Selam;
Bir SMPS projesinde (AC/DC - UC3842) kullandigimiz
Mosfetler arasinda isi farki olusuyor.
Mesela IRF740 ve IRFPC50 trans. arasinda bariz bir sekilde fark var.
Projedeki hicbirseyi degistirmedigim halde (Kaynak gerilimi, Yuk vs...)
fark olusuyor.
Ikisinin ozellikleri birbirine yakin.
Hatta irf740'in anahtarlama ozellikleri daha iyi gorunmesine ve Rds
direncinin daha kucuk olmasina ragmen IRFPC50'ye gore daha fazla isiniyor.
Mantikli bir cevap bulamadim.
Yardimlarinizi bekliyorum.
iki mos-fetin termal dirençleri oldukça farklı, zaten kılıfları da farklı.
ısınıyor dediğiniz mosfetin termal direnci diğerinin neredeyse iki katı, bu durumda ısınma farkı olur tabiki. Soğutucuyu büyütebilirsiniz.
termal direnc ile alakali olan parametre "Junction to Case" degeri mi?
Eger boyleyse haklisin.
Cunku IRF740 1 C/W
IRFPC50 0.65 C/W
Tesekkurler...
ısınmaya sebep rds direncidir...
bazı mosfwetler katalog değerlerini vermiyorlar..
toshiba mosfetlerini öneriririm...
katalog değerlerinden daha iyiler..
birçoğunda zener korumasıda mevcut...
hatta 5 volt uygulamalarında kullanmak için düşük vgs voltajlılarıda var onları öneririm...
benimde bu konuda merak ettiğim birşey var
örneğin IRFP460 bir mosfet kullanıyorum.(IRFP460 N-FET 500V 25A 410W OE27)
1. durum Vds=300V Ids=1A Vgs=13V
2. durum Vds=15V Ids=20A Vgs=13V
moset üzerinden çekilen güç iki durumdada aynı
bu şartlar altında her iki durumda da ısınma aynı orandamı olacaktır.
Bu toshibanın mosfetlerini merak ettim 5v. Vgs çok iyi olur.
2sk2232 n kanal logic gate drive rds=0,036 ohm 60v
2sk2662 n kanal logic gate drive rds=1,35 ohm 500v
2sk2314 n kanal logic gate drive rds=0,066 ohm 100v
2sj380 p kanal logic gate drive rds=0,15 ohm 100v
2sj349 p kanal logic gate drive rds=0.033 ohm 60v
2sj334 p kanal logic gate drive rds=0,029 ohm 60v
(hepside 4 volt gate drive ayrıca gate zener korumalı)
4v dediğine bakmayın eğer daha yüksek voltajla sürebilirseniz rds dahada düşüyor...vgs 20 volta kadar sürülebiliyor...zener koruması var
hepsi to220, bazıları izolasyonlu.....
@mmengi ...
her iki durumda ısınma teorik olarak aynı gibi görünmesine rağmen pratikte yüksek voltajlı örnekte daha fazla ısınma oluşur...
sebebi: yükselme ve düşme sürelerinde switch prensibi devredışı olacaktır...
Switch prensibi şudur..
-- "max voltaj x sıfır akım veya max akım x sıfır voltaj"
tabiki Ids akımı belki sıfıra düşebilir fakat Vds voltajı rds direncinden dolayı sıfır volta düşmez...
yükselme ve alçalma sürelerinde ise bu olay (switch prensibi) tam gerçekleşemez..
ton ve toff süreleri boyunca [Pdrain=belirli bir akım x belirli bir voltaj ]güç kaybı ve ısınma oluşacaktır...
Elbette 300 volta tırmanma ve düşme süresi daha uzun olacağı için ısınma 300 volt uygulamasında daha fazla olacaktır...
Evet haklı olabilirsin yükselme ve düşme sürelerini göz önünde bulundurmak gerek. verdiğim örneklerde Rds=0.023 Ohm olarak alırsak
1.durum Ids*Ids*Rds --> 1*1*0.023=0.023 watt kayıp
2.durum Ids*Ids*Rds --> 20*20*0.023=9.2 watt kayıp
buna göre 2.durumda ısınma daha fazla olur gibi ama senin dediğin buna ne kadar etki eder bilemiyorum.
Bu arada bu 2SK2232 ilgimi çekti Acil olarak bulmam gerekiyor istanbulda perakende olarak bulabileceğim bir yer biliyormusun.
bende 2sk2314 ve 2sj380 var.. bunları farnell den almıştım..
çalışma voltajı 24v 300watt olan bir devrede birkaç çeşit mosfet kullandım değerler aşağıda en az ısınandan en fazla ısınana doğru yazdım.
irfz44 800 bin tl. TO220
irf3710 3$ TO220
2sk 2806 Bilmiyorum smps den söktüm ttl uyumlu gate TO220
60n06 3$ TO220
2sk1382 3$ ttl uyumlu gate toshiba TO-3P(L)
çok ilginç ama 800tl lik irfz44 hepsinden daha iyi ,az ısınıyor.Üstelik rds sirencide çok düşük değil.
bir mosfet rds si ne kadar düşük se , ton ve toff süreleri ne kadar kısa ise okadar az ısınır...
Ancak mosfeti iyi sürmek şartı ile..
Mosfetlerin gate leri kapasitör gibi davranır.. bilhassa ttl logic mosfetlerde kapasite daha yüksektir..
Mosfeti sürmek için en iyi yol bir mosfet driver kullanmaktır..
Ancak eğer mosfet driver kullanmak istemiyorsan, tranzistörlü bir devre de kullanabilirsin..BU drumda sana bc639 ve bc640 tranzistörlerini öneririm...Bu tranzistörlerin beyz ve emiterlerini birleştirip iyi , hızlı bir akım amfikatörü yapabilirsin..bununla da mosfeti sürebilirsin gate e bağlayacağın direnç 33 ohmu geçmesin..
Alıntı yapılan: "mmengi"çalışma voltajı 24v 300watt olan bir devrede birkaç çeşit mosfet kullandım değerler aşağıda en az ısınandan en fazla ısınana doğru yazdım.
irfz44 800 bin tl. TO220
irf3710 3$ TO220
2sk 2806 Bilmiyorum smps den söktüm ttl uyumlu gate TO220
60n06 3$ TO220
2sk1382 3$ ttl uyumlu gate toshiba TO-3P(L)
çok ilginç ama 800tl lik irfz44 hepsinden daha iyi ,az ısınıyor.Üstelik rds sirencide çok düşük değil.
Acaba nereden IRFZ44 aldin? Benim baktigim sitelerde fiyati daha yuksek gosteriliyor.
Ornegin:
http://www.gotronic.fr/catalog/actif/actifframe.php?page_cible=trans3.htmsitesinde 1.75 Â fiyatinda.
Ayrica Rds = 17.5m OHM degerinde. Bu deger dusuk bir deger değil mi?
Esasinda Bu mosfet benim istedigim amper degerlerinden (max= 6A yeter) kat kat yuksek ama soyledigin fiyattansa gercekten cok guzel olur.
sevgili dostum IRFZ gerçekten güzel fiyatıda dediğim gibi paran varsa 3$ a IRF3205 var onun değerleri daha iyi ben 24 voltta 350 watt ı çok ufak bir soğutucu ile besledim.
TO220
Vds=55volt
Ids=110 amper
Rds=0.008 ohm
arkadaşlar bahsi geçen gate i 5v ttl uyumlu mosfetler kesinlikle pic tarafından direk olarak sürülmemeli zira bu fetlerin gate kapasiteleri inanılmayacak kadar yüksek ve çok hızlı bir drive ile sürülmeli. geçen böyle bir n kanal feti ölçü aleti ile ölçüyorum drain probun + sını source - sini verdim drain ile gate i bir an birleştirip iletime soktum feti gate i boşa almama ramen fet hala iletimdeydi probların hepsini fetten ayırdım ve 1 dakika sonra probları tekrar drain ve source arasına bağladığımda fet hala iletimdeydi. Ama bu dediklerim gate i 10 V olan normal mosfetlerde olmuyor.Demekki ne kadar büyük bir kapasite varki feti iletimde tutuyor.
Bu arada sevgili bunalmış hocanın çizdiği ve sizlerle paylaşmak istediğim noninverting ve inverting drive aşağıda.
(https://www.picproje.org/ezupload/files/noninverting.jpg)
(https://www.picproje.org/ezupload/files/inverting.jpg)
Erol surme seklin puspul mu acaba ?
Mosfeti iletime soktun ve kesime soktuğun zaman giriş kapasitesinden dolayı tranzistor hala iletimde kalmayı devam eder bu yüzden tranzistorde ısınmaya neden olan sebeplerdendir bu yuzden du degeri hızlı bir şekilde boşaltacak bir duzenek olusturarak sürmelesin..
cikisi 10 ohm ile 3842 veriyor.
Sanirim sorunun cevabini msehirlioglu verdi.
Tesekkurler.
http://www.süpertex.com/pdf/datasheets/HV9906.pdf adresinde page 10'a bakın, adamın aklına güzel bir yöntem ile sürme fikri gelmiş.
hocam güzel bir teknik.HV9906 nın yeteri kadar gate akımı verebildiğini ve yeterince hızlı olduğunu düşünürsek güzel.Ama aynı mantığı pic e uygulamak aynı sonucu doğurmayabilir.Gate şarj sırasında, gate kapasitesine göre anlık 80-90mA. leri bulan akımlar çekiyor.bunu direk olarak pic ile sürmek hoş olmayabilir.Gate ile Source arasındaki Tr, gate i deşarj etmek için kullanılmış.
Üstat, R10'u uygun bir değerde seçersek pic'den aşırı akım çekmeyi önleriz sanırım (pic çıkışı H için). Çıkış L olduğunda da zaten baz-collector girişi (ortak collector) kullanılmış yani çok yüksek empedans gösterir.
Ne dersiniz?
hocam eğer gerekli şarj akımı direnç ile kısılmaya çalışılırsa bu sefer gate kapasitesinin şarjı sırasında uygulanan puls in yükselme süresi artacağından iyi bir sürme gerçekleşemez ve ısınmalar olmaya başlar diye düşünüyorum.
Güzel bir mosfet daha;
Philips'den PHP125N06
http://www.semiconductors.philips.com/acrobat/datasheets/PHP125N06LT_4.pdf
VDSS = 55 V
ID = 75 A
RDS(ON) < 8 mohm (VGS = 5 V)
RDS(ON) < 7 mohm (VGS = 10 V)
(http://f3.grp.yahoofs.com/v1/AC8XQf8B5rE3hPldK_mCelx91KipRPjsJtpuNEUy9Ki74Rzp1mAHQAMEGnRpFXhNZH2Tx4Of4Yby6dYOPg0vmu8DvkCA/kesmez/mosdrv.GIF)
http://f3.grp.yahoofs.com/v1/AC8XQf8B5rE3hPldK_mCelx91KipRPjsJtpuNEUy9Ki74Rzp1mAHQAMEGnRpFXhNZH2Tx4Of4Yby6dYOPg0vmu8DvkCA/kesmez/mosdrv.GIF
bu devre t1 gibi npn bir tranzistör ile mosfet sürmek içindir. tranzistörler switch olmalı bc639 ve bc640 öneririm.. bc337 ve bc327 bu işe tam uygun değil..
PHP/PHB191NQ06LT
VDSS = 55 V
ID = 75 A
RDS(ON) 3.1 mohm (VGS = 5 V)
RDS(ON) 3.5 mohm (VGS = 10 V)
bulabileceğimiz bir yer varmıdır acaba ?
piyasada senin yaptıgın türde 3842 kulanılan beslemeleri çok tamir ettim
birde (buz 90) ı denemeni tavsiye ederim af plastik kılıf gücü za yıftır sen metal kılıfını kullanırsan ii olur
Daha önce ttl girişli mosfetleri direk pic ile sürmekte deredütlerim vardı ama PHP125N06 la 5V gate voltajı ile yaptığım testlerde gerçekten ikna oldum.pic in pwm portundan 220ohm bir direnç ile gate direk girdim ve yaptığım ölçümlerde yükselme ve düşme süreleri gerçekten çok iyi diyebilirim.Bu değerler, bunalmış ustanın ve benim yaptığım tr li 10v gate driver larından bile daha iyi.
Üstat bu güzel haber işte.
Mmengi sürücünün davranışından hoşlanmazsan 2N2222A kullanmanı önermiştim. Yanlış hatırlamıyorsam BC3XX yada 5xx serisi ile yaptın.
2N2222A ile yapılan sürücüden dahamı iyi anahtarlıyor? Tabiki hızlı anahtarlamadan bahsediyorum.
Çünkü bu transistörü 10Mhz anahtarlamasında bile sorunsuz kullanıyorum.
Sürücüde problem olmasından değil de sürücüyü bütünüyle kaldırabilmenin çaresini arıyorduk. PIC'den direk mosfete. Endüktif olmayan yükler için PIC'in zarar görmesi de mümkün görünmüyor (sürücüsüz bağlantıda).