Picproje Elektronik Sitesi

Mosfet kullanarak Vcc'yi anahtarlamak istiyorum. Bu Vcc, pil gerilimide olabilir herhangi bir çipin Besleme pinide olabilir, öğrenmek istediğim hiç akım harcamadan Vcc yii nasıl anahtarlayabilirim. Bunu BJT transistörler ile yapsam bir baz akımı tüketimi olacaktır, buda pil ömrünü etkiliyor. Bunun için P chanel Mosfet kullanmak istiyorum ama farklı yerlerde farklı kullanım örneklerine rastladım buda kafamı karıştırdı.
P chanel Mos için aşağıdaki şekillerden hangisi doğru?  örnek bir tetikleme devresi yada bu yapıya  örnek bir devre gönderebilirseniz çok iyi olur.

(http://img131.imageshack.us/img131/1148/mos0kt.jpg)

Benim öğrendiğim ve sınavlarda çözdüğüm sorularda dahil olmak üzere hep B tipi kaynaklarla işlem yaptık.Diğeri bana biraz ters geldi. :D Yani Drain'e akım girer, Gate ile kontrol yapılır, Source'den de akım Gate kontrollü akım çıkar.En basit mantığı bu.B şıkkı diyorum.Son kararım. :D Kolay gele.İyi günler. ;)

aslında genelde A şıkkını uygulama devrelerinde gördüm

3,5V luk Vgs ile iyi iletkenlik sağlayacak mosfet bulmanız gerekir. Aksi taktirde BJT ile veya başka bir eleman ile (?) yapmak şart olur. BJT için Darlington yaparsanız akım tasarrufunuz olur.

3,5V luk Vgs yeterli olduğunu kabul edersek;

A tipine ilave yaparak çalışılabilir.

G-S arasına birkaç K lık direnç gerekir.

G ucu kontrol devresi ile gnd ye çekilir ve fet iletime geçer. Serbest bırakılır (open collector) yalıtıma girer.

Tetikleme devresinin urettigi gate voltaji, Bat1 degerinden en azindan Vth kadar daha yuksekse Sekil B kullanilabilir.

Eger esit yada kucukse  B devresi Btetik - Vth kadar voltaj verebilir.

A tipi devrede gate voltajinin, gnd noktasina gore  Batt ile Bat-Vth araliginda
degismesi yeterlidir.

Bu nedenle A tipi devreler daha basittir.

mosfette akımın daima olarak drain den source aktığını biliyorum. Ters yönde akmaz. B şıkkı diyorum.

Peki benim anlamadığım bir nokta var. BJT transistörleri düşünürsek , NPN transistör için akım Collectroden Emitre doğru akar, PNP de ise Emiterden Collectore doğru akar, yani akım BJT nin yapısına göre tek taraflı akar.
Bu mosfetler için böyle bir şey söz konusu değilmi? Yani P Mosfet için akım tetikleme şekline göre D 'den S' ye veya S'den D'ye doğru akabiliyor yani mosfetlerde akım her iki yöne doğruda akabilir, bunlar doğrumudur?

B şeklindeki mosfet P tipi olamaz. A şeklindeki P tipi olabilir.

3,5V, yanlış okumadı isem şemadan okuduğum batarya değeri.

Alıntı Yapyani mosfetlerde akım her iki yöne doğruda akabilir, bunlar doğrumudur?

Hayır, böyle birşey olamaz. Olursa kontrol dışı bir çalışma gerçekleşmiştir.

@OG arkadaşımızın bahsettiği durum aşağıdaki devrede uygulanmıştır, bu çalışan bir uygulama devresidir.

PortD,1 lojik sıfır iken Q7 tıkamada ve mosfette iletim yoktur, Portd,1 lojik 1 yapıldığı zaman Q7 iletimde mosfetin Gate ucu toprağa gidiyor ve PMOS iletime geçiyor.

(http://img103.imageshack.us/img103/9158/adsz6wh.jpg)

FDN338  = P Mos
Bu devrenin simulasyonunu proteusda yaptım ama çalışmadı.

ilk verdiğim şekilde her iki mos'da p kanal ve pil gerilimi 3,6V

3,6V yeterli gelmemiştir. Bu değeri mesela 12V a yükseltirseniz çalışır.

Mosfet yerine PNP darlington bağlayın. Emetör batarya tarafına, kollektör yüke. Baz emetör arası birkaç 10K direnç. Baz - Q7 kollektörü arası birkaç 10 K direnç.

Bir sey sormak istiyorum acaba neden Vcc'yi anahtarlamak istiyorsunuz. Eğer özel bir sebebi yoksa açıklayabilir misiniz? Yani bu SMPS güç kaynağı uygulaması için mi kullanılacak? Anlamadığım hangi devrenin sürekli olarak beslemesi kesilmek istensin ki? Yanlış anlamayın  :oops: sadece merak ettim. Teşekkürler.

Kolay gelsin...

böyle bir yapı sistemde yedek bir pil varsa onu devreye sokmak için kullanılabilir. ben çeşitli entegrelerin Vcc 'sini kontrol etmek için kullanmayı düşünüyorum mesela devrede bir eeprom var eepromun her zaman Vcc 'den beslenmesini istemiyorum, eepromu kullanacağım zaman Vcc  yi aktifleyeceğim diğer durumlarda besleme bağlantısını keseceğim. kullandığım mikroişlemci, pinlerinden yeterli derecede akım basamıyor, pic gibi bir işlemci kullansaydım eepromun beslemesine direkt pic'in bir pinini bağlardım ve eepromun beslemesini kontrol ederdim.

Ben sürekli kare dalga üretecek diye düşündüm yanlış anlamışım özür dilerim. :oops:

Bir de acizane bir fikir sunamak isterim aşağıdaki şekildeki gibi NPN bir BJT (veya MOS olabilir) ile Vcc yerine GND kontrol edilse daha kolay olabilir mi? Sadece bir fikir belki bir sakıncası vardır bilmiyorum üstatlar bu konuda ne der acaba. Bu projede olmasa bile böyle bir kontrolün sakıncası olabilir mi? Teşekkürler.

Kolay gelsin

(http://picproje.org/upload/ivirzivir/gnd.JPG)

irl serisi 15-20v luk mosfet seçip  a şeklindeki gibi bağlarsan gate iletim gerilimin yeterse devren çalışacaktır

Alıntı yapılan: "thief"irl serisi kullanırsan olabilir mosfetlerin içerisinde ters diyot oldğundan dolayı bağladığın sistemde sürekli iletimde olur...  

Bildiğim kadarı ile içindeki ters diyot adı üstünde ters diyot yani normal durumlarda devre üzerinde ters takılmış bir durumda olduğu için iletimde değil diye biliyorum. Yani devrenin sürekli iletimde olamaması gerekir. Bilmediğim başka bir diyottan bahsediyorsanız bilmiyorum.

comlekciler, verdiğin şekil zaten en basit, en kolay usuldür. Fakat bu devrede GND oynaktır. Bu durum istenmiyorsa GND sabit tutulur ve mecburen VCC anahtarlanır.

şekil a olması lazım  arkadışımız yüksek vgs seviyeli mosfet seçiyor  a devresi doğru yoksa  b devresi için sürekli iletimde kalır devre   irl5602 p için  n kullacaksa irl3102   olabilir

@comlekciler,

zaten ilk akla gelen senin cizdiğin devredir. ama bazı entegrelerde sen GND 'yi kessen bile diğer pinlerinin bağlantı şekline ve entegrenin yapısına bağlı olarak kaçak akımlar oluşabiliyor yani entegrenin toprağını kestiğimizde entegre çalışmıyor ama Vcc 'den gelen akım herhangi bir pinden bağlantı durumuna göre yol bulabiliyor. uA 'lerin dahi çok önemli olduğu pilli uygulamalarda bu istenmeyen bir durumdur.

Alıntı yapılan: "OG"...Fakat bu devrede GND oynaktır. Bu durum istenmiyorsa GND sabit tutulur ve mecburen VCC anahtarlanır.

OG Hocam GND oynaktır derken ne demek istediniz tam anlamadım. Aşağıdaki şekilde olsa GND nasıl olursa olsun malzemelerin kontrolü sağlanmaz mı? Oynaktır derken farklı GND lere mi gidiyor demek istediniz. Yani bir programlayıcı gibi hem harici bir kaynağın GND si hemde PC nin GND si gibi mi demek istediniz?

entegrelerde gnd kesmek yerine vcc kesilmelidir adres ayaklarında veya data ayaklarında cihaz gnd yi  oraya konumlandırır. pek tavsiye edilmeyen bir kullanımdır.

Alıntı yapılan: "microman"@comlekciler,

zaten ilk akla gelen senin cizdiğin devredir. ama bazı entegrelerde sen GND 'yi kessen bile diğer pinlerinin bağlantı şekline ve entegrenin yapısına bağlı olarak kaçak akımlar oluşabiliyor yani entegrenin toprağını kestiğimizde entegre çalışmıyor ama Vcc 'den gelen akım herhangi bir pinden bağlantı durumuna göre yol bulabiliyor. uA 'lerin dahi çok önemli olduğu pilli uygulamalarda bu istenmeyen bir durumdur.

Peki bir şey daha sormak istiyorum bildiğim kadarı ile entegrelerin içindeki tüm elemanların GND si birleşip entegrenin ana GND pininden çıkıyor diye biliyorum. Yani bu durumda kaçak akım olmaması gerekir yani hiç bir şekilde devrenin çalışmaması gerekmez mi? Ben burda benim çizdiğim devre doğru diye tartışmak istemiyorum beni yanlış anlamayın sadece bazı bildiğim şekli ile kafama takılan hususları sizlere sormak istiyorum ki böylece tecrübe sahibi olabilelim. Teşekkürler...

mosların giriş seviyeleri boşta kalmasınlar diye kimi zaman vcc ye(pull-up üst seviyeye çekmek için ) kimi zaman gndye(pull-down alt seviyeye çekmek için ) direnç bağlarız.  cihazımızın gnd si kesilmiş  vcc si geliyor  adres satırında (pull-down)  direnç var bu sefer o adres satırından gndye akım akacaktır cihaz istenilen akıma ulaştığında aktif olacaktır.

@comlekciler

GND oynak demek benim anladığım şekli ile şudur;
GND'yi transistör üzerinden sürdüğünde, sürülen çipin GND'si ile devrenin GND'si arasında bir potansiyel fark oluşabilir (...bilir diyorum ölçüm yapmadan kesin konuşmak istemem) çünkü araya transistör giriyor. Buda iyi birşey değildir.

Eğer yükümüz ampul, led, motor gibi dışarısı ile enerjiden başka bağlantısı olmayan bir yük ise anahtarlamayı GND üzerinden yapmanın mahsuru olmayabilir. Diğer yük durumlarında olabilecek problemleri arkadaşlar açıklamışlar.

PMOS larda akım yönü alışık olduğumuz mosfet tipi NMOS lardaki gibi "drain" den "source" a değil "source" dan "drain" e dir, dolayısıyla doğru kullanım şekil A  olacaktır.

A şeklini doğru sayarsak  Geyti Bir transistörle Şaseye çekmekde sakınca yokmu acaba  G S arası voltaj çok yükselmiş olmuyormu  ?

S G arasında bir direnç var tabi

yada böyle bir bağlantıda Geyte nasıl bir gerilim vermek gerekir.

GS arası çok yüksek empedansa sahip olduğu için kabaca gate'den akım akmaz denir. Gerçekte ise GS arası istenmeyen küçük kapasiteler vardır ve şarj-deşarj olur. Kapasite küçük olduğundan ortalama akım da küçük olur. GS arası genelde 15V lara kadar kullanılıyor.

(http://img240.imageshack.us/img240/3905/mosfetpbi0.th.jpg) (http://img240.imageshack.us/my.php?image=mosfetpbi0.jpg)

Yani bu tür bir bağlantıda Mosfet zarar görürmü  ?
Görürse nasıl koruruz ?

24*1,4=33 küsür volt gate-source arasına uygulanıyor. R1 R2 oranını ayarlayarak Vgs yi yani R1 üzerindeki gerilimi 10-12V civarına çekerseniz sağlıklı çalışır.

Degeri ne olmalı,
R1 ve R2 yi yüzlerce kiloohm değerlerinde kullanabilirsiniz ancak mosfetin açma ve kapamasının hızlı olması için bunları olabildiğince düşük değerlere çekmeniz gerekir. Degerleri çok düşürdüğünüzde ise bu dirençlerden akan akım yükselecek dirençlerdeki kayıp artacaktır. Bir orta yolu bulmak gerekir.

Örneğin R1=1K R2=2K2 olduğunda R1 ve R2 1/4 watt ile kurtarıyor.

Yük daha sert bir anahtarlama istiyorsa orantılı olarak direnç değerlerini küçültmek, wattlarını arttırmak gerekir.