Mosfet Tetikleme.

Başlatan mihri, 05 Temmuz 2012, 09:31:31

mihri

Şimdiye kadar hep 12V ile 0V kullanarak mosfet tetikledim. 12V ile -12V kullanarak mosfet tetiklemenin ne gibi avantajı olabilir. Eğer varsa bir avantajı buna değer mi? Tecrübe etmiş arkadaşların yorumlarını bekliyorum.
"Eppur si muove!"

z

Kesim süresini çok kısaltırsın. Hızlı anahtarlamada tercih edilir.
Bana e^st de diyebilirsiniz.   www.cncdesigner.com

mihri

200A akımı 100Khz frekansta tetiklemem gerekiyor. Bu durumda mosfet gate gerilimi 0 ~ +12V yerine -12V ~ +12V olsa daha mı iyi olur. Ayrıca snubber neden daha güçlü olmalı.
"Eppur si muove!"

fgokcegoz

200A az bir akım değil, hele frekans 100kHZ ise...! Bir periyot 10us yapar. Normal bir sürme devresiyle bunu yapamazsın. Mosfeti süren tarafı çok sağlam tasarlaman lazım. Hard switching i zaten unut, yumuşak anahtarlama tekniklerinden birini kullanman lazım. Örn. ZVT...Ayrıca soğutma kısmıda çok önemli... +12V/ 0V mu, ±12V mu meselesinden önce bunu düşün derim...  Bu iş öyle basite alınacak bir iş değil. Profesyonel çalışmak lazım. Yoksa habire mosfetleri patlatır patlatır durursun...
"Vicdanın ziyası, ulûm-u diniyedir. Aklın nuru, fünun-u medeniyedir. İkisinin imtizacıyla hakikat tecelli eder." (Bediüzzaman Said Nursi)

bymrz

Alıntı yapılan: mihri - 05 Temmuz 2012, 13:32:25
200A akımı 100Khz frekansta tetiklemem gerekiyor. Bu durumda mosfet gate gerilimi 0 ~ +12V yerine -12V ~ +12V olsa daha mı iyi olur. Ayrıca snubber neden daha güçlü olmalı.

200A ! Ne yaptın hocam... Bu arada kullanacağın mosfetin Rdson direncine baktın mı? Thermal direncine,vs... Bu iş için aktif soğutma veya özel sıvılar şart gibi...

Bu arada 0-12 mi -12 +12 mi ? bu biraz da kullanacağın mosfetle alakalı. Datasheet'inde uygun Gate gerilimlerini grafikleri ile inceleyebilirsin. Mosfeti sürerken de çok kısa süreler için de olsa, mosfeti açarken ve kapatırken gate'ini çok yüksek akımlar ile çok hızlıu bir şekilde boşaltmalısın. yoksa çıkışta istediğin şekilde kare dalgalarını elde edemeyebilirsin...

mihri

Konuyu dağıtmayalım. -12 ve +12 gate gerilimi ile mosfet süren oldu mu? Avantajını gören oldu mu?
"Eppur si muove!"

bymrz

Alıntı yapılan: mihri - 05 Temmuz 2012, 15:33:20
Konuyu dağıtmayalım. -12 ve +12 gate gerilimi ile mosfet süren oldu mu? Avantajını gören oldu mu?

Datasheet'den bu bahsettiğim gerilimlerdeki(+-12) Rdson değerlerine ve 0-12V gate tetikleme gerilimleri arasındaki Rdson değerlerini incele. İkisi arasında ciddi bir fark varsa(bu fark ısı demek) elbetteki +- 12V kullanmak faydalı olacaktır...

mihri

Alıntı yapılan: alone_lover - 05 Temmuz 2012, 15:58:18
Datasheet'den bu bahsettiğim gerilimlerdeki(+-12) Rdson değerlerine ve 0-12V gate tetikleme gerilimleri arasındaki Rdson değerlerini incele. İkisi arasında ciddi bir fark varsa(bu fark ısı demek) elbetteki +- 12V kullanmak faydalı olacaktır...

Örnek bir mosfet ile grafikleri gösterebilir misin? Tam olarak kastettiğin nedir? 0V gate geriliminde kesime gitmeyen mosfet mi var?
"Eppur si muove!"

bymrz

hocam açıkcası ben de sallamışım biraz fakat... üşenmedim araştırdım... 0V niye -V  niye öğrenmiş olduk senin sayende :)

Alıntı Yap
Depletion-mode MOSFETs
There are depletion-mode MOSFET devices, which are less commonly used than the standard enhancement-mode devices already described. These are MOSFET devices that are doped so that a channel exists even with zero voltage from gate to source. To control the channel, a negative voltage is applied to the gate (for an n-channel device), depleting the channel, which reduces the current flow through the device. In essence, the depletion-mode device is equivalent to a normally closed (on) switch, while the enhancement-mode device is equivalent to a normally open (off) switch.[41]
Due to their low noise figure in the RF region, and better gain, these devices are often preferred to bipolars in RF front-ends such as in TV sets. Depletion-mode MOSFET families include BF 960 by Siemens and BF 980 by Philips (dated 1980s), whose derivatives are still used in AGC and RF mixer front-ends.

pisayisi

Mosfetin gate ini iletime sokmak için doldurulması gereken bir kondansatör gibi düşünün. 12 volt verdiniz giriş kapasitesi doldu, sonra feti kesime götürmek için gate sıfır volt toprağa bağladınız şimdi o giriş kapasitesi tam olarak boşalsın ki aslında threshold değerlerinin altına indiğinde fet kesime girer. Ancak bu kapasiteyi siz +12 volt ile doldurduktan sonra hızlı  bir şekilde -12 volta tabi tutarsanız acayip hızlı bir biçimde giriş gerilimi -12 volt lar seviyesine gelecek. Hızlı bir biçimde fet kesime gidecek herkesin istediği de budur zaten. Burda tek sorun girişe 0 volt yerine -12 verdiğinizde gate den akması gereken aşırı değerleri aşmamak gerekliği...
Murat

mihri

Alıntı yapılan: alone_lover - 05 Temmuz 2012, 17:10:31
hocam açıkcası ben de sallamışım biraz fakat... üşenmedim araştırdım... 0V niye -V  niye öğrenmiş olduk senin sayende :)

O zaman enhancement-mode mosfetlerde -12V gerekli değil. Ama aşağıdaki linkte -15V kullanmış mosfeti kesime götürmek için. Sayfa 39'da görülebilir.

http://scholar.lib.vt.edu/theses/available/etd-071499-192601/unrestricted/navetd.pdf

Burada kullanılan mosfetin tipini bilmiyoruz ama enhancement-mode olması gerekli. Yani 0V'ta iş görmez miydi?
"Eppur si muove!"

ErsinErce

-V ile deneyimim olmadı ama gördüğüm bir noktanın belki faydası dokunur;

[jstex]I_D = KP \frac{W}{L} (V_{GS}-V_{Th})^2[/jstex]

formülünden yola çıkılırsa, sabit akan akım -V ile daha az olacağından mosfetin soğumasına ekstra katkısı olabilir

bulut_01

bu konuda şöyle bir soru aklıma geldı.sımdı mosfetin gate 100 us periyotla kare dalga verelim source 100 us periyotla cıkıs aldık dıyelım. sımdı mosfet kesıme görurken gate 0v ıle kesıme götürelım bu 100 us perıyot ıcerısınde bıde aynı sekılde -12v kesime gittiği an ile  0v ile -12v kesıme gittiği zamanlarda source 0v ile kesime gittiği zaman da ile -12v kesime gitti zamanlarda farkı olur mu olursa ne kadar olur.?
YENİLMEZ..

mihri

Alıntı yapılan: ErsinErce - 05 Temmuz 2012, 20:56:55
-V ile deneyimim olmadı ama gördüğüm bir noktanın belki faydası dokunur;

[jstex]I_D = KP \frac{W}{L} (V_{GS}-V_{Th})^2[/jstex]

formülünden yola çıkılırsa, sabit akan akım -V ile daha az olacağından mosfetin soğumasına ekstra katkısı olabilir

Ne kadarlık bir katkısı olur soğumaya ,%10 olabilir mi mesela?
"Eppur si muove!"

ErsinErce

#14
kullanılan mosfet üzerinde harcanan güç miktarına göre bir hesap yapılabilir
0V ile -V verildiğinde geçecek akımlar hesaplanıp devre voltajına göre harcanan güçleri ortaya çıkarabiliriz
bu güçlere göre de ısıl kayıplar hesaplanıp karşılaştırılabilir

200A ve 100 kHz söz konusu olunca %10u belki bulabilir diye düşünüyorum,
tabi ki sadece bir varsayım, rakamlara dökünce farklı da olabilir