Arkadaşlar merhaba, mosfet datasheet incelerken kafama takılan bazı sorular var, cevaplarsanız sevinirim.
İlk sorum MAXIMUM POWER DISSIPATION ifadesi burada 25 C de 280W diyor. ben mosfeti mi 310V DC ile sürüyorsam 25 C de maximum 0.9 A akım çekibeleceğim amlamına mı geliyor.(MOSFET IRFP460)
(https://s24.postimg.cc/q5g9ic7pd/Ads_z.png) (https://postimg.cc/image/q5g9ic7pd/)
Hayır.
Kayıp güç = Üzerindeki voltaj x Üzerinden gecen akım
Üzerinden 0,9A gecerken üzerinde 310V DC düşüyorsa dediğiniz doğru.
Yani RDS on direnci ile geçen akımın karesini çarpınca bulacağınız değer o . Yalniz orada önemli nokta o değerlere ulaşmak için mosfet kasasını 25 derecede tutman gerekli.
Alıntı yapılan: OG - 08 Ocak 2017, 18:00:00
Hayır.
Kayıp güç = Üzerindeki voltaj x Üzerinden gecen akım
Üzerinden 0,9A gecerken üzerinde 310V DC düşüyorsa dediğiniz doğru.
0.9A den fazla geçmeye başlarsa mosfet ısınmaya başlar doğru mu?
Alıntı yapılan: skara1214 - 08 Ocak 2017, 18:12:52
Yani RDS on direnci ile geçen akımın karesini çarpınca bulacağınız değer o . Yalniz orada önemli nokta o değerlere ulaşmak için mosfet kasasını 25 derecede tutman gerekli.
0.9A geçtiğini varsayarsak 0.9X0.9X0.27=0,2187 gibi bir değer çıktı ???????????????
0,9A gecerken de x 310V =279 watt ısı, zaten soba gibi, 25 derece falan değil, bu esnada çıkan ısı hızla atılıp 25 dereceye düşürülebilirse, 25 derece korunabilirse bu ısıl güç mosfetde açığa çıkarılabilir diyor.
Bir şeyler karışıyor gibi,
0,9A geciyorsa neden mosfet üzerinde 310V DC olsun, bu ancak linear çalışmalarda olur.
Mosfet anahtarlamalı (switch) kullanılıyorsa üzerinde Rds x Akım kadar bir voltaj düşer.
310V dc 50Hz de anahtarlayıp 280W R bir yükü sürdüğümüzü varsayalım. burada çekeceğimiz akım ve mosfet sıcaklığı yaklaşık olarak ne olur?
@PICaso , sorular eksik veya bazı konulardaki bilgiler gözden gecirilmeli.
310V da
280W R yük ne demek, Yük 310V da 280W harcıyorsa "akımı nedir" ne demek.
Temel elektrik konuları.
280/310=0.9A
RDS=1 Ohm gibi çok uyduruk bir mos bile kullansan mosda harcanan güç 0.9*0.9*1 dan yaklaşık 1w kaybın olur.
1w kayıp da çok rahatlıkla uzaklaştırılır.
2. sorum RDS(on) direnci düşük mosfetleri tercih etnek daha avantajlı mıdır?
Mosfet'i ISI ÜRETECİ olarak kullanmak istiyorsak DEZ_Avantajlıdır.
Alıntı yapılan: OG - 08 Ocak 2017, 19:51:57
Mosfet'i ISI ÜRETECİ olarak kullanmak istiyorsak DEZ_Avantajlıdır.
öyle bir kullanım şekli de mi varmış?
Belki kristallerin sıcaklığını sabit tutmak için
kullanılabilir...
Alıntı yapılan: PICaso - 08 Ocak 2017, 19:55:30
öyle bir kullanım şekli de mi varmış?
Mesela yapay yükte ısı üreteci olarak kullanıldığını söyleyebiliriz. Harcanan güç fet üzerinde ısıya dönüşüyor. Fakat SOA grafiklerine bakıldığında yapay yükte olduğu gibi linier çalışmada kullanacaksak fetlerin çok sınırlı bir alan sundukları görülüyor.
http://www.firatdeveci.com/dc-elektronik-yuk-part-2/
Total Gate Charge Qg=150 nC olan mosfetlerden 23 kHz de IR2113 ile high side sürdüğümüzü varsayarsak maximum kaç adet paralelleyebiliriz?
GÜNCEL!!!
senin mosfetin capasitesini ne kadar hızlı şarj desarj etmenle alakalı bir mevzu bu. mosfet sürücü kullanırsan daha hızlı anahtarlarsın ama kesin su kadar anahtarlarsın denilebileceğini zannetmiyorum
IR2113 mosfet sürücü kullanıyorum. maximum 2A çıkış verebiliyor. Mosfetlerin gate kapasitelerini bu akım ile şarj ediyor diye biliyorum.
deneyip görmen gerekli direk rakam vermek mümkün değil