P-Kanal Mosfet Arıyor Ama Bulamıyorum.

[picmanya]

Hocam PNP transistör değil, P-kanal mosfet arıyorum? Halada arıyorum. Yardımcı olabilen olursa çok sevinirim.
Bulamazsam TO-220 IRF9540N ve yakın özellikde benzer muadillerini kullanmaya devam edeceğim. Bunlarda fiyat 0,3-0,4 $ civarında.
Sıkıntı şurda;
SOT-23 kılfdaki mosfetlerin özelliklerini ve fiyat avantajını, TO-220 den küçük kılıfda THT kılıf mosfetlerde bulamıyor olmam.
Bu yüzden 3-4 misli fiyatdan sevmesemde TO-220 klıf mosfetlerle şimdilik yoluma devam ediyorum.

[power20]

TO-92  sokete uyacak  bir devre nasıl olur? İlla p kanal kullanmak gerekmeyebilir
Temsili foto:

[picmanya]

illa p kanal kullanmak gerekmeyebilir kısmını anlamadım.
n kanalda eleman bulmak kolay ama bununda sürülme problemi var.

SOT-23 kılıf p-kanal mosfetlerde aradığım özellik ve fiyatda malzeme çeşitliliği bol.
Ben bunlardan soketli yapıda bir kart toplasam ve pcb ye taksam işim görülürdü.
Ama son kullanıcı bir mosfet çıkışı yandığında bunu değiştirmek için bana bağımlı kalırdı.
Malzemeyi hazır bulamayıp tamir işine girişirdi.
Yurtdışı faktörüde var, evrensel bir şey olsun diye düşünüldü.

[power20]

N kanal Mosfetin sürülme  problemi nedir?
Asıl sorun devre tasarımınızda olabilir

Sadece 3 pin varsa N kanal adaptasyon için ilave olarak belki GND veya VDD gerekebilir.

Yurtdışı faktörüde var, evrensel bir şey olsun diye düşünüldü.

P kanal kullanmaya çalışarak zaten pek de evrensel bir iş yapılmamış.


Mosfetin sıkça yanacağını ve değiştirileceğini öngörmek de bence  yanlış. Yaptığınız devrede tasarım sorunu olduğunu gösterir.  değişecek olan şey sigorta gibi elemanlardır. diğerleri değişecekse bu tamir işi olur.

[picmanya]

mosfet tasarımdan-devreden kaynaklı yanmıyorda, daha çok kullanıcı hatasından dolayı bozulup-yanabiliyor.
kart enerjili iken soketi söker takar, mosfet çıkışını toprağa metal gövdeye değdirir.
SMPS çıkış 0V. hattını gerçek toprağa makine gövdesine bağlar hangisini yazayım hocam.
bir şekilde becerip yakıyor adamlar işte.
soketli mosfet durumu gayet normal duruyor.! neden olmasın?
mosfeti yakanın kendisi istediği yerde bulup sökmeden fotogarafını çekip söktüğü gibi yerine takar, pratik bir çözüm.
bir nevi istepne. isterse mosfeti bende veririm kendide alır. p-kanalda evrenseldir. bulunan modeli heryerde bulunabilir.

mosfet yanmasını önleyecek, onu koruyacak makul bir çözüm varsa öğrenebilirsem uygulamaya çalışırım.

p-kanal mosfet kullanılma nedenine diğer forum kısmında değindim, 4X4 matris sistemi ile yer sıkıntısı ve maliyet faktörü vardı?
Birde matris yönteminin 0V. iletim hatları için zaten kullanılması gereken ULN2803 üzerinden p-kanal mosfetlerde,
ilave masrafsız ve yer kaplamadan kolayca sürülebilecekti.
n-kanal mosfetin sürülmesi için ekstra malzeme kullanımı ve bunlara yer gerekir sanıyorum. +24V. da n-kanalı sürmek p-kanalı sürmek kadar kolay olmuyor diye biliyorum. ayrı bir sürme voltajı-regülesi ve ayrı bir sürme elemanı gerektirmiyormu?
n-kanal ve p-kanal mosfetlerde TO-220 kılıf için fiyat farkıda yok aralarında.

+24V. gerilim ile beslenen kartda, +24V. gerilim iletiminde n-kanal mosfeti en basit halde nasıl sürebiliyorsunuz? en azından sürücü voltaj için +12..15 V. arası bir regüle ve ULN harici bir sürücü eleman gerekmiyormu? muhtemelen bu sürücü eleman yalnızca mosfeti sürüp başkada bir işi görmeyecekse buda bir dezavantaj olmazmı?

Sorun yaşadığım/gördüğüm işlemciden direkt +5V./0V. ile sınırda sürülen n-kanal uygulamalarıda var tabiki. Bana uymaz.

Elimdekinden daha makul bir çözüm varsa inanın uygularım. Burda bulunma amacım tamamen avantajlısını doğrusunu öğrenme maksatlı.
Niye inatlaşayım faydası neki bana.!
Tamam evrensel hata yaptım diyeyimde elimde daha makul bir çözüm olsa diyecem.

Devre yeni sıfırdan tasarım bir iş, en ince ayrıntısına kadar anlattım daha nasıl anlatabilirim ki?
İlave bilgi olarakda ne gerekiyorsa sorun söyleyeyim-vereyim.

SOT-23 p-kanal mosfetlerin elektriksel özelliğinde ve fiyatında, değiştirilebilir THT kılıf, TO-220 kılıfdan daha küçük mosfet bulsaydım problem hiç kalmayacaktı.
devre 1 $ daha ucuza mal edilebilecekti. Bunada şükür 1 $ daha pahalıda olsa, kısıtlı bir yerde çözüm mümkün olabildi.

Yalnız kendimiz düşünüp başarmadık tabiki buradan ve çevremizden yardım aldık.

[M.Salim GÜLLÜCE]

N kanal Mosfetin sürülme  problemi nedir?
Asıl sorun devre tasarımınızda olabilir

Sadece 3 pin varsa N kanal adaptasyon için ilave olarak belki GND veya VDD gerekebilir.P kanal kullanmaya çalışarak zaten pek de evrensel bir iş yapılmamış.


Mosfetin sıkça yanacağını ve değiştirileceğini öngörmek de bence  yanlış. Yaptığınız devrede tasarım sorunu olduğunu gösterir.  değişecek olan şey sigorta gibi elemanlardır. diğerleri değişecekse bu tamir işi olur.

Hi Side anahtarlamada N-MOS kullanılırsa Mosfet driver kullanması gerekir.
Ama P kanalda öyle bir sıkıntı yok.
Mesele bundan ibaret.

[power20]

Bu mosfetin kullanılacağı kısma ait şema olsa belki fikir yürütülebilir. Farklı bakış açısı faydalıdır.  Ne derseniz deyin, soketli mosfet komiktir. Tasarım sorununu gösterir 

[picmanya]

Hocam belki bir yeri ayrıntıyı yakalamış olabiliriz? Bunun için soruyorum.!

prensipde p-kanal yerine, n-kanalı kullanmam avantajlı olacaktır. makul olarak mümkünse bende isterim. p-kanal mosfet babamın oğlu değil sonuçda. göbeği benle kesilmedi birlikde bot bağlamadık ya.
Açık söyleyeyim; ULN2803 soketli olduğu gibi mosfeti p-kanalda, n-kanalda kullansam sağlamca soketini uydurur takarım ben. Banada komik geliyor ama gerekçelerim var.
Yukarıda bir üye harika iyi bir soket önerdi. Sağlamda takılıyor. Dandik olmuyor hani. Yakışıklı duruyor.
Ama n-kanalı kullanacam diyede her malzemeyide karta ilave edemem ve maliyet faktörünüde göz ardı edemem.

Uzatmadan Soruma Geçeyim.
kart DC +24V. smps besleme ile enerjilenip, 1509 step down regüle ile +5V. elde edilip bundan işlemci beslenecek. 0V. besleme heryerde tek ve ortak.

ULN2803 üzerinden veya TLP521 / PC817 tarzında en basit ve ucuz bir optokuplör üzerinden,
n-kanal mosfeti basitçe sürmek için minimum gereksinim nedir? TLP521 / PC817 ile sürmek için en basitinden 50 mA. de olsa +12/15 V. üreten bir lineer regüle gerekir değilmi?
Ne bileyim zenerli bir iki basit malzemeli çözüm falan mümkünmüdür? En sade halde nasıl bir çözüm olabilir? Dip kılıf opto altına smd tarzda basitçe makul fiyatlı malzeme ile iş kotarılabiliyorsa? n-kanala geçmek isterim. sonucda n-kanal mosfetde +24V. / high side iletimde kullanılabiliyor. motor sürücülerde hep böyle. Bu halde 4X4 matris yapısı yine korunup iş görülebilecekse, uygulamak isterim doğrusu, şemaya gerek yok anlatılırsa anlarım.

Devre besleme Voltajım ve rölelerin çalışma voltajı +20 V. veya altında olsaydı.
n-kanalı en baştan kullanmayı planlıyordum doğrusu. Bilgim kısıtlı, eldeki çözümüm şimdilik yukarıda anlattığım halde.

[M.Salim GÜLLÜCE]

Hocam belki bir yeri ayrıntıyı yakalamış olabiliriz? Bunun için soruyorum.!

prensipde p-kanal yerine, n-kanalı kullanmam avantajlı olacaktır. makul olarak mümkünse bende isterim. p-kanal mosfet babamın oğlu değil sonuçda. göbeği benle kesilmedi birlikde bot bağlamadık ya.
Açık söyleyeyim; ULN2803 soketli olduğu gibi mosfeti p-kanalda, n-kanalda kullansam sağlamca soketini uydurur takarım ben. Banada komik geliyor ama gerekçelerim var.
Yukarıda bir üye harika iyi bir soket önerdi. Sağlamda takılıyor. Dandik olmuyor hani. Yakışıklı duruyor.
Ama n-kanalı kullanacam diyede her malzemeyide karta ilave edemem ve maliyet faktörünüde göz ardı edemem.

Uzatmadan Soruma Geçeyim.
kart DC +24V. smps besleme ile enerjilenip, 1509 step down regüle ile +5V. elde edilip bundan işlemci beslenecek. 0V. besleme heryerde tek ve ortak.

ULN2803 üzerinden veya TLP521 / PC817 tarzında en basit ve ucuz bir optokuplör üzerinden,
n-kanal mosfeti basitçe sürmek için minimum gereksinim nedir? TLP521 / PC817 ile sürmek için en basitinden 50 mA. de olsa +12/15 V. üreten bir lineer regüle gerekir değilmi?
Ne bileyim zenerli bir iki basit malzemeli çözüm falan mümkünmüdür? En sade halde nasıl bir çözüm olabilir? Dip kılıf opto altına smd tarzda basitçe makul fiyatlı malzeme ile iş kotarılabiliyorsa? n-kanala geçmek isterim. sonucda n-kanal mosfetde +24V. / high side iletimde kullanılabiliyor. motor sürücülerde hep böyle. Bu halde 4X4 matris yapısı yine korunup iş görülebilecekse, uygulamak isterim doğrusu, şemaya gerek yok anlatılırsa anlarım.

Devre besleme Voltajım ve rölelerin çalışma voltajı +20 V. veya altında olsaydı.
n-kanalı en baştan kullanmayı planlıyordum doğrusu. Bilgim kısıtlı, eldeki çözümüm şimdilik yukarıda anlattığım halde.

N kanal mosfeti Hi side tarafına iliştirdiğinde açmaz tarafı şu...
Gate ile Source Arasında 12~15 volt gerilim şarjı gerektiğinden Source yüke bağlı olduğundan bunu sağlamak mümkün olamıyor. Low Side da problem olmuyor çünkü Source direk GND ye bağlı.
Hi Side için Gate driver bu sebepten gerekli.
Gate driverlarda bir kapasitörü şarj edip onu gate üzerine (Harici batarya gibi) enjekte eder.
Böylelikle source voltajından bağımsız gate şarjını yapabilir duruma gelir.

Senin rölelerin açılıp kapanma frekansı pek yüksek değil.
Bu yüzden benzer şekilde N kanal mos sürücüyü kendin yapabilirsin belki.
Driver iç yapılarını incelemeni öneririm.

[picmanya]

Benimde gördüğüm; kart beslemesi +20V. üstünde olduğunda, hig-side tarafında n-kanal kullanmak zor-masraflı iş.
Endüstriyel standart gerilim +20V. olsa idi veya n-kanal mosfetler standartda +-24 V. ile sürülebiliyor olsa idi
işler çok kolaylaşacaktı galiba değilmi? n-kanal mosfet +24V. ile sürülebilse idi, problem kalmayacaktı yanlışmıyım?
Gerçekde; Endüstriyel standart gerilim  DC +24 V., mosfetlerin source-geyt arasındaki sürülme voltaj potansiyel gerilimide maksimum +20 V.
topraklar/0V. ler ortak diye düşündüm. Birde pcb de ana basleme girişinde seri diyot-besleme polarite diyotu bulunuyor.

Aslında smps güç. kaynağı DC24 V. olmasına rağmen, voltaj ayarlama potu üzerinden 19-27 V. aralığında çıkış voltajına ayarlanabiliyor.
smps çıkışını 19-20 V. gibi ayarlamış olsak, rölede 19 V. da yine sorunsuz çalışır, hani böyle yapılmak istenseydi, problem çözülmüş olurmuydu?
Bu durumda n-kanal mosfetin high-side de kullanılmasında problem olurmuydu? Bu durumda mosfetin sourcesinde maksimum +19 V. olmuş olacaktı.
 
Eğer gerçekler böyle ise standart n-kanal mosfetlerin source-geyt arasındaki voltajı bilinerek maksimum +20 V. da tutulmuş olunabilir.!
+20 V. ayarlayan adam +25 V. a da rahat ayarlardı onu. Allah'ın emri değilya +20V.

[M.Salim GÜLLÜCE]

Benimde gördüğüm; kart beslemesi +20V. üstünde olduğunda, hig-side tarafında n-kanal kullanmak zor-masraflı iş.
Endüstriyel standart gerilim +20V. olsa idi veya n-kanal mosfetler standartda +-24 V. ile sürülebiliyor olsa idi
işler çok kolaylaşacaktı galiba değilmi? n-kanal mosfet +24V. ile sürülebilse idi, problem kalmayacaktı yanlışmıyım?
Gerçekde; Endüstriyel standart gerilim  DC +24 V., mosfetlerin source-geyt arasındaki sürülme voltaj potansiyel gerilimide maksimum +20 V.
topraklar/0V. ler ortak diye düşündüm. Birde pcb de ana basleme girişinde seri diyot-besleme polarite diyotu bulunuyor.

Aslında smps güç. kaynağı DC24 V. olmasına rağmen, voltaj ayarlama potu üzerinden 19-27 V. aralığında çıkış voltajına ayarlanabiliyor.
smps çıkışını 19-20 V. gibi ayarlamış olsak, rölede 19 V. da yine sorunsuz çalışır, hani böyle yapılmak istenseydi, problem çözülmüş olurmuydu?
Bu durumda n-kanal mosfetin high-side de kullanılmasında problem olurmuydu? Bu durumda mosfetin sourcesinde maksimum +19 V. olmuş olacaktı.
 
Eğer gerçekler böyle ise standart n-kanal mosfetlerin source-geyt arasındaki voltajı bilinerek maksimum +20 V. da tutulmuş olunabilir.!
+20 V. ayarlayan adam +25 V. a da rahat ayarlardı onu. Allah'ın emri değilya +20V.

Yazdıklarının tamamı yanlış.
Mosfetlerin iletime geçme tekniği Gate te bulunan kapasitörün Source e göre şarj edilmesiyle oluşan elektirik alan etkisiyle Source Drain arasında bir iletim tüneli oluşması üzerine dayanır.
N yada P kanal olması bunu değiştirmez.
İletime geçme eşiği üründen ürüne değişmekle beraber 3 volttur.
Nadiren özel ürünlerde 2 volta kadar inmektedir.
Ancak 12 volta ulaşıncaya kadar analog bölge çalışması gerçekleşir.
Yani 3 volt ile 12 volt arasında Mosfet gate gerilimi drain source arasındaki akımın da doğrusal olarak artıp azalmasına yol açar.
Diğer bir deyişle Mosfetin Rdson direnci gate gerilimine bağlıdır.

12 ile 15 volt arasında maximum iletim kanalı seviyesine ulaşır ki datasheetlerde bahsedilen Rdson direnç değeri bu durum için verilmiştir.
Kısacası düşük gerilimle şarj edildiğinde mosfet daha fazla ısınacak demektir.
Gate normalde şarj edildikten akım çekmez. Tam anlamıyla kondansatördür.



Şimdi N kanalın Hi Side anahtarlamasındaki sıkıntısı ise şöyle oluşmaktadır.
Yük Gnd ye bağlı ise yükün pozitif tarafında yani mosfetin Source ucunda VCC ye yakın gerilim oluşur.
Bu durumda Gate şarj geriliminin VCC den 15 volt daha fazla olması gerekir ki bunu sağlamak için çeşitli yöntemler kullanılmaktadır.



Birincisi devreden bağımsız bir güç kaynağından enerji almak.



ikincisi ise VCC GND arasındaki voltajı bir kapasitöre şarj edip Şarjlı kapasitör enerjisini beslemeden ayırıp gate source üzerine aktarmak.
HiSide mos driverlar bu ikinci sistem üzerine çalışır.

[picmanya]

Açıklamalar iyi geldi Hocam,
Bu konuda hata yapmamı frenleyecektir.
Sağolun.

[mg1980]

@M.Salim GÜLLÜCE hocam, özlü açıklamalarınız için teşekkür ederim. Saygılar..