Arkadaşlar merhaba,
Bir transistör sürerken base, emiter ve kollektör dirençlerini nasıl hesaplarsınız.
Transistör sürme konusunda önerileriniz, tecrübeleriniz nelerdir.?
katana sorunu daha açık yazabilirmisin ?
http://www.bcae1.com/transres.htm ayrıntılı bilgi var.
mesela NPN bir transistörle bir yükü anahtarlayağız (led, röle vs.)
örneğin
yük akımı : 100mA
transistör kazancı : 400
beyz voltajı : 5V
beyz-emiter voltajı : 0.7V olsun
bu durumda anahtarlama için 100mA / 400 = 0.25mA yeterlidir. Beyzden 0.25mA geçirmek için ise beyze (5V - 0.7V) / 0.25mA = 17.2Kohm bağlamak gerekir...
ama ben atıyorum oraya elimde ne varsa 1K...4K7 arası birşey okadar
tabii bu yazdıklarım basit anahtarlama için anfi gibi geribeslemeli filan uygulamaları bilmiyorum
Alıntı yapılan: "GreeN"http://www.bcae1.com/transres.htm ayrıntılı bilgi var.
Merhaba.
Teşekkürler @GreeN çok hoş animasyonlu anlatımlar var. dier konular da güzel. Keşke türkçe olsaydı da herkes yararlansa...
Cevaplarınız için teşekkür ederim arkadaşlar.Sevgili Green gerçekten çok hoş bir link.Kesinlikle incelemeye değer.
Benim istediğim cevaplar Sevgili Caffeine' nin ki gibi cevaplar, farzedin ki elektroniğe yeni başlamış birisiyim ve devre tasarlamak istiyorum.Transistörle (örneğin bir lcd nin back lightını) sürmem gerekli, pic çıkışına nasıl bir bağlantı yapmalı, kaç tane transistör kullanmam gerekli, kullanacağım dirençler nasıl hesaplanmalı,
NPN>NPN mi
NPN>PNP mi
PNP>PNP mi
PNP>NPN mi sürmeli,neden?
dirençlerin güçleri ne olmalı...
Aklıma gelmişken eklemek istedim.Hocamın vermiş olduğu pratik bir bilgi.(saygıyla anarım kendilerini)
Transistörler için normal koşullarda ortadaki harf Base ve Collector polarmalarını verir.
NPN Ortadaki harfimiz P yani pozitif.
Base : +
collector : +
Emitter : -
(http://img255.echo.cx/img255/8632/image20fa.th.jpg) (http://img255.echo.cx/my.php?image=image20fa.jpg)
basit anahtarlama işleri için yukarıdaki bağlantılar işini görecektir. transistörleri butonla değilde pic veya lojik seviyelerle süreceksen R3 ve R4 dirençlerini koymana gerek yok bu dirençler transistörlerin beyzinin boşta kalmaması için bu dirençleri koymayıp yukarıdaki gibi bir uygulamada parmağını beyze dokundurursan üzerindeki parazitten dolayı transistör iletime geçebilir ve lamba yanar yani transistörlerin istem dışı iletime geçmemesi için gerekiyorlar.
Çoğu durumda transistörleri anahtarlayacağın yükün çekeceği akıma göre seçmen yeterlidir mesela 1A yük anahtarlayacaksan garanti olsun diye 2 veya 3A bir transistör seçmen iyi olur ve böyle yüksek akımları anahtarlayacaksan transistöre soğutucu takman çok iyi olur. Fakat led, küçük röleler, lambalar, LCD ışıkları gibi işler için BC337 gibi transistörler işini fazlasıyla görür.
Ben genelde bu gibi işler için BC337 yi kullanıyorum NPN polarma gözüme ve elime daha yatkın geliyor.
Bir soru; resimdeki L1 ve L2 den hangisi daha parlak/verimli yanar ?
Resimdeki devrelerde polarma kuralları hiç göz önüne alınmamıştır. Transistörlerin B-E bölgesine yaklaşık 10,9V. düşer ki bu değerde çok yüksektir. Si. tip transistörde b-e arasındaki gerilim settini aşmak dolayısıyla tr. iletime sokmak için 0,6-0,7V. gerekir. Transistörü anahtar olarak kullanmak için Ic>=B.Ib alırsak tr. doyumda çalışır.
Aster hocam.. Soruna yanıt olarak ben tr. diyorum..
peki B-E bölgesine 0.7V düşürmek için nasıl bir bağlantı yapmamız gerekir?
bu arada doysun gariban transistörcükler aç kalmasınlar :)
Çok güzel, iyi gidiyoruz arkadaşlar. :D
Alıntı yapılan: "caffeine"peki B-E bölgesine 0.7V düşürmek için nasıl bir bağlantı yapmamız gerekir?
bu arada doysun gariban transistörcükler aç kalmasınlar :)
Bağlantı da bir problem yok.. Gerilim bölücü hesabından haberin var ise
bu hesap ile yapabilirsin, eğer yok ise bir sonraki mesaj da onuda açıklarım..
Alıntı yapılan: "katana"Cevaplarınız için teşekkür ederim arkadaşlar.Sevgili Green gerçekten çok hoş bir link.Kesinlikle incelemeye değer.
Benim istediğim cevaplar Sevgili Caffeine' nin ki gibi cevaplar, farzedin ki elektroniğe yeni başlamış birisiyim ve devre tasarlamak istiyorum.Transistörle (örneğin bir lcd nin back lightını) sürmem gerekli, pic çıkışına nasıl bir bağlantı yapmalı, kaç tane transistör kullanmam gerekli, kullanacağım dirençler nasıl hesaplanmalı,
NPN>NPN mi
NPN>PNP mi
PNP>PNP mi
PNP>NPN mi sürmeli,neden?
dirençlerin güçleri ne olmalı...
Dostum eğer bir PIC ile bir led sürüyorsan transistore gerek bile yoktur.
Anlatmak istediğim şu, eğer PIC e bağladığın yük 20mA 'i geçiyorsa transistor kullan.Tek transistorü bir noktaya kadar kullanabilirsin.Yük direnci düşük bir değere sahipse transistörü doyuma ulaştırmak için Rb direncini düşürmen gerekir.Ib akımı artacaktır.20mA kadar artırabilirsin. Bu Noktadan sonra 2 transistor kullan.
(Yükün direnci ve transistorün çeşidi (bc237 2n2222) etkilidir)
2 Transistor kullanırken npn pnp fark etmez.Bütün Olay direnç değerlerini doğru seçmek ve yükün çektiği akım göz önünde bulundurarak doğru transistoru seçmekten geçer.Ama genelde
(anahtarlama pozitif sinyal ise) NPN PNP
(anahtarlama negatif sinyal ise) PNP NPN bağlamanı tavsiye ederim.
Hesaplama;(Ortak emiter)
Vbb=5v (PIC port çıkışı)
Vcc=12v (bir lamba için besleme gerilimi)
Vbe=0.7v (transistor kataloğundan)
B=100(beta akım kazancı)
RL=100 ohm (Lambanın direnci)
Rb direncini hesaplayalım.Yük üzerinde (transistor ideal) 12v düşsün;
ic=12/100 =0.12 A
ib=ic/B=1.2mA
Rb=(Vbb-Vbe)/İb=3583 ohm çıkar.
Alıntı yapılan: "dr_f"Soruna yanıt olarak ben tr. diyorum..
cevabınızdan bir anlam çıkartamadım ?
tekrar sorayim yukarıdaki resimde bulunan devredeki L1 ve L2 lambalarından hangisi daha parlak yanar ?
Alıntı yapılan: "dr_f"Bağlantı da bir problem yok.. Gerilim bölücü hesabından haberin var ise
bu hesap ile yapabilirsin, eğer yok ise bir sonraki mesaj da onuda açıklarım..
benim bildiğim hesap ilk mesajımdaki gibi bir hesap, green arkadaşınkide aynı hesap sanıyorum
bahsettiğin gerilim bölücü hesabını yazabilirmisin? basit bir konu gibi görünüyor bu transistör polarması ama bilmediğimiz birşey varsa öğrenmek isterim gerçekten
Alıntı yapılan: "aster"cevabınızdan bir anlam çıkartamadım ?
Tr. lerin bozulması anlamına gelen bir cevap yazdım ama..
Bir transistörün anahtar olarak kullanılması demek kesim ve doyum bölgesinde demektir. Bunun içinde Ic>=Beta.Ib olmalıdır. Ib değerini hesaplar iken Ib=(Vcc-0,7)/Rb formülü kullanılır. Bu formülde 0,7V olarak aldığımız değer transistörün Vbe değeridir. Devrede R3 ve R4 dirençleri Vbe polarmasını sağlayan dirençler ise bu dirençlerin uçlarındaki gerilimler baz polarmasını sağlıyor ise VR3= 12*10K/(1K+10K) =10,9V olmaktadır.
Eğer burada tr. anahtar olarak kullanılmak için bir hesap yapılması gerekiyor ise bağlantılarda ki baz dirençleri uçlarındaki gerilimler fazladır.
Yukarıdaki hesapların yanlışlığı diye bir durum yok.. Fakat baz dirençlerinin seçimindeki yanlışlığı göz önüne getirmek istedim..
Şayet bu yazdıklarımda bir hata var ise onu da belirtirseniz sevinirim..
Arkadaşlar sadece base konusuna takıldık ki oda muallakta kaldı. Peki emitter ve collector konusunda ne yapmalıyım.
SAdece direnç değil bazı devrelerde görüyorum.Collectorden base' e ve bazen de emitterden base bir kapasite konuluyor.Neden?
tabi sırasıyla gidelim.
Mesela benim de kafama takıldı. O iki lambadan hangisi daha iyi sonuç verir Üstad.
Alıntı yapılan: "aster"Bir soru; resimdeki L1 ve L2 den hangisi daha parlak/verimli yanar ?
Bence ikiside aynı.Akım Kazançları ve polarma gerilimleri aynı.
Alıntı yapılan: "katana"Collectorden base' e ve bazen de emitterden base bir kapasite konuluyor.Neden?
Dostum transistörlerin AC yönünden incelenmesine girdik.Şunu bir hallettik mi?
Alıntı yapılan: "dr_f"Bir transistörün anahtar olarak kullanılması demek kesim ve doyum bölgesinde demektir. Bunun içinde Ic>=Beta.Ib olmalıdır. Ib değerini hesaplar iken Ib=(Vcc-0,7)/Rb formülü kullanılır. Bu formülde 0,7V olarak aldığımız değer transistörün Vbe değeridir. Devrede R3 ve R4 dirençleri Vbe polarmasını sağlayan dirençler ise bu dirençlerin uçlarındaki gerilimler baz polarmasını sağlıyor ise VR3= 12*10K/(1K+10K) =10,9V olmaktadır.
Eğer burada tr. anahtar olarak kullanılmak için bir hesap yapılması gerekiyor ise bağlantılarda ki baz dirençleri uçlarındaki gerilimler fazladır.
Yukarıdaki hesapların yanlışlığı diye bir durum yok.. Fakat baz dirençlerinin seçimindeki yanlışlığı göz önüne getirmek istedim..
Şayet bu yazdıklarımda bir hata var ise onu da belirtirseniz sevinirim..
Dostum mantık olarak doğru gibi ama yanlış.Transistorün BE giriş empedansını unuttun.
Alıntı yapılan: "katana"tabi sırasıyla gidelim.
;)
Sayın GreeN, transiströrün be giriş empedansı diyorsunda biz şu anda dc analiz yapıyoruz. Giriş empedansını hesaba kattığımızda ac sinyal analizine girmiş olacağız.. Zira transistörün hie parametresi olarak anılan giriş empedansı transistör modellemelerinde karşımıza çıkar ki bu hesaplamalar ile baz dirençler ile birlikte Zi, Zo, Av gibi değerlerde hesaplanır.. Dolayısıyla bir transistörün anahtar olarak kullanılması mevzusunda giriş empedansını göz önüne almaya gerek yok. Transistörün b-e bölgesi bir diyot gibi ise ve diyot iletimi 0,5-0,7V arasında değişiyor ise transistörün tam sürülmesi b-e diyodunun tam iletimi ile mümkündür. Bunun içinde 0,7V. yeterlidir.. Olayda şunu düşünürsek belki daha kolay olur.Bir Si diyota bir direnç ile gerilim uygulayalım.Diyot uçlarında dirence bağlı olarak tam iletimde 0,7V. düşer. Diyot uçlarında 0,7V tan daha fazla gerilim okuyabilirmiyiz???
Alıntı yapılan: "GreeN"Transistorün BE giriş empedansını unuttun.
Biraz açıklarmısın bu noktayı anlamadım.
Dostum beni yanlış anladınız.(ben anlatamadım) :roll:
Giriş Direnci olsun.Baz emiter arasında bir direnc söz konusu değilmi? Ve iletime geçmiş bir transistor.Orada düşen gerilim 0.7 volt olmuyormu(yaklaşık olarak) Gerilim bölücü dirençler var.Ama eşit olarak bölünmez.
Ornek1 (http://img35.echo.cx/my.php?image=46hv.jpg)
Ornek2 (http://img96.echo.cx/my.php?image=37qr.jpg)
Ben base emitter arasında bir direnç değil, pn yada np bir yapı var diye biliyorum, silisyum tabanlı. Bu sebeplede base emiter arasında 0,7 voltluk bir eşik var.Jonksiyon etkisini bertaraf etmek için 0.7 volt kayıp veriyoruz.Bu direnç değil diyot etkisi sebebi ile.
Yanlış mı biliyorum acaba :!: ?
Tamam dostum orası bir diyot ama orada ölçülen bir değer olarak direnc yokmu?
Hayır orada bir direnç yok
eğer ölçü aleti için diyorsan bu gerilim düşümü hesabı yaptığı için direnç gibi gösteriyor ama aslolan diyot barier yüzünden 0.6-0.7 volt düşüm.
Şöyle anlatayım Seri 2 direnç var. 2 direç üzerine düşen gerilimin aynı olması için akan akımların aynı olması gerekli. Ama alttaki dirençte akım 2 ye ayrılıyor. biri 2.dirence diğeri transistorden geçiyor.Buda 2.direnç üzerinde daha az gerilim düşmesine sebep olur.yani aslında 1k 10k dirençlere 1v 10v (sallıyorum) gibi dir gerilim düşmez. aksine orada
10k üzerinde 0.7(değişir) v 1k üzerinde 11.3 volt düşer.
ekliyorum;
akım 10k üzerinden akmak yerine transistorden akacaktır.ib akımı 2.direncin akımından çok büyük olacaktır.
Ha tamam belki ben iletimdeki bir diyotu biraz farklı düşünüyorum sizden.
Bunlar yetmez ama.Başka bilgi verecek yok mu arkadaşlar.Bu şekilde transistör süremem ki?Başka detaylar olmalı değil mi?
Alıntı yapılan: "katana"Arkadaşlar merhaba,
Bir transistör sürerken base, emiter ve kollektör dirençlerini nasıl hesaplarsınız.
Transistör sürme konusunda önerileriniz, tecrübeleriniz nelerdir.?
[/size]
hangi yükü hangi sinyal ile sürmek istediğini belirtirsen yardımcı olabiliriz. mesela 10A lik yükü süreceksen bunu süren transistörün beyzinde 1A olması uygun. Bu gibi güç uygulamalarında transistör saturasyonda çalıştırılır. yok eğer sadece preamlifikatör ile sinyal kuvvetlendireceksen amplifikatör hesabına girmen lazım ki bunu hesaplamaktansa hazır preamlifikatör devresi üzerindeki dirençleri değiştirerek istediğin sonucu almak daha kısa sürer.
Alıntı yapılan: "katana"Arkadaşlar sadece base konusuna takıldık ki oda muallakta kaldı. Peki emitter ve collector konusunda ne yapmalıyım.
SAdece direnç değil bazı devrelerde görüyorum.Collectorden base' e ve bazen de emitterden base bir kapasite konuluyor.Neden?
tabi sırasıyla gidelim.
Katana
Transistör 3 konumda çalışır.
-Kesim
-Doyum
-Aktif Bölge
Anahtarlama için yani açıp kapama için kesim ve doyum konumları kullanılır. Yani transistör kesime geçirilir çıkışındaki yükten akım akmaz veya doyuma getirilir çıkışındaki yükten max akım akar. Aster'in verdiği devre bu şekilde çalışır. Transistörün bazından yeterince akım geçirilir. Kollektörden ise (Baz akımı x Akım kazancı) kadar akım akıtabilir. Bu tip çalışmanın diğer bir adı switch-anahtar çalışmadır.
Aktif Bölge çalışmasında ise transistör kesime veya doyuma gitmez. Bazdan akan akım ile kollektör akımı ayarlanır ama kesime ve doyuma yaklaştırılmaz. Linear bölge çalışmasıdır. Amplifikatörler gibi linear devrelerde bu şekil bir çalışma kullanılır.
Bunlar çok genel bilgilerdir. Sebebi ise transistörün bağlantı şekilleri, yani çalıştırılma şekilleri vardır. Bunlar Ortak emetör, Ortak Baz, Ortak Kollektor olarak bilinir. Ortaktan kasıt giriş yapan bilgi için bir giriş ucu birde referans ucu gerekir. Ortak Emetor denince referans ucu emetor demektir. Yani Emetore Gore şu kadar volt girişe veriyoruz demektir.
Ortak olan uc emetör ise giriş baz olmak zorundadır. Ortak uç Baz ise giriş emetör olmak zorundadır. Ortak uç kollektor ize giriş baz olmak zorundadır.
Neden bu şekilde farklı bağlantı secilir derseniz her bir devre bağlantı tipinin giriş ve çıkış empedansları, akım ve gerilim kazançları farklılık gösterir. Nasıl bir yerde ne işlemi yapacağınıza göre bunlardan birini secersiniz.
Burada konuşulan daha cok anahtarlama devreleri olduğuna göre anahtarlama devrelerinde de çoğunlukla ortak emetor kullanılır. Aster'in sorduğu soruya ait devre bu şekildedir. Her iki devrenin farkı birisi NPN diğeri PNP transistor ile yapılmış olmasıdır. Bu da polarmalandırma ile alakalıdır.
Kollektörden baza bağlanan direnç önpolarmalandırma metodlarından biridir. Otopolarma diye bilinir. Kollektorden baza bağlanan kondansatör ise AC olarak çıkıştan girişe yapılmış bir negatif geribeslemedir. C değerine bağlı olarak belli frekanslarda negatif geribesleme yaparak o frekanslarda kazancı düşürür.
Konu aslında çok çok geniş. Adım adım gidilirse birşeyler öğrenilebilir.