High Side mosfet ve Bootstrap olayı

Başlatan ulaç, 28 Kasım 2012, 00:14:55

Mnemonic

siz hangisini önerirsiniz ?
half bridge kullanmak mantıklımı. fairchildin ürünlerini kullanırım büyük ihtimalle irf yerine

t2

Hep N kanal kullanılıyor.
P Kanal güç mosfetiyle köprü yapan pek yok gibi.

yldzelektronik

#17
Hort olacak ama bir şey sormak istiyorum.

Full bridge devrede high side p kanal low side n kanal kullanılması ile her iki tarafında n kanal kullanılması durumu arasında yalnızca devreden beklenen toplam güç mü etkin?

Ekleme:High side tarafında p channel olan tam köprü devreleri 310v dc gerilimde kullanmak doğru olmaz mı?

Kişinin başına gelen hayır Allah'tandır. Kişinin başına gelen şer nefsindendir. Nefislerimizle kendimize zulüm ediyoruz.

iyildirim

Gerilim mosun Vgs gerilimini geçtikten sonra P kanal kullanmanın bir getirisi yok.

Gerilim Vgs den düşük olduğunda booststrap, izole çevirici + opto vs. gerektirmeyen basit low side sürücülerle sürülebildiğinde p-kanal mos kullanmak avantaj oluyor.

yldzelektronik

Güç elektroniği için uygulama ağırlıklı, sadece teoriyi ele alan değilde belki örnek uygulamalar da içeren kitap öneriniz var mı?
Kişinin başına gelen hayır Allah'tandır. Kişinin başına gelen şer nefsindendir. Nefislerimizle kendimize zulüm ediyoruz.