Picproje Elektronik Sitesi

DİJİTAL & ANALOG ELEKTRONİK => Diğer Analog Devreler => Konuyu başlatan: Eren Eraslan - 25 Kasım 2015, 18:12:47

Başlık: Mosfetlerin Anahtarlanması Hakkında
Gönderen: Eren Eraslan - 25 Kasım 2015, 18:12:47
Merhabalar
Forumda aradım ama tam istediğimi bulamadım. Mosfetlerin iç kapasitansları konusunda birkaç eksiklerim var, en önemli mevzu anahtarlama tabii...
Öncelikle mosfeti anahtarladığımızda Gate-Source ve Drain Source kapasitanslarının etkileri nedir tam olarak? Bu konuyu detaylıca anlamaya çalışıyorum lakin biraz boğuldum
Sonralıkla anahtarlama esnasında neden bir salınım meydana geliyor ve nasıl oluşuyor bu salınım?
Son olarakta aşşağıda resimde görüldüğü gibi mosfet High da iken daha çok salınım yaparken Low da daha düşük yapmakta bunun sebebi nedir

örnek bir resim kullandım , bir marka başka mosfetle karşılaştırmış ama yinede soruma uygun diye düşünüyorum.
(http://powerelectronics.com/site-files/powerelectronics.com/files/archive/powerelectronics.com/images/The-Evolution-of-Power-fig-3-210.jpg)

teşekkürler
Başlık: Ynt: Mosfetlerin Anahtarlanması Hakkında
Gönderen: z - 25 Kasım 2015, 19:06:42
Sürücünün içindeki gate'i süren H ve L  mosların omajları farklı olduğu için salınım genlikleri farklı.

Gate'e seri direnç eklersen o salınımlar yok olur.

Gate source kapasitesi mosun iletim ve kesim sürelerini artırır. Boşalmış bu kapasite doluncaya kadar yük akımı devam eder.

Drain Source kapasitesi kesim süresini çok az artırır.  İletime geçiş anında mosa bir miktar yük bindirir.  Kapasitedeki birikmiş enerji mosda harcanır.
Başlık: Ynt: Mosfetlerin Anahtarlanması Hakkında
Gönderen: Firzen - 25 Kasım 2015, 20:08:31
Alıntı yapılan: z - 25 Kasım 2015, 19:06:42
Sürücünün içindeki gate'i süren H ve L  mosların omajları farklı olduğu için salınım genlikleri farklı.

Gate'e seri direnç eklersen o salınımlar yok olur.

Gate source kapasitesi mosun iletim ve kesim sürelerini artırır. Boşalmış bu kapasite doluncaya kadar yük akımı devam eder.

Drain Source kapasitesi kesim süresini çok az artırır.  İletime geçiş anında mosa bir miktar yük bindirir.  Kapasitedeki birikmiş enerji mosda harcanır.
Ben bile anladım.
Başlık: Ynt: Mosfetlerin Anahtarlanması Hakkında
Gönderen: Eren Eraslan - 26 Kasım 2015, 08:59:40
Bülent abi inişlerde ve çıkışlarda neden salınım oluştuğu kafamda tam oturmadı hala. Ama neden Gate ucuna direnç bağlanması gerektiğini anladım.
Daha basit nasıl izah edilir
Başlık: Ynt: Mosfetlerin Anahtarlanması Hakkında
Gönderen: kaan0 - 26 Kasım 2015, 10:32:45
salınımın sebebinin gate bacağına gelen akımı taşıyan kabloların endüktansı olduğunu sanıyorum. kablo bobin gibi davranıyor, gate'de de kapasite var. bu durumda lc osilasyonu oluşuyor. bu salınımları engellemek için snubber devreleri var.
Başlık: Ynt: Mosfetlerin Anahtarlanması Hakkında
Gönderen: z - 26 Kasım 2015, 11:39:09
Gate kapasitesi ve yol endüktansları seri rezonans devresi oluşturur ve bu tank devresi gate palsleri ile çınlar.
Gate'e seri direnç bağladığınızda oluşan RLC devresi aşırı sönümlü hale geçer ve çınlamalar yok olur.

Web sitemde Seri RLC devresini anlatmıştım. Şu anda her halde sorun var. Link veremiyorum.

Bir başka zaman arama kutusuna Seri RLC vs yazıp aratırsanız ilgili yazımda çınlama durumunda R,L,C arasındaki ilişkiyi anlatmıştım.