merhaba forum,
IRFP460 mosfeti IR2113 ile sürüyorum
gate source arasına okun yönü gate i gösterecek şekilde
BAT85 shottky diyot koyunca gate'teki parazitik osilasyon azalıyor
ama BAT85 datasheette max voltajı 30 V diyor
BAT85 uygun mudur ?
yoksa Karaköy'de bulabileceğim daha yüksek voltajlı shottky diyot var mıdır ?
siz ne kullanıyorsunuz ?
veya UF4007 olur mu ?
teşekkür
Gate'deki sönümleme için diyod yerine gate'e seri bir kaç ohm luk direnç de çözüm olur.
o seri direnç geyte değil sürücüye fayda sağlasın diye biliyordum.
Hızlı anahtarlama yaparken, geyt kapasitif etkisi nedeniyle kisa devre gibi oluyor,sürücü yanmasın diye seri direnç takılır.
Hayır paralel değil gate'e seri bağlanacak.
O seri direncin iki amacı var.
Birincisi gate voltajının tırmanma hızını düşürmek.
İkincisi gate kapasitesinin seri kaçak endüktanslarla oluşturduğu salınım devresinin salınmasını engellemek. (Kritik sönümleme konusuna bakınız)
Sürücü çipin korunmaya ihtiyacı yok. Sürücüden çekilen akım yükü anahtarlayan mosun on-off geçişlerinde aşırılaşmak ister. Fakat sürücü içindeki moslar buna izin vermez.
sayın hocalar
asıl soruma dönersek
BAT85 gate source arasına okun yönü gate gösterecek şekilde
2 tane seri bağlasam olur mu ? çünkü BAT85 30 V diyor datasheet'te
ikincisi bunu yaparsam seri bağlı diyotların hızı aynı mı kalır yoksa 2 kat yavaşlar mı ?
BAT85 4 nanosaniye diyor - bu durumda 8 ns mi olur yoksa 4 ns olarak kalır mı ?
teşekkür
http://powerelectronicsdesign.blogspot.com.tr/2014/05/mosfet-ve-igbt-surme-teknikleri.html?m=1 (http://powerelectronicsdesign.blogspot.com.tr/2014/05/mosfet-ve-igbt-surme-teknikleri.html?m=1)
Yukardaki konuda zamaninda anlatmistim. Konuyu da inceleyebilirsiniz.
@wolf88 hocam
zaten gate source arası shottky diyot koymak gerektiğini sizin yazınızdan öğrendim
benim sorduğum Türkiye'de BAT85 bulabildim
o da 30 V maximum
ben diyorum ki buraya siz hangi diyodu koyuyorsunuz ? ( Türkiye'de bulunabilen )
BAT85 koysam sorun çıkar mı ?
teşekkür
BAT85 in reverse recovery süresi 4ns, UF4007 nin ise 50 ve 75ns arasında değişiyor. UF4007 schottky olarak geçmiyor, ultrafast plastic rectifier diye geçiyor o yüzden bence BAT85 daha uygun. İkisi de pahalı komponentler değil. Gate de baktığınızda osiloskopta peak olarak ne kadar voltaj görüyorsunuz onu yazmamışsınız. 30V u peak olarak geçmiyor sanırım ki BAT85 bozulmamış. Osiloskoptaki salınımların frekansına ve peak voltajına uygun schottky diode koymanız yeterlidir.
Diyotların paralel bağlanması iç yapıları gereği tavsiye edilmez.
Tekrar ediyorum. Gate Source arasına ters diyod bağlama mantığınız yanlış. Mos"u IR2113 gibi bir çiple sürüyorsun.
@z hocam
güç elektroniğinde pek iyi değilim
baskı devre nasıl olmalı yol endüktansları nedir neye sebep olur pek bilmiyorum
ama osiloskopta gördüğüm şu
300V DC link voltajlı yarım köprünün üst mosfeti açarken alt mosfetin
alt mosfet açarken üst mosfetin gate'inde osilasyon oluyor
bunu önlemek için döküman karıştırırken
wolf88 hocamın dökümanını okuduktan sonra gate source arasına shottky diyot bağladım
tamamen olmasa da osilasyonlar azaldı
IRFP460 mosfet kullanıyorum
osilasyonlar 25 MHz gibi bir frekansa ve yaklaşık 10 V peak değeri var
resim aşağıda - burda diyot yok
http://postimg.cc/image/9s4t8dzvt/ (http://postimg.cc/image/9s4t8dzvt/)
Simdi neye gore baglanmaz? Ir2113 kullanilmasi, baglanamayacagi anlamina gelmez. Biraz daha acik konusursaniz neden baglanamayacagini sanirim herkes anlar. Google a gate source schottky diode yazabilirsiniz. Bu arada osilasyonlarin frekansi cok yuksek. Mobilden girdigimden resmi goremedim.
Gate onune konulan direncte osilasyonu azaltir fakat yaptigim tum yorumlar gate e direnc konuldugu varsayilarak yazilmistir.
Gate ile source arasına ters bir diyod bağlanması anlamsız. Trafo ile gate sürüyor olsanız bir başka sorundan dolayı belki Diyod eklentisi gerekebilir. Fakat bu durumda bile doğrudan gate ile source arasına diyod bağlanmaz.
Fazla mal göz çıkarmaz belki ama anlamsız.
Gate bacağında osilaslyon varsa gate'e direnç bağlanır. Yok bir başka sebeple gate bacağında istenmeyen bir sinyal varsa bunun adı osilasyon olmaz.
Arkadaş üst mos kesime gidince alt mosun gate bacağında bir osilasyon olduğundan bahsetmiş. Tersime alt mos kesime gidince de üst mosda oluşuyormuş.
Akımın kesilmesi esnasında yük tarafında olan olaylar (body diyodlarla yada mos kapasiteleri ile ilgili olaylar). Bunun da engellenmesi sbubber devreleri ile olur. Yani Gate source arasına değil source drain arasına eklenti yapılacak.
Forumda kafanıza göre teoriler üretip milleti yanlış yönlendiremezsiniz.
Vaktiyle ben UPS imalatında çalışırken (amerikada değil) Geytle source arasına 12V zener takıyorduk. Tasarım böyle yapılmış.Sürücüden fazla gerilim gelip yakabilirmis. IGBT olunca 19V zener takılacaktı.
Yoksa saturasyona gidemediği için igbt ısınıp yaniyordu. Belki de yanlış hatırladım.
Zener takma olayı anlaşılır bir şey. Gate delinme voltajına yaklaşmamak için takılır.
Tamam z hocam, ben kendim bi yerlerimden teoriler üretip milleti yanlış yönlendiriyorum. Araştırdığım, gördüğüm yerler ve hatta TI dan almış olduğum mosfet ve igbt sürme teknikleri de yanlış söylüyor o zaman. Arkadaşın görüntüsünü hala göremedim gerçekten osilasyon varmı yok mu bilemiyorum. Fakat gerçekten osilasyon varsa, bahsedilen teknik uygulanabiliyor ve devrelerde de görmüştüm.
Yani sizlere hoca diyoruz, üstad diyoruz saygı gösteriyoruz, böyle çirkin ithamlarla forumlarda yazı yazmak ne kadar doğrudur ? Ne demek kafanıza göre teoriler üretmek ? Laf mı şimdi sizin yazdığınız ?
Tamam kızma. gate ile source arasına ters diyod bağlandığını gördüm dediğin dokumanlara bakalım. Eminimki farklı bir olaydan bahsediliyor.
TI'ın vs uygulamalarını görebilirmiyiz?
iptal
Z hocanin dedigi dogru. Ben kendi blogumda bile entegredeki bipolar transistorleri ters akima korumak icin schottky konulabilir yazmisim. Nasil salaklik yapip gozumden kacirdim bilemedim. Kafada 1500 sey olunca normal sanirim. Fakat osilasyon icin konulan yerleri de gormustum buldugumda elbette koyarim. En azindan onlar ole diyordu. Rgate direnci uygun secilerek osilasyon giderilebilirmi bilemem ama azaltilabilir.
Neyse burda z hoca gibi bilen kisiler olduguna gore benim gibilere de b.k yemek duser sanirim. Kolay gelsin.
Kusura bakma yazı uslübüm biraz hatalı. Bipolar transistörlerde beyz emetör ters kırılma voltajı düşük olduğu için (7v civarı) ters diyod konuyor.
Gate'e verilen ani gate voltajı (darbesi) yada kesilen voltaj daha önce dediğim gibi kaçak hat endüktansı ve gate kapasitörünün oluşturduğu LC devresini çınlatıyor.
Aslında bu frekans çok yüksek (Genellikle 1Mhz den yüksek) ve drain akımını çoğu zaman bu frekansda değişim gösteremiyor. Dolayısı ile aslında doğrudan zararı yok. Fakat gate akımı yüksek olduğu için bu tank devresinden yayılan elektromagnetik yayılım EMI testlerinde cihazınızın çuvallamasına neden olur. (455 Khz civarında olursa zaten büyük sorun)
Bunu engellemenin yolu gate'e direnç bağlamaktır. Günümüz gate sürücüleri o kadar yüksek akım basabilir oldular ki iç dirençleri çok düşük. Bu gate yolu üzerinde istem dışı oluşan RLC devresinin kritik sönüm katsayısı şartı R2 >= 4L/C değerini sağlayamıyor ve sistem salınımlı modda çalışıyor. Gate'e direnç eklendiğinde kritik şart sağlanıyor ve RLC devresi kritik hatta aşırı sönümlü moda geçiyor.
Seri gate direncinin değeri artınca kayıplar artrsa da bu kayıpların bir miktar artmasına göz yumuluyor hatta bu bazen snubber ihtiyacını kaldırabildiği için tercih de edilebiliyor.
Arkadaşın sorunu gate salınımı (osilasyonu) değil. Moslar yalıtıma geçince bir salınım oluşuyormuş ve bunu gate'de görüyormuş.
Snubber problemi gibi görünüyor yada IR2113'un üst sürücüsünün beslemesini sağlayan diyodla ilgili bir yavaşlık sözkonusudur. (Source bacağından gelen voltaj darbesi mosun gate kapasitesi üzerinden sürücü üzerinden sürücünün beslemeye bağlı diyodun (yavaşlığı yüzünden) üzerinden sürücü voltajına aktığı esnada oluşan çınlamadır. Bu esnada devreye seri giren bobinlerin alayı bu olayda frekansı belirler)
-------------------
Ters düştüğüm konu;
Yanlış olduğunu bildiğim bir önerinin bir başka üye tarafından kabul görüp uygulamaya alınmasına neden olmak.
Yoksa yanlışım varsa, bunu gösterirseniz memnun olur, özürümü dilerim.
http://www.intmath.com/differential-equations/8-2nd-order-de-damping-rlc.php (http://www.intmath.com/differential-equations/8-2nd-order-de-damping-rlc.php)