PDP Swich Mosfet Ne Demek

[rayman]

Irfp250 iç direncini  göremiyorum datasheetlerde..
Örneğin Pdp Swich Özelliği olan ırfp4227  21m-ohm.
Bu iki mosfet karşılaştırılınca ne gibi farklar var ?
Örneğin yükske frekansta çalıştırınca her mnosfeti kullanamıyoruz. Mesela 100khz - 1 mhz arasındaki frekansta Pdp Swich olan mosfetler hiç ısı yapmadan çalışıyor ama hezfet geçen ırfp250 - ırfp260 - ırfp360 ısınıyor neden ?

[Yuunus]

0,085 ohm yaziyor datasheette.

[rayman]

IRFP250 İçin. Ama diğerinde IRFP4227 DE 21 M.OHM. İç direnç düşünce daha iyi iletime girer diye biliyorduk. Şimdi frekans yüksek olunca buiki değer arasında ne farkvar ?

[yesilu]

85 miliohm, 21 miliohm, 4227 üzerinde aynı akımda harcanan enerji 250 nin 1/4 ü kadar

[rayman]

Şaşkın ördek gibi biz mosfetlere yanlış bakıyoruz ozaman :D:D Süper işe yaradı bu bilgi..

[Yuunus]

Yanlis mi bakiliyor bilmem ama her transistor frekans yukseldikce ayni tepkiyi vermiyor gate charge threshold, fall time vs bir suru bilgi var bence bunlari degerlendirmeden erken karar verme bazi mosfetlerin gate fall time suresi rise time in 4 kati olabiliyor, kimisi de esit oluyor, kimiside datasheet teki degerleri saglayamiyor patates cikiyor, lineer bir sistem kullaniyorsan o rds on direnci istedigin degeri verebilir ama frekans arttikca bu degerlerden uzaklasilir, bjt ler icinde durum boyledir, frekans arttikca kazanc baya dusuyor, ureticinin sinirlari cercevesinde degerlendirmek gerek, tabi onlarda uyanik frekans bilgisini hepsi vermiyor yada dusuk tutuyor bizde vaaay akima bak deyip sazan gibi daliyoruz halbuki adam o degerleri hangi sartlarda sagliyor, bence iyi incelemek lazim.

[M.Salim GÜLLÜCE]

Mosfetlerde Ton ve Toff süreleri wardır.
dv/dt Parametreleri wardır.

Bunlar yüksek frekansta anahtarlama kayıplarının artıp artmamasını ilgilendiren parametrelerdir.
IRFL110 için verilen aşağıdaki tabloyu örnek alalım.



Buradaki Rise Time ve Fall time süresi enerjinin mos üzerine en çok düşme parametresidir.
Rise time ı örnek alalım sadece..
16 nano saniyede sonsuz direnç değerinden Rds(on) direnç değerine değişim yapıyor demektir.
Bu süre uzarsa üzerine düşen enerjide artacak demektir.
Anahtarlama eğimi daha yataya doğrudur demektir.
Eğer bu süre sıfır olursa o zaman asla anahtarlama kaybı olmayacak demektir.
Aynısı Fall Time içinde geçerli..

Ton Toff gecikme süreleri ise sizin mosun çalışabileceği frekansı belirler.
Ton Toff süresi ne kadar uzarsa okadar frekans periyodunuzdan zaman çalacak demektir.

[rayman]

Ozaman Rds-on direnci ne kadar düşük ise , transistör kazancı  artacak ve okadar da ısı düşecektir.. Başka konu ise pdp transistor ne demek ? Mesela orijinalde ırfp250 kullanıyorum ısı var az rahatsız ediyor beni , ama aynı uygulamaların bütün orjinallerimde hep pdp transistor kullanılmış. Rds-on direnci aşırı düşük omajlarda. Bu şu demek , sistem ölü zamanda çok düşük seviyede frekans üretiyor mesela dijital amfilerde. Sinyal sürekli değişiyor genlik artıyor azalıyor. Bu işi sadece pdp transistörler ile çözmüşler anladığım kadarı ile.

[Yuunus]

Pdp nedir bilmiyorum lakin amp.ler surekli linear bolgede calisiyor o yuzden isinmasi gayet normal oscilloscope ile sinyale bir bak istersen gate tam sarjda kisa sure kaliyordur belkide tam iletime hic gecmiyordur, tam iletime sokmak icin giris sinyalini yukseltmen gerek anlatabildim mi bilmiyorum, az isinmasini istiyorsan gate threshold seviyesi dusuk bir mosfet secmelisin, logic level filan. O bahsettigin moslari kullanmislarsa datasheetlere bir goz at, buyuk ihtimal numara burdadir, hangi gate voltajinda kac amper veriyor bir karsilastir.

[rayman]

Hepsi IRFB4227 veya IRFP4229 kullanmış diğerleri çalışıyor ama ISO var.

[yesilu]

PDP nin açılımı "Plasma Display Panel" miş, anladığım kadarıyla bu mosfetlerin mimarisinde bir fark yok, sadece genel mosfetlere göre rds(on) değerleri düşük, hızlı açılıp kapanıyor, pik akımları yüksek.

http://een.iust.ac.ir/profs/Rahmati/Power%20Devices_96_2/Power%20Device%20App.Notes/an-1088.pdf

[rayman]

PDP nin açılımı "Plasma Display Panel" miş, anladığım kadarıyla bu mosfetlerin mimarisinde bir fark yok, sadece genel mosfetlere göre rds(on) değerleri düşük, hızlı açılıp kapanıyor, pik akımları yüksek.

http://een.iust.ac.ir/profs/Rahmati/Power%20Devices_96_2/Power%20Device%20App.Notes/an-1088.pdf

Çok işime yaradı bu bilgi çok teşekkürler.. Tabi diğer arkadaşlarada teşekkürler..