Mosfet'li bir kristal veya LC osilatör aradım. Fakat hiç sonuç bulamadım ?
Sizlerin bildiği var mı ? Yoksa böyle bir şeyi mosfet'ler le yapmak mantıklı değil mi ?
Hocam ne gibi bir osilatörden bahsediyorsunuz?
bobion + kondansatör (LC) veya quartz kristalli herhangi bir osilatör.
Fet li bolca kullanılır, bazı fetler de enhanced mosfet karakterisyiği gosterir
https://www.google.com.tr/search?q=fet+osc&client=firefox-a&hs=kmm&rls=org.mozilla:tr:official&source=lnms&tbm=isch&sa=X&ei=Dj5oUp62KobI4gThh4H4CA&ved=0CAkQ_AUoAQ&biw=1025&bih=488 (https://www.google.com.tr/search?q=fet+osc&client=firefox-a&hs=kmm&rls=org.mozilla:tr:official&source=lnms&tbm=isch&sa=X&ei=Dj5oUp62KobI4gThh4H4CA&ved=0CAkQ_AUoAQ&biw=1025&bih=488)
(http://1.bp.blogspot.com/-cdJ3rVN0OL0/TnzPnXVt7WI/AAAAAAAAAQg/Bw4H7bQxYOE/s1600/armstrong%2Boscillator%2Bavoided%2Bdesign.png)
Calismiyor demisler ama voltaj yukseltilirse calismasi lazim.
Alıntı yapılan: OG - 24 Ekim 2013, 00:25:32
Fet li bolca kullanılır, bazı fetler de enhanced mosfet karakterisyiği gosterir
Fet'li bolca var. Ama enchanted mosfet'li göremedim. Sormak istediğim özellikle o
@z, teşekkürler ama bu bir blocking osilatör, RC frekansı belirler. Aslında gate devresine hep seri konur.
Mosfet'le kare dalga bile üreten bir LC/Kristal osilatör yapabilirsem benim için gerçekten çok iyi olur.
afsunlu (enchanted) mosfet diye bişey olmadığı için görememen normal. :) yeni bir kelime öğrenmiş olduk bu arada.
barkhausen kriterine göre osilasyonun başlaması için AxB=1 olmalı.
daha açık yazarsak gm x R x B =1 olmalı.
enhanced mosfetler anahtarlama elemanı olarak tasarlandığından gm değerleri fet e göre oldukça büyüktür. dolayısı ile eşitliği sağlamak da zor olacaktır. bu nedenle sistemi osilasyona götürmek pratik olarak mümkün olmayabilir...
Alıntı yapılan: OptimusPrime - 24 Ekim 2013, 03:02:22
afsunlu (enchanted) mosfet diye bişey olmadığı için görememen normal. :) yeni bir kelime öğrenmiş olduk bu arada.
barkhausen kriterine göre osilasyonun başlaması için AxB=1 olmalı.
daha açık yazarsak gm x R x B =1 olmalı.
Barkhausen kriterini yanlış anlamışsınız. "stable
sinusoidal oscillation" için 1 olmalı, birden büyükte olsa gayet güzel olur. Sadece ideal sinusodial olmaz.
Hatta lojik kapılarla yapılan RC/LC/Kristal osilatörlerin hepsi böyle.
Neden mümkün olmasın arkadaşım. Şartlar yerinde oldukça her şekilde osilasyon olur.
https://320volt.com/wp-content/uploads/2013/08/spp34-schematic-12v-5v-2a-stk0460-advanced-power-mosfet-pc817.png (https://320volt.com/wp-content/uploads/2013/08/spp34-schematic-12v-5v-2a-stk0460-advanced-power-mosfet-pc817.png)
https://320volt.com/smps-power-supply-spp34-schematic-12v-5v-2a/ (https://320volt.com/smps-power-supply-spp34-schematic-12v-5v-2a/)
OG, arkadaşın sorununu anladım. Verdiğin şemalarda frekansı gate devresindeki RC belirliyor. Doğrudan bu şemayı öneremezsin.
Verdiğin yapıdaki prensibi kullanarak çok smps yaptım ve sistem üzerinde uğraşırken LC osilasyonu gerçekleştirdiğimi ancak mosfetin çok ısındığını hatırlıyorum. (En basitinden primere paralel kapasitör bağlantısı.)
Müsait bir zamanda Power mos ile LC osilastor çalışması deneyeceğim. Bunun için öncelikle tek power mos ile küçük sinyal amplifikatörü yapmak gerekiyor.
Osilasyon için 2 şart gerekli.
1 den yüksek kazanç.
pozitif geribesleme.
MOSFET ile herhangi osc olamazmı, çok rahat olur. Peki niye bu tip şemalar, uygulamalar yok, sebep şu sanırım.
MOSFET bir güç elemanı. Yanlızca küçük sinyal salınımları üretmek için direk MOSFET kullanmak anlamsız. Küçük sinyal elemanı kullanırsınız olur biter.
MOSFET kullanarak bu işi yapma ihtiyacı nerede doğar, güç süreceği zamanlarda fazladan osc devresi kurmadan yapılacak ucuz çözümlerde.
Fazladan osc devresi kullansaydık ve onunla bir güç sürseydik ne olacaktı, nasıl tasarlanacaktı, MOSFET'in sürüş tarzı değişik düşünülüp tasarlanacağından (switch elemanı yani on-off) daha az ısınacaktı.
Oysa üstteki haliyle MOSFET linear alanda çalışıyor ve boşuna fazladan ısınmaya sebep oluyor. Bu sebeplerle olsa gerek mosfetli osc şemaları yok.
TO92 kilifinda da enhancement mosfetler var.
MOSFET kullanılan osilatör yapılarında BF900 serisi çift gate girişine sahip MOSFETler çok yaygın kullanılmakta, benim karşıma çok çıktı. Bunlar çok küçük kılıfta 4 bacaklı elemanlar. Böyle bir osilatör de yapmıştım. Bir örnek:
http://homepage.eircom.net/~yellowbeard/BF900.pdf (http://homepage.eircom.net/~yellowbeard/BF900.pdf)
Küçük sinyal mosfetleri RF de osilator veya mixer olarak çok kullanılır.
jfet ile fm verici yapardık transistörlü devreden daha kararlı çalışırdı. 6mm çapında 5 veya altı tur 2. turndan uç çıkarılırdı.
(http://n1310.hizliresim.com/1g/s/tvkfs.jpg)
jfet'lerin Fm nodulasyonuda yapabileceğini deneyerek bulmuştum.gate kapasitansının avantaja dönüştürerek 75Khz deviasyon yapılabiliyor.hiç kapasite diyodu kullanmadan.analizörle incelediğimde,FM den çok PM modulasyon öne çıkıyor,fakat alıcı bunu hissedemiyor .discriminator her ikisinide rahatça çözüyor.
Zaten PM ile FM arasındaki temel fark 90 derece donusume uğraması.
BF900 deplacement mod. BF244 ise JFET.
MOSFET dendimi ön ek getirilmezse enhancement mod anlaşılır.
Verdiğiniz şemalar iş görmüyor yani.
Icarus
mutlak değeri 1 den küçük veya eşit olmasın o. barkhausen duysa çok üzülür senin bu yaptığına. ;D
bu arada LC osilatör, kristal osilatör diyorsun arkasından barkhausen a karşı çıkıyorsun. bu durumda kare dalga çıkışlı birşey arıyorsun diye düşünüyorum?
LC veya kristal osilatör denilince akla genelde sinusoidal olanlar gelir. zaten bilenen osilatör tipleri içerisinde (10dan fazla olsa gerek) blocking ve pierce gibi osilatörler dışındakiler sinus çıkış veriler.
OG
mümkün değil demedim, mümkün olmayabilir dedim. ayrıca dikkat ettiysen barkhausen dan bahsediyorum yani sinüs çıkışlılar için konuşuyorum. verdiğin devre zaten sinüs çıkarmıyor.
kare dalga için evet haklısın bu bir osilatör tebrik ederim... ;)
Alıntı yapılan: OptimusPrime - 25 Ekim 2013, 00:39:46
Icarus
mutlak değeri 1 den küçük veya eşit olmasın o. barkhausen duysa çok üzülür senin bu yaptığına. ;D
bu arada LC osilatör, kristal osilatör diyorsun arkasından barkhausen a karşı çıkıyorsun. bu durumda kare dalga çıkışlı birşey arıyorsun diye düşünüyorum?
LC veya kristal osilatör denilince akla genelde sinusoidal olanlar gelir. zaten bilenen osilatör tipleri içerisinde (10dan fazla olsa gerek) blocking ve pierce gibi osilatörler dışındakiler sinus çıkış veriler.
OptimusPrimehiç ilgisi yok, lütfen Google Mühendisliği yapmaya kalkışmayalım.
@Optimusprime
Osilasyon olması için kazancın 1, 5, 10 olması lazım gibi bir şart getirilemez. Çünkü bu sistemden sisteme değişir.
Sistem transfer fonksiyonunu yazarsın. Kutupları imajiner eksene yerleştirirsin. Bu durumda kazancı diğer parametrelere göre formülüze eder ve hesaplarsın.
Google'dan baktım. Barkhausen'ın kararlılık kriteri de zaten söylediğim şartın bir başka şekilde ifadesi.
Barkhause, kazancın 1 olması gerektiğini değil sistemin açık çevrim kazancının 1 olması gerektiğini söylüyor.
z
kazanç şu olmalı bu olmalı demiyorum zaten. |AB|<=1 olmalı diyorum ki bunuda ben değil barkhausen söylüyor. bu denklem sistemin açık çevrim kazancının 1 olması gerektiği anlamına gelmiyor. aksine kapalı çevrim kazancının 1 veya birden küçük olması gerektiğini söylüyor. daha önceki mesajında 1 den yüksek kazanç (hangisi açık mı kapalı mı) ve pozitif geri besleme yeterli demişsin ama senin kriterlerin nyquist ve barkhausen ına göre yeterli olmuyor.
ayrıca bu yöntemlerde kendi başına tam bir çözüm değiller gerekli şartlar sağlansada devre osilasyona gitmeyebilir.
colpitts için böyle bir hesap yapmış ve paylaşmıştım.
http://electronicsfreelancer.wordpress.com/2011/10/10/colpitts-osilator/ (http://electronicsfreelancer.wordpress.com/2011/10/10/colpitts-osilator/)
adresinden bakabilirsin.
burada |AB|>=1 kullandım çünkü barkhausen ın stabil dediği yerde start up için gerekli durum oluşmuyor. fakat start up dan sonra barkhausen kriterini sağlarsan sistemin daha stabil osilasyon yaptığını görebilirsin. zaten literatürde barkhausen kararlılık kriteri ile start up durumu eleştiren bazı makalelerde bulabilirsin.