switch mod mantığıyla anahtarlama tekniği ile regüle eder.
Yani ısınma katsayısı Lineer regülatörlere göre daha azdır.
LDO ların iç yapısına baktığınızda bir adet comparatör ile feedbek voltajı referans voltajı ile karşılaştırılarak anahtarlama elemanı (MOS) kontrol edilir. Ya açıktır yada kapalıdır arası yoktur. Ortaya çıkacak ısıl etki sadece MOSun Rds On direnci kadardır.

Lineer regülatörlerde ise durum farklıdır. LoJik (0-1) Değil analogtur. Yani anahtarlama diye bi vaka yoktur. gerektiği kadar gerilim uyarımı vardır. Bu yüzden üzerine düşen gerilim giriş çıkış gerilimi farkı ile yükte harcanan akıma çok bağlıdır. gerilim büyüdükçe ve daha çok akım çekildikçe ısı regüle elemanı üzerinde sıcaklık olarak yoğun bir şekilde hissedilir. Buda aynı giriş voltajıyla Düşük voltajlı regülatörler daha fazla ısınır demektir.

[M.Salim GÜLLÜCE]

ldo nun klasik regülatörden temel farkı çıkışında transistör yerine mosfet bulunması diyebilir(miy)iz? bir de yazıda seramik kondansatörlerin olumsuzlukları tablosunda "dc bias derating" den bahsedilmiş, sonrasında dc voltage derating başlığında yazılmış. bunun ne olduğunu kısaca açıklar mısınız?

Siz gençlerin ingilizcesi benimkinden daha kuvvetlidir.
Aslında metinde gayet güzelde anlatmış hemde kısaca..

Seramik kapasitörlerin doğasıyla ilgili doğal kutuplaşmadan bahsediyor.
Dolayısıyla dışarıdan etkilenmeden kutuplaşma istenen bir kapasite özelliği değildir.
Zira bu bir pil (batarya) etkisi oluşturur.

[hwdesigner]

LDO lar switch mod mantığıyla anahtarlama tekniği ile regüle eder.
Yani ısınma katsayısı Lineer regülatörlere göre daha azdır.
LDO ların iç yapısına baktığınızda bir adet comparatör ile feedbek voltajı referans voltajı ile karşılaştırılarak anahtarlama elemanı (MOS) kontrol edilir. Ya açıktır yada kapalıdır arası yoktur. Ortaya çıkacak ısıl etki sadece MOSun Rds On direnci kadardır.

Lineer regülatörlerde ise durum farklıdır. LoJik (0-1) Değil analogtur. Yani anahtarlama diye bi vaka yoktur. gerektiği kadar gerilim uyarımı vardır. Bu yüzden üzerine düşen gerilim giriş çıkış gerilimi farkı ile yükte harcanan akıma çok bağlıdır. gerilim büyüdükçe ve daha çok akım çekildikçe ısı regüle elemanı üzerinde sıcaklık olarak yoğun bir şekilde hissedilir. Buda aynı giriş voltajıyla Düşük voltajlı regülatörler daha fazla ısınır demektir.

Yoğun olarak Lm1117 kullandım. Özellikle mikrodenetleyici beslemesinde v.s. MCU konusunda ADC referans voltajlarında bu anahtarlamanın ripple yaratıp sorun olacağından endişeleniyorum. PSRR değerleri de oldukça düşük aslında LDO ların. Siz MCU beslemesinde kullanıyor musunuz ? ADC ölçümlerinde sorun yaratıyor mu ?

[yesilu]

http://www.ti.com/lit/ml/slup239/slup239.pdf
benim çatpat ingilizcemle anladığım kadarıyla ldo ların tek farkı çıkışta transistör yerine mosfet olması, anahtarlama yok, lineer sürülüyor. ldo özelliği mosfet rdson direncinin klasik transistörün ulaşamayacağı kadar düşük olmasıyla sağlanıyor, gate sürülme biçimi açısından farkları yok. ingilizcem ve elektronik bilgim iyi sayılmaz, yanlış anlamış da olabilirim.

[M.Salim GÜLLÜCE]

Yoğun olarak Lm1117 kullandım. Özellikle mikrodenetleyici beslemesinde v.s. MCU konusunda ADC referans voltajlarında bu anahtarlamanın ripple yaratıp sorun olacağından endişeleniyorum. PSRR değerleri de oldukça düşük aslında LDO ların. Siz MCU beslemesinde kullanıyor musunuz ? ADC ölçümlerinde sorun yaratıyor mu ?

Her durumda MCU beslemesinde CLC PI köprüsü kullandığımdan etkilenmiyorum.
Daha ziyade uzak (Örnek:Öbür odadaki şebeke anahtarlaması) ripple lar MCU da etken olmakta ve bunuda ancak VCC üzerinde PI filtreyle kesmek mümkün olmaktadır.

[M.Salim GÜLLÜCE]

http://www.ti.com/lit/ml/slup239/slup239.pdf
benim çatpat ingilizcemle anladığım kadarıyla ldo ların tek farkı çıkışta transistör yerine mosfet olması, anahtarlama yok, lineer sürülüyor. ldo özelliği mosfet rdson direncinin klasik transistörün ulaşamayacağı kadar düşük olmasıyla sağlanıyor, gate sürülme biçimi açısından farkları yok. ingilizcem ve elektronik bilgim iyi sayılmaz, yanlış anlamış da olabilirim.

Elektronik bilgin olmadığı halde anahtarlama olmadığından dem vurman ilginç.
Dayanağın nedir?
Adında bile LOW DROPOUT varsa düşün biraz...!!!

[Tagli]

Ben de LDO'larda anahtarlama yok diye biliyorum. Yanlış biliyorsam kaynak göstererek düzeltin.

[brandice5]

Benim bildiğim kadarıylada LDO lar lineer çalışıyor.

Feedback analog olarak çalışıyor.

[Ersin]

LDO lar switch mod mantığıyla anahtarlama tekniği ile regüle eder.

Burdaki cümleyi belki revize etmek istersiniz.
Daha ömce ldo tartışmasına girdim tekrar girmeyecem.

[fahri-]

Wiki den LDO açıklaması:
A low-dropout or LDO regulator is a DC linear voltage regulator that can regulate the output voltage even when the supply voltage is very close to the output voltage.[1]

[M.Salim GÜLLÜCE]

Ben de LDO'larda anahtarlama yok diye biliyorum. Yanlış biliyorsam kaynak göstererek düzeltin.

eklediğim Pdf teki detayları ve iç yapısını inceleyin anlayacaksınız.
Özelliklede 17. sayfanın dibinde..
LOW DROP..

[M.Salim GÜLLÜCE]

Burdaki cümleyi belki revize etmek istersiniz.
Daha ömce ldo tartışmasına girdim tekrar girmeyecem.

Geribesleme devresi çıkış gerilimi ile bir Ref gerilimi karşılaştırırsa çıkan sonuç hi yada low gibi bir sonuç olur. Mos bir anahtarlama elemanıdır ve Hi Low Mantığıyla sürülmezse problemli sonuçlar elde edilir.
Her LDO çıkışına bir kondansatör ister. Kapasite yüke bağlı olarak anahtarlama frekansını belirler.
Yanlış biliyosam lütfen siz düzeltin.
Kabaca iç yapı aşağıdaki gibidir.