Picproje Elektronik Sitesi

Alıntı yapılan: power20 - Bugün, 14:13:15(Resim gizlendi görmek için tıklayın.)

MUX çalışmaya uymadığından kullanılamıyor.
Konuyu baştan takip edersen anlatılmış olduğunu göreceksin..

Alıntı yapılan: ex_machina - Bugün, 12:58:01@M.Salim GÜLLÜCE hocam senin bu komponent kütüphanelerin piskopatlık seviyesinde ayrıntı barındırıyor. Şematik çizimler de çok güzel.
3dcontentcentral.com üzerinden paylaştığınız 3D modellerin çoğunu indirdim kullanıyorum. THT dirençleri bile değerlerini belirten renk bantlarıyla beraber çizmişsiniz.

Hocam şu kütüphanenin bir kısmını paylaşsan biz de feyz alsak ne güzel olur:))

Kütüphanem şirket malı olduğundan paylaşamıyorum.
Ancak pasif elemanlar seviyesinde belki.
Şunuda belirteyim kütüphanem SMD ağırlıklı olduğundan çoğu kimsenin işine de yaramaz.

Alıntı yapılan: picmanya - Bugün, 12:59:03Devremin son hali böyle. Tek kanalı çizdim. GND ler ortak. ULN ve IRF ye bitişik diodlar bu elemanların gövdesi içinde hazır bulunup,
ortadaki diyod mosfete yakın olarak ilaveten-ayrıca takılıyor. Problem yaşarsam nerede yaşarım? Neye hazırlıklı olmam gerekir? Devrenin değiştirilmesi-düzenlenmesi-ilave bir şey gerekirmi?

Bu çalışacaktır muhtemelen.
Gate Source arası dirence paralel bir 15 volt zener önerilir.
ULN içinde zaten bir diyot olduğundan çıkışına koyduğun diyot lüzumsuzdur.
Ayrıca Kesime geçme sırasında Mos transistörün analog bölgede kalma süresi uzar.
Aç kapa Frekansı yükseldikçe bu ısı artar transistörün ısıdan gümler.

Alıntı yapılan: picmanya - Bugün, 11:44:58Benimde gördüğüm; kart beslemesi +20V. üstünde olduğunda, hig-side tarafında n-kanal kullanmak zor-masraflı iş.
Endüstriyel standart gerilim +20V. olsa idi veya n-kanal mosfetler standartda +-24 V. ile sürülebiliyor olsa idi
işler çok kolaylaşacaktı galiba değilmi? n-kanal mosfet +24V. ile sürülebilse idi, problem kalmayacaktı yanlışmıyım?
Gerçekde; Endüstriyel standart gerilim  DC +24 V., mosfetlerin source-geyt arasındaki sürülme voltaj potansiyel gerilimide maksimum +20 V.
topraklar/0V. ler ortak diye düşündüm. Birde pcb de ana basleme girişinde seri diyot-besleme polarite diyotu bulunuyor.

Aslında smps güç. kaynağı DC24 V. olmasına rağmen, voltaj ayarlama potu üzerinden 19-27 V. aralığında çıkış voltajına ayarlanabiliyor.
smps çıkışını 19-20 V. gibi ayarlamış olsak, rölede 19 V. da yine sorunsuz çalışır, hani böyle yapılmak istenseydi, problem çözülmüş olurmuydu?
Bu durumda n-kanal mosfetin high-side de kullanılmasında problem olurmuydu? Bu durumda mosfetin sourcesinde maksimum +19 V. olmuş olacaktı.
 
Eğer gerçekler böyle ise standart n-kanal mosfetlerin source-geyt arasındaki voltajı bilinerek maksimum +20 V. da tutulmuş olunabilir.!
+20 V. ayarlayan adam +25 V. a da rahat ayarlardı onu. Allah'ın emri değilya +20V.

Yazdıklarının tamamı yanlış.
Mosfetlerin iletime geçme tekniği Gate te bulunan kapasitörün Source e göre şarj edilmesiyle oluşan elektirik alan etkisiyle Source Drain arasında bir iletim tüneli oluşması üzerine dayanır.
N yada P kanal olması bunu değiştirmez.
İletime geçme eşiği üründen ürüne değişmekle beraber 3 volttur.
Nadiren özel ürünlerde 2 volta kadar inmektedir.
Ancak 12 volta ulaşıncaya kadar analog bölge çalışması gerçekleşir.
Yani 3 volt ile 12 volt arasında Mosfet gate gerilimi drain source arasındaki akımın da doğrusal olarak artıp azalmasına yol açar.
Diğer bir deyişle Mosfetin Rdson direnci gate gerilimine bağlıdır.

12 ile 15 volt arasında maximum iletim kanalı seviyesine ulaşır ki datasheetlerde bahsedilen Rdson direnç değeri bu durum için verilmiştir.
Kısacası düşük gerilimle şarj edildiğinde mosfet daha fazla ısınacak demektir.
Gate normalde şarj edildikten akım çekmez. Tam anlamıyla kondansatördür.



Şimdi N kanalın Hi Side anahtarlamasındaki sıkıntısı ise şöyle oluşmaktadır.
Yük Gnd ye bağlı ise yükün pozitif tarafında yani mosfetin Source ucunda VCC ye yakın gerilim oluşur.
Bu durumda Gate şarj geriliminin VCC den 15 volt daha fazla olması gerekir ki bunu sağlamak için çeşitli yöntemler kullanılmaktadır.



Birincisi devreden bağımsız bir güç kaynağından enerji almak.



ikincisi ise VCC GND arasındaki voltajı bir kapasitöre şarj edip Şarjlı kapasitör enerjisini beslemeden ayırıp gate source üzerine aktarmak.
HiSide mos driverlar bu ikinci sistem üzerine çalışır.

Devremin son hali böyle. Tek kanalı çizdim. GND ler ortak. ULN ve IRF ye bitişik diodlar bu elemanların gövdesi içinde hazır bulunup,
ortadaki diyod mosfete yakın olarak ilaveten-ayrıca takılıyor. Problem yaşarsam nerede yaşarım? Neye hazırlıklı olmam gerekir? Devrenin değiştirilmesi-düzenlenmesi-ilave bir şey gerekirmi?

namespace deneme1
{
    class durum
    {
        private int sayi;

        public int atama
        {
            get {return sayi; }
            set {sayi = value; }
        }

        public void oku()
        {
            Console.WriteLine(sayi);
        }
        
    }
    
    
    internal class Program
    {
        static void Main(string[] args)
        {
           durum kontrol1 = new durum();
            kontrol1.atama = 15;
            kontrol1.oku();

            durum kontrol2 = new durum();
            kontrol2.atama = 57;
            kontrol2.oku();

            kontrol1.oku();
        

           


            Console.ReadLine();
        }
    }
}

Property konusunu öğrenirken aklıma takılan bir kısım oldu. Buradaki 'private sayi' değerini get set ile değiştirmiyor muyuz ? Kontrol2 nesnesinde sayi değerini 57 yapıp tekrar kontrol1 ile oku metotunu çağırdığımda neden 15 olarak kalıyor sayı sanırım bu kısımda bilmediğim bir şeyler var yardımcı olacak arkadaşlara teşekkürler.

@M.Salim GÜLLÜCE hocam senin bu komponent kütüphanelerin piskopatlık seviyesinde ayrıntı barındırıyor. Şematik çizimler de çok güzel.
3dcontentcentral.com üzerinden paylaştığınız 3D modellerin çoğunu indirdim kullanıyorum. THT dirençleri bile değerlerini belirten renk bantlarıyla beraber çizmişsiniz.

Hocam şu kütüphanenin bir kısmını paylaşsan biz de feyz alsak ne güzel olur:))

Benimde gördüğüm; kart beslemesi +20V. üstünde olduğunda, hig-side tarafında n-kanal kullanmak zor-masraflı iş.
Endüstriyel standart gerilim +20V. olsa idi veya n-kanal mosfetler standartda +-24 V. ile sürülebiliyor olsa idi
işler çok kolaylaşacaktı galiba değilmi? n-kanal mosfet +24V. ile sürülebilse idi, problem kalmayacaktı yanlışmıyım?
Gerçekde; Endüstriyel standart gerilim  DC +24 V., mosfetlerin source-geyt arasındaki sürülme voltaj potansiyel gerilimide maksimum +20 V.
topraklar/0V. ler ortak diye düşündüm. Birde pcb de ana basleme girişinde seri diyot-besleme polarite diyotu bulunuyor.

Aslında smps güç. kaynağı DC24 V. olmasına rağmen, voltaj ayarlama potu üzerinden 19-27 V. aralığında çıkış voltajına ayarlanabiliyor.
smps çıkışını 19-20 V. gibi ayarlamış olsak, rölede 19 V. da yine sorunsuz çalışır, hani böyle yapılmak istenseydi, problem çözülmüş olurmuydu?
Bu durumda n-kanal mosfetin high-side de kullanılmasında problem olurmuydu? Bu durumda mosfetin sourcesinde maksimum +19 V. olmuş olacaktı.
 
Eğer gerçekler böyle ise standart n-kanal mosfetlerin source-geyt arasındaki voltajı bilinerek maksimum +20 V. da tutulmuş olunabilir.!
+20 V. ayarlayan adam +25 V. a da rahat ayarlardı onu. Allah'ın emri değilya +20V.

Alıntı yapılan: M.Salim GÜLLÜCE - Dün, 21:16:25Bence mosfetlerle ULN bağlantısı kurup sadece bir röle ile MCU seviyesinde giriş ile test etmeye çalış.
Mosfetler başını ağrıtabilir.

Hocam "MCU seviyesinde giriş ile test etmeye çalış" derken.
ULN2803 girişine direkt mcu yu bağla ve ULN2803 ü mcu dan sürüp, sonucu görmü demek istediniz?
Yoksa; ULN2803 girişine, LM7805 den yada step down XL1509-5 / AP1509-5 V. regülelerden elde edilen bir gerilimle,
yani DC 5V. ile sürüp test et, mi demek istediniz? Kartda işlemci beslemesi XL1509-5 / AP1509-5 den elde dilip,
bu çiplerin beslemesi ile, mosfetin süreceği +24V. beslemesi ve toprakları/0V. leri komple ortak olacak.

Topraklar yani 0V. ler kartda komple ortak olduğundan bir şüpheniz oluyor değilmi? İzole DC 5 V. dönüştürücü yok yani.
Problem çıkarabilecek olan yer sizce ne olabilir?

İlaveten ULN2803 tetik girişlerine, yani işelemciden direkt olarak sürülen ULN2803 girişlerine,
seri direnç ve zener bağlasam ek önlem almaya çalışsam, nasıl olur?