Mosfet Charge Pump

Başlatan Saruman, 03 Eylül 2012, 00:52:30

Saruman

Selam,

Vd= 72 V olan bir mosfeti süreceğim. Kontrol sinyalim maksimum 10 kHz. Mosfetin giriş kapasitansı 3130 pF değerinde.

Vgs = 10 V olursa Rds minimuma iniyor.

Bu da gate gerilimini 82 V yapar. Batarya grubuyla beslenen mosfetler 3 fazlı fırçasız DC motoru çalıştıracak.

Her fazda high side ve low side olmak üzere 2 mosfet var.

Vg değeri olan 82 voltu elde etmek için 4nF'lık  bir kondansatörde akülerden gelen gerilim + LM317 den gelen sabit 10 voltu toplatsam daha sonra on-off edilecek mosfetin gate girişine transistörler aracılığıyla aktarsam diyorum.

Kondansatör yükünü sürekli yenilemek için bir multivibratöre veya PWM kaynağına ihtiyacım var.

Yine de meseleye tam hakim olmadığım için kesin adımlar atamıyorum.

Bir çok application note ve makale okudum okumaya da devam ediyorum.

Bu konuda çalışma yapanlar varsa tavsiyelerini dinlemek isterim.

İyi Çalışmalar


fractal

mosfet sürmede önemli olan rd direnci değilmiydi.gate o direnci takıp hangi voltajda süreceksen o valtajı veriyordun.birde ters diyot vardu.ben öyle biliyorum.
Restantum cogniscutur Quantum deligutur

MC_Skywalker

NXP nin BLDC motor uygulamasında Boost cap görmüştüm. şu uygulama notu belki fikir vere bilir. http://www.nxp.com/documents/application_note/AN10898.pdf

Saruman

#3
Alıntı yapılan: fractal - 03 Eylül 2012, 09:30:52
mosfet sürmede önemli olan rd direnci değilmiydi.gate o direnci takıp hangi voltajda süreceksen o valtajı veriyordun.birde ters diyot vardu.ben öyle biliyorum.

Hayır hocam Vg ile Vgs 'yi karıştırıyorsunuz. Ben de çok değil bir kaç hafta öncesine kadar aynı karışıklık içerisindeydim.

Çeşitli application note , datasheet , makaleler okuyarak aslında meselenin ağızdan çıktığı kadar kolay olmadığını gördüm.

Vg gate'den uygulanması gereken gerilim, Vgs ise Gate ile Source arasında olması gereken potansiyel farkı.

Rds 'yi düşük tutmak için Vgs değerini elde etmeye çalışırız, genellikle 10V civarıdır fakat iletime geçmiş mosfet için source gerilimi drain gerilimine eşit gibi olur, Rds arasında ufak bir düşümü hesaba katmıyorum.

Vgs = Vd + Rds 'yi minimuma indirecek olan katalogda yazan gerilim değeri.

mesaj birleştirme:: 03 Eylül 2012, 10:20:36

Alıntı yapılan: MC_Skywalker - 03 Eylül 2012, 09:32:59
NXP nin BLDC motor uygulamasında Boost cap görmüştüm. şu uygulama notu belki fikir vere bilir. http://www.nxp.com/documents/application_note/AN10898.pdf

Bu uygulamayı daha önce incelemiştim,
Low side mosfetin gate'i boost kondansatörü ile beslenmiyor bu durumu anlayamadım.

pisayisi

lm317 bağımsız bir gerilim kaynağına bağlı ise gate uygulanacak voltajı toplama usulu ile istediğiniz değerlere taşıyıp üst koldaki fetleri sürebilirsiniz. Alt koldaki fetler de ise zaten sıkıntı olmaz. nxp nin uygulama notu birzamanlar mosfet sürücüler entegre olarak yaygın değilken geçerli idi, nxp de kendi bord larında artık o devre yapısını kullanmıyor. Önerim fan7888 tipi 6 feti aynı anda sürebilcek mosfet driver kullanmanızdır. Ancak bu devrelerin çalışması için devrenin pwm ile sürülmesi gereklidir aksi halde boost kapasitörü gerekli gerilim kaydırma işlemini yapamaz...
Murat

Saruman

#5
Piyasadaki bir çok mosfet sürücünün içinde charge pump veya benzeri yapıda high voltage level shifter varmış.

Tıkandığım nokta şuydu, neden sürücü kullanıyorduk neden charge pump kullanmıyorduk.

Zaten adamlar charge pump ı baside indirgemiş ve sürücülerin içine koymuşlar.

Az evel IR2101 serisinin iç yapısında dediğim yapıyı gözlemledim.