(https://i.resimyukle.xyz/fId40z.jpg)
Bu devre hakkinda ne dusunuyorsunuz?
Not:Calisan bir urunun (asiri da pahali) giris katinin devre semasindan alinmistir.
- Semayi goremeyenler icin https://i.resimyukle.xyz/fId40z.jpg
Alıntı yapılan: OptimusPrime - 09 Nisan 2018, 19:27:59(https://i.resimyukle.xyz/fId40z.jpg)
Bu devre hakkinda ne dusunuyorsunuz?
Not:Calisan bir urunun (asiri da pahali) giris katinin devre semasindan alinmistir.
hocam bağlantı veya resim yok post ta, veya ben göremiyorum.
edit: alıntı yaptıktan sonra resim geldi.
Ters voltajda mosfet normalde negatif hatti kesiyor. Guzel tasarim.
Mosun body diyodu nerede?
Yok yok bu diyod sorun degilmis.
Mosun diyodu var. Kendisi IRF8736
Hocam ortada devre yok...ben de mi problem var acaba..
Not: Enteresan bir şekilde mesajdan sonra şema ortaya çıktı.
5,6,7,8 ve 1,2,3 nedir ?
Alıntı yapılan: एक होना - 10 Nisan 2018, 03:43:455,6,7,8 ve 1,2,3 nedir ?
SOIC-8 Kılıfta ki Mosfet yapılarında 1,2,3 ve 5,6,7,8 no lu pin leri birbirine kısa devre yapıda dır.
Ters gerilime karşı korumayı pozitif taraftanda yapabilirsiniz.
(https://hackadaycom.files.wordpress.com/2011/12/p-fet-reverse-voltage-protection1-e1416351493179.png?w=470)
Bir devrenin girişine koyulan ters koruma diyotundan bir fakrı yok.
Fark,İletimdeki Mosfetin İç direncinin mOhm seviyelerine inmesi,dolayısı ile az kayıpla
işi halletmişler.
Body Diyotu olmasa daha güzel olurdu.Kısadevre koruması yapılabilinirdi.
GND yerine (+) tarafın kontrol edilmesi
tarafındayım. Zira aynı beslemeden farklı
cihazlar beslenmesi ve bu cihazların mos
sonrası GND lerinin birleşme durumunda
mos üzerinde düşen gerilim farkı kadar
GND ler arasında fark oluşacaktır.
P-Ch ile kontrol edersek daha iyi olacak.
Bu tip devrelerde benim hosuma gitmeyen sey: mosfet in icindeki diyodun aktif olarak kullanilmasi. Mesela verdigim devrede gate beslemesi aslinda dahili diyot uzerinden yapiliyor. Tabi bu besleme yapilirkende cikis kapasitesinin ilk anki akimi bu diyot uzerinden akiyor. Bu kargasadan her zaman sag cikamayabilir bu arkadas.
Ikincisi ise devrenin negatif tarafdan kesilmesi.
Diger bir durum ise N kanal mosun kanal akiminin ters tarafa akmasi (source dan drain e). Pek mantikli gelmiyor bu durum bana. Hicbir kaynakda da boyle bir kullanimla karsilasmadim.
http://tinyurl.com/yaxbmhep
@mehmet ;) Simulasyonda ve pratikde calisiyor buna bir deyecegim yok ama bu sekilde bir baglanti seklini (akimin kanaldan ters yonde akmasini) ne bir uygulama notunda gordum nede bir kitapta.
Çizdiğime bakmayın. Benim tercihim
sigorta ve ters diyot.
Alıntı yapılan: mehmet - 10 Nisan 2018, 20:40:09Çizdiğime bakmayın. Benim tercihim
sigorta ve ters diyot.
Yüksek akımlı geçiş diyotları kullanmak zorunda kaldığımızda aşırı ısınma güç kaybı söz konusu olunca iş gene mosfete kalıyoz azizim 50 100 amperde diyodun halini düşünsenize :D
50 amper diyot için
https://img.ozdisan.com/ETicaret_Dosya/15027_2881118.pdf (https://img.ozdisan.com/ETicaret_Dosya/15027_2881118.pdf)
1.1volt*50 amper = 55 watt eder üzerine düşen yük.
Power MOSFET
100 Amps, 100 Volts MTY100N10E
mos ise 0.011 ohm olsa
50*50*0.011=27.5 watt
kaldıki daha düşük dirence sahip moslarda war.
Alıntı yapılan: mehmet - 10 Nisan 2018, 14:56:28GND yerine (+) tarafın kontrol edilmesi
tarafındayım. Zira aynı beslemeden farklı
cihazlar beslenmesi ve bu cihazların mos
sonrası GND lerinin birleşme durumunda
mos üzerinde düşen gerilim farkı kadar
GND ler arasında fark oluşacaktır.
P-Ch ile kontrol edersek daha iyi olacak.
Evet bu önemli konu, bazı devreler için hasar verici olabilir.
N tipinin seçilmesine sebep, yüksek akımlı mosfetlerde N kanalın ucuz olması ve daha çok çeşitde bulunması olsa gerek.
Alıntı yapılan: OptimusPrime - 10 Nisan 2018, 19:52:13Bu tip devrelerde benim hosuma gitmeyen sey: mosfet in icindeki diyodun aktif olarak kullanilmasi. Mesela verdigim devrede gate beslemesi aslinda dahili diyot uzerinden yapiliyor. Tabi bu besleme yapilirkende cikis kapasitesinin ilk anki akimi bu diyot uzerinden akiyor. Bu kargasadan her zaman sag cikamayabilir bu arkadas.
Ikincisi ise devrenin negatif tarafdan kesilmesi.
Diger bir durum ise N kanal mosun kanal akiminin ters tarafa akmasi (source dan drain e). Pek mantikli gelmiyor bu durum bana. Hicbir kaynakda da boyle bir kullanimla karsilasmadim.
1) Datasheet'e bakarsan o diyot için continuous 3.1A akım akıtabilir diyor. Anlık olarakta 144A.
O diyotu bozmak oldukça zor. Çünkü doğru polarizede mosfet anında(datasheetten yuvarlayıp 30ns diyelim) iletime geçeceğinden bozmak için 144 Amper'i referens almak gerekir.
2) google'da battery reverse protection diye aratırsan mosfet üreticilerinin tasarım dökümanlarına ulaşabilirsin.
Yani bu tür tasarımlar, battery'li uygulamalarda çok kullanılır.
N-ch ve P-ch'dan bahsedenler için
N-ch mosfet kullanılmasının sebebi, n-ch mosfetlerin D-S direnci p-ch'a göre daha düşüktür, bu devreyi kullanan adamlar için, voltaj kaybı kaybı önemli olduğu için bu yapıyı kullanmışlar.
@CLR 1) Ters yonde 3.1A/144A. Fakat ileri yondede fena degilmis 14.4A diyor.
2) http://www.ti.com/jp/lit/an/slva139/slva139.pdf Simdi icim rahatladi. Kanal akimi ters akiyor ti in uygulama notunda.