mosfetlerle ilk defa çalışmaya başladım bir kaç gün süren teorik araştırmamdan sonra
n-channel irf 840 mosfet le basit bir kaç şey deniyeyim dedim
vds=3.8 volt vgs=3.8 voltta mosfetten 0.5 amper akım geçiyor ama çok ısınıyor direk bağlantı yaptım çalışmasını öğrenebilmek için zaten vds gerilimini 12 volt yapayım anında çok fazla ısınıyor
hadi rds on direncinden falan gücü üstünde harcıyordur diye düşündüm +uca 12 volt 35 wattlık halojen ampül bağladım gücü ampülde harcasın diye gene aynı ısınıyor
mosfetin maximum değerleri ıd=8a vds=500 volt vgs= 20 volt
niye ısındığını bir türlü anlamadım
Eğer yük direnci kullanmadıysan mosun ısınması çok normal.
Ampul deneyinde Vgs voltajını 12v a cıkarırsan ısınma azalacaktır.
yük direncini nereye bağlıycam 12 volt verdim zaten vgs=4.9 voltta ampul yanıyor bülent hocam
Gate le pic arası 10 ohm at atmassan ısınma oluyor.Ayrıca vgs yi ne kadar düşük verirsen o kadar çok ısınır çünkü rds on direnci vgs ile bağlantılı.
merhaba, Vgs 3.8 voltta mosfet tam iletemediği için ısınması normal.bu mosfetlerde 5 V bile tam sürmeye yetmez.ya sürme voltajını yükselt (UDN 2981 gibi) veya logic L mosfet kullan ozaman mosfet tam sürer ve ısınma olmaz.ileri seviyede mosfet akım gerilim eğrilerini incele (logicL mosfetinkini de). iyi çalışmalar
direk doğru akımla sürmek için logic L mosfet şartmı?
Yük direncini Mosfetin D ucunun üstüne takıyorsunuz. Sanırım 1kΩ yeterli olur. Onun üzerinde de gerilim kaynağı (besleme gerilimi) var.
Bir de Mosfeti hangi amaçla kullandığınız da önemli. Örneğin mantık kapısı olarak kullanıyorsanız.
[jstex]V_{OUT}= \frac {V_S*R_{ON}}{R_L + R_{ON}}[/jstex]
VOUT - Çıkış gerilimi
RON - Geçirgeç açıkken kendi gösterdiği direnç
RL - Yük direnci
VS - Besleme gerilimi
şeklinde. Eğer yükseltici olarak kullanıyorsanız işler biraz daha karışık ;)
Baktığım kadarıyla RON direnci 0.85Ω ve eşik gerilimi 2V. Yalnız VDS verebileceği maksimum çıkış voltajı sanırım (Herhalde besleme gerilimi değildir)
Bir de bu gün sanki eğer daha önce tecrübeniz yoksa Mosfet'leri kullanırken çok dikkatli olun diye bir uyarı okudum. 500 volt az değil :)
her şeyi baştan gözden geçiricem ne yaparsam yapayım ısınıyor
ISINMAYLA İLGİLİ ATLADIĞIM BİR ŞEY VAR AMA NE ONU BULMAM LAZIM
Aynı problemi bende yaşadım. Bendeki neden yetersiz tetiklemeydi. N kanal Fet için yükü fet ile kaynak arasına bağla. Vgs için de fete bağlı olarak değişir tabi ama 5V civarında gerilim vererek test et. Direnç falan bağlama hiç. Sonuçta test. Eğer ısınmazsa sadece pull down direnci eklersin 10k lık.
2 tane BAĞIMSIZ güç kaynağı edin öncelikle,
birisi 12V ta sabit dursun...
Bu sabit güç kaynağının - sini Mosfetin SOURCE pinine
+ sını da GATE pinine bağla...
Deneylerini bu şekilde yapmaya devam et...
logic level mosfetlerde gate ile pic arası direnç koymaya gerek varmı?birde gate voltajı 3.3 volt olursa düzgün çalışırmı?
Alıntı yapılan: carirt - 14 Mayıs 2012, 17:49:51
mosfetlerle ilk defa çalışmaya başladım bir kaç gün süren teorik araştırmamdan sonra
n-channel irf 840 mosfet le basit bir kaç şey deniyeyim dedim
vds=3.8 volt vgs=3.8 voltta mosfetten 0.5 amper akım geçiyor ama çok ısınıyor direk bağlantı yaptım çalışmasını öğrenebilmek için zaten vds gerilimini 12 volt yapayım anında çok fazla ısınıyor
hadi rds on direncinden falan gücü üstünde harcıyordur diye düşündüm +uca 12 volt 35 wattlık halojen ampül bağladım gücü ampülde harcasın diye gene aynı ısınıyor
mosfetin maximum değerleri ıd=8a vds=500 volt vgs= 20 volt
niye ısındığını bir türlü anlamadım
Alıntı yapılan: carirt - 14 Mayıs 2012, 21:50:34
her şeyi baştan gözden geçiricem ne yaparsam yapayım ısınıyor
ISINMAYLA İLGİLİ ATLADIĞIM BİR ŞEY VAR AMA NE ONU BULMAM LAZIM
Yük kullanmadan d-s arasına 3,8V uygulayıp vgs yi de 3,8V yaptığınızda 0,5A geçiyor ise; 3,8V x 0,5A = 1,9W lık güç mosfetiniz üzerinde ısıya dönüşüyor. İşte bunun için ısınıyor.
Tecrübeyle to-220 kılıftaki eleman 1W ve üzeri güç harcıyorsa soğutucusuz kullanmamalısınız diyebilirim. Bir de basit hesaplamalar kullanabilirsiniz. Datasheet bize elemanın termal direnç değerlerini verir. Örnek: 60C/W mosfetin (mevcut kılıfıyla) ortama ısı yayma kabiliyetini (pardon gösterdiği zorluğu) anlatır. Eğer 1W harcarsanız elemanınızın ısısı 60derece artar, 2W harcarsanız 120derece artar.
Soğutucu kullanıcaksak eğer, mosfetin kendi kılıfıyla olan termal direncini kullanırız. (1C/W) Sonra kullanıcağımız, izolatör, macun, soğutucu, fan toplamda ne kadar termal direnç oluşturuyorsa (örn:4C/W) toplam direnci elde ederiz. (5C/W)
Şimdi 2W harcıyorsak 10derece ısı artışı beklemeliyiz. ;)
Yük olduğunda da Vds ve Id değerleri gücü bulmak için yeterli.
Ben yanlış anlamadıysam siz 500V ve 8A gibi yüksek değerlerde çalışabilen bir elemanın bu kadar küçük değerlerde neden (el yakacak kadar) çok ısındığını sormuştunuz.
Umarım fayda sağlıyacak kadar anlatabilmişimdir.
Alıntı yapılan: carirt - 14 Mayıs 2012, 21:50:34
her şeyi baştan gözden geçiricem ne yaparsam yapayım ısınıyor
ISINMAYLA İLGİLİ ATLADIĞIM BİR ŞEY VAR AMA NE ONU BULMAM LAZIM
Yaptığın devrenin şemasını yayımla, problem daha iyi anlaşılır.
Alıntı yapılan: carirt - 14 Mayıs 2012, 17:49:51
mosfetlerle ilk defa çalışmaya başladım bir kaç gün süren teorik araştırmamdan sonra
n-channel irf 840 mosfet le basit bir kaç şey deniyeyim dedim
vds=3.8 volt vgs=3.8 voltta mosfetten 0.5 amper akım geçiyor ama çok ısınıyor direk bağlantı yaptım çalışmasını öğrenebilmek için zaten vds gerilimini 12 volt yapayım anında çok fazla ısınıyor
hadi rds on direncinden falan gücü üstünde harcıyordur diye düşündüm +uca 12 volt 35 wattlık halojen ampül bağladım gücü ampülde harcasın diye gene aynı ısınıyor
mosfetin maximum değerleri ıd=8a vds=500 volt vgs= 20 volt
niye ısındığını bir türlü anlamadım
Devreni ve Şemanı görmeden kısa devre, fet sürüş hatası olup olmadığı anlaşılmıyor ancak Genel bir tanımlama yapmak gerekirse Mosfetler (Özellikle Güç mosfetleri genel olarak) VGS 10V olacak şekilde sürülürler.
Yani şöyle düşünebilirsin; Barajın Vanasını(Gate) tam olarak açtığında(10v) tazzikli su (elektronlar) boru çapı (fetin maksimum akımı) kadar suyu geçirebilir, eğer vanayı yarım açarsan yoğun debili su vanadan geçiş esnasında vananın çeperlerine aşırı yük bindireceklerdir, buda aşınmaya, vananın zorlanmasına (Mosfette ısınmaya) sebep olur.
Genel bir hata ile MosFetlerin gate Thereshold voltajı ile Gate in normal çalışma voltajı (10v) karıştırılıyor. Buna dikkat etmek lazım. O yüzden datasheette yazılan tüm değerler ile nedemek istediklerini anlamak lazım..
Alıntı yapılan: skara1214 - 15 Mayıs 2012, 10:13:30
logic level mosfetlerde gate ile pic arası direnç koymaya gerek varmı?birde gate voltajı 3.3 volt olursa düzgün çalışırmı?
Eğer seri direnç eklersen, üzerindeki kapasite o kadar geç dolar. Böylelikle, daya yavaş iletime sokmuş olursun. Sadece iletime geçme süresi değişir. Eğer DC motor kullanıyorsan Soft start vermiş olursun diğer bir değişle kalkış rampasını daha eğik hale getirirsin.
3.3V Low level TTL'dir. Yani TTL mosfetler iletime geçmeyebilir. Bunu anlamanın en kolay yolu datasheette Gate-Source gerilimine bakmaktır.
Yalnız böyle bir n kanal mosfet kullanırken pull down direnci eklemelisin ki iletimde olan mosfet kesime gidebilsin. Veya sızıntı akımı bir tetikleme yaratmasın. Bunun için de genelde 10K lık bir direnç kullanılır. Yükü N kanalda güç kaynağı ile mosfet arasına bağlamazsan tam iletime geçmeyebilr.
Eğer P kanal kullanıyorsan bu seferde pull up direnci ve gate'i toprağa çekmek için BJT kullanmalısın. Bu mosfette de yük toprakla mosfet arasına bağlanır.
sorunu çözdüm oh be
irf 840 devamlı doğru akımda çalıştırılmak için tasarlanmamış smpslerde veya pwm işlerinde kullanılmak için tasarlanmış devamlı gerilim verdimmi ne yaparsam yapayım ısınıyor 0,5 amperde ısınıyor
ben ısınmasını rds(on) direncine bağladım içindeki n ve p tipi maddeden dolayı oluşan direnç irf 840 rds(on) direnci 0,74 ohm
irfz44n i denemeye karar verdim 4,5 amper akım geçiyor hiç ısınma yok irfz44n rds(on) direnci 17.5megaohm
irfz44n devamlı doğru akım işinde kullanılmaya uygun pwm olarak denemedim rds(on) direnci irf 840 ta daha düşük olduğundan kendini hemen ısıtıyor belki yüksek frekans işleri için gerekli bir özelliktir ben irfz44n kullanmaya karar verdim
biraz irfz44n ile ilgili deneyler yapıcam pwm falan sonuçları paylaşıcam
sorunu çözmüşsünüz ama;
irfz44n i denemeye karar verdim 4,5 amper akım geçiyor hiç ısınma yok irfz44n rds(on) direnci 17.5megaohm
mili ohm olacak. Yani RDSon (IRFZ44N)<RDSon(IRF840) bu nedenle aynı akımda daha az ısınıyor....
Alıntı yapılan: ferit06 - 16 Mayıs 2012, 13:41:20
sorunu çözmüşsünüz ama;
irfz44n i denemeye karar verdim 4,5 amper akım geçiyor hiç ısınma yok irfz44n rds(on) direnci 17.5megaohm
mili ohm olacak. Yani RDSon (IRFZ44N)<RDSon(IRF840) bu nedenle aynı akımda daha az ısınıyor....
anladım ben megaohm düşünmüştüm
Alıntı yapılan: muhendisbey - 16 Mayıs 2012, 10:08:41
Eğer seri direnç eklersen, üzerindeki kapasite o kadar geç dolar. Böylelikle, daya yavaş iletime sokmuş olursun. Sadece iletime geçme süresi değişir. Eğer DC motor kullanıyorsan Soft start vermiş olursun diğer bir değişle kalkış rampasını daha eğik hale getirirsin.
3.3V Low level TTL'dir. Yani TTL mosfetler iletime geçmeyebilir. Bunu anlamanın en kolay yolu datasheette Gate-Source gerilimine bakmaktır.
Yalnız böyle bir n kanal mosfet kullanırken pull down direnci eklemelisin ki iletimde olan mosfet kesime gidebilsin. Veya sızıntı akımı bir tetikleme yaratmasın. Bunun için de genelde 10K lık bir direnç kullanılır. Yükü N kanalda güç kaynağı ile mosfet arasına bağlamazsan tam iletime geçmeyebilr.
Eğer P kanal kullanıyorsan bu seferde pull up direnci ve gate'i toprağa çekmek için BJT kullanmalısın. Bu mosfette de yük toprakla mosfet arasına bağlanır.
mühendisbey 10k lık direncin kullanımı ile ilgili anlattıklarınız için teşekkürler
Rica ederim. Bilgi paylaştıkça çoğalır :)