10 taneye yakın IRFP4227 ve IRFB4227 yanmasının sebebinden sonra şemalara bakıp karşılaştırma yaptığımda gate direnci PDP Yeni nesil mosfetlere göre çok düşük.. İç dirençleri 21mili ohm civarlarında olan mosfetler bunlar.. Power Mosfetler 50 mili ohm - 80 mili ohm kullandıklarım. Irfp250 mesela..
Gate direnci 100 ohm ama çalışıyor problem olmuyor. Fakat gate direnci 100 ohm IRFP4227 vE Irfb4227 ye bağlı olunca yanıyor.. Bu gate direncini neye göre sınırlandırıyoruz ? Gate Threshold seviyesine göremi ? Yada ölü zamandaki değere göremi ? Bunu anlamak istiyorum..
(https://i.ibb.co/NSNVMsL/900-W-CLASS-D-POWER-AMPLIFIER-CIRCUIT.jpg) (https://ibb.co/NSNVMsL)
GATE direnci cok düsük secilirse anahtarlama kayiplari artmakta iken cok yuksek secilirse MOSFET turn on ve off zamanlari yukselmekte. Muhtemelen ölü-zaman araligina denk geliyor mosfet acma-kapama süreleri. 33 Ohm ile deneyebilir misiniz!?
22 ohm takacağım. Anahtarlama kayıpları vede açılma kapanma süresi için 100 ohm bu değerlerden yüksek frekansta hiç göremedim.Bu alet 1 MHz leree yakın comperator olarak ses frekansını çevirerek çaloşıyor.
MOS Transistörlerde Ölü zaman bölgesi üzerinde gate direncinin etkisi yoktur.
Gate direncini yüksek omajda ayarlarsanız gate şarj süresi uzar. Anahtarlama Pulsleri lineer bölgede çalıştığından Mos Üzerine yüksek güç düşer ve aşırı ısı oluşur. Transistör Yanma sebeplerini buna bağlayabilirsiniz.
Aşırı düşük direnç ile gate sürmeye kalkarsanız buzefer her anahtarlama sonrasında yüksek miktarda yüksek frekansta anahtarlama salınımları ortaya çıkar. Aşırıya kaçarsa gene Transistörlerin yanmasına sebep olurlar.
(https://i.ibb.co/JpnwtF8/resim.png) (https://ibb.co/JpnwtF8)
Üstten ikinci satırdaki grafikler gate direncine göre değişenleri gösterir.
Bu seviyeyi korumak için bu direnci tam oturtmak gerekli. Çünkü , Gate Source gate sinyali boşta iken gate source arasına direnç konuluyor.. Acaba D class larda neden yok ?
Alıntı yapılan: rayman - 31 Temmuz 2019, 16:20:53Bu seviyeyi korumak için bu direnci tam oturtmak gerekli. Çünkü , Gate Source gate sinyali boşta iken gate source arasına direnç konuluyor.. Acaba D class larda neden yok ?
MOS gate leri boşta bırakıldığında ne tarafa kayacağı belli olmadığından fecaatlere yolaçar.
anfilerde BJT ler o polariteyi sağladığından Gate deşarj direnci gerekmeyebilir.
D class larda bu direnç yok. O yüzden yanıyor