IGBT sürmede püf noktalar nelerdir?

Başlatan efe99331, 25 Haziran 2019, 22:03:16

efe99331

Merhabalar, 1 Senedir forumda ki bir çok konuyu taradım ve bir kitap gibi bana faydası dokundu, herşeyi sıfırdan öğrendim.
Konu açmadım yorum yazmadım sadece öğrendim...

Bu bilgiler ışığında mosfetler ile BLDC motor sürücüsü tasarladım ve çalıştırdım öğrenme amacı ile çalışıyor.
Şimdi ise 600V 300A'lık IGBT'leri sürmek istiyorum. Forumda okuduğum konulara göre mosfet sürmek kadar kolay sürülmüyor. bir kaç püf noktası var.
Forum 2019 yılında geçmiş yıllar kadar aktif olmasa da eminim bu konuda tecrübelerini bunu okuyacak herkese paylaşabilecek tecrübeli abilerimiz hala buralardadır.
IGBT sürmek için nelere dikkat etmeliyim? Bazı arkadaşların da yaşadığı gibi daha yüke binmeden veya yüke bindikten hemen sonra ısınmadan IGBT'lerin yanmasını istemem çok bütçe yok bu proje için...
 bu konu aktif tutulur ve bilgi paylaşımı olursa herkese çok faydası olur teşekkürler...

xenix

#1
IGBT ve MOSFET sürme arasında çok bir fark yok.

• IGBT iletime alınırken daha düşük iletim kayıpları için 15V Vge gerilimi sıklıkla tercih edilir. MOSFET için ise bu gerilim seviyesi gate driver yükünü azaltmak için çoğunlukla 12V seçilir.

• Yüksek akım ve gerilimlerde çoğunlukla IGBT kullanılır. Bu güç seviyelerinde discrete ürünler yerine modül ürünler tercih edilir. Modül tasarımda fiziksel boyut fazla olduğu için ve yine modül içinde çok sayıda die paralel bağlandığı için içerdeki kaçak indüktanslarda artış olur. Bu kaçak indüktanslar, aynı bacaktaki diğer transistör iletime geçerken kesimde olan transistörün  de Vge geriliminin artması ile istenmeden iletime geçmesine sebep olabilir (false turn on). İşte bu yüzden modül IGBT için kesme gerilimi 1200V seviyesinde -5V, 1700V seviyesinde -8V, 3300V seviyesinde ise -15V seçilir. Daha önce 3300V 1500A transistörlerin sürülmesi ve gate driver tasarımı ile uğraştım. -15V ile kesimde tutmanın faydalı etkilerini defalarca gözlemledim. Düşük iç kaçak indüktanstan dolayı TO220 ve TO247 gibi paketlerde eğer gate direnci yeterince düşükse negatif kesme gerilimine ihtiyaç duyulmayabilir.

• IGBT ler ısındıkça Vce gerilimi düşer. Bu durumda paralel bağlı IGBT lerde ısınan IGBT üzerine daha fazla akım alarak daha da ısınır ve bozulabilir. Paralel bağlı IGBT lerin aynı soğutucu üzerinde olmaları bu yüzden çok önemlidir. MOSFET te ise böyle bir sorun yoktur.

1 yıldır forumu incelemişin ama 1 mesaj atmışın. Keşke incelemeden elde ettiğin bilgileri burada paylaşsaydın. Belki de 2019 yılında forum bu yüzden aktif değildir :) Bundan sonrası için de bu süreçte edindiğin deneyimi burdan paylaşacağını umuyorum.

efe99331

Hocam merhabalar,
Efficiency Challange eğitimlerinde tanışmıştık sizlerle ve çok güzel şeyler aktarmıştınız sizi bu yüzden hocam olarak görüyorum :)
öncelikle verdiğiniz bilgiler ve konuyu ciddiye alıp geri dönüş yaptığınız için teşekkür ederim :)
Forum gerçekten güç elektroniği konusunda biraz uykuya dalmış gibi...
Yeterince bilgiye sahip olmadığımı düşünerek her zaman konu açmaktan çekindim hala çekiniyorum.
Ancak başarılı olduğum motor tasarımı ile ilgili deneyimlerimi forum üzerinden paylaşmaya başlayacağım.
Foruma çok sık girerdim ancak ağustos itibari ile sizde biliyorsunuz yarışın son bir ayı ve sonrasında kafa dinleme derken mesaiye yeni başladım :D bu yüzden iletinizi çok geç gördüm.
Motor sürücüsünü geçen sene yetiştiremedim ve kulüp bütçesinde de para kalmadı :D
Ama bu sene 300A 600V IGBT modüller kullanarak bir motor sürücüsü ve yine vaktim ve para kalırsa 8.5kWh bataryayı 2 saat gibi bir sürede şarj edebilecek bir şarj birimi hedefim var. Ciddi ilerlemeler kaydedersem o süreçte edindiğim tecrübeleri de buraya aktarmayı hedefliyorum :)
Foruma ve özellikle tubitak içinde sizlere çok teşekkür ederim hocam bu alanda kendimi geliştirmem konusunda yardımcı olduğunuz için  :)  :)  :)