Picproje Elektronik Sitesi

Arkadaşlar TC4422 ile IRFZ44 ü sürmeye çalışıyorum.9 - 10A lik bir yüküm var.Fakat aşağıdaki şemayı kurduğumda 5A e geldiğimde mosfet aşırı ısınıyor.Acaba bu sorunu nasıl giderebiliriz.

(http://pic1.resimupload.com/r3/thumb_439491379.JPG) (//www.resimupload.com/ds439491379_mosfet_deneme.html)

mosfet patates olabilir.  yada g s d  uçalrında yük dengesi için dirençler kullanılması gerekebilir.

Birkaç farklı mosfet denedim, gate direnci baglıyarakta denedim fakat sonuç değişmedi :?

kolay gelsin
konudaki sorun hakında bi fikrim yok ama sorum var 8)
tc 4421-22 ile mosfet sürülürken g-s arasına bi sönümleme direnci koymaya gerek kalmıomu?
@aster bu direnci bağlamazsan "- patlasın moslar oynasın kızlar -" diyordu da  :?:

Rds=18mohm (VGS = 10V, ID = 25A iken)  ID=5A

Dolayısıyla Rds çok daha yüksektir. 250mohm olduğunu varsaysak

mosfette kalan voltaj dolayısıyla yüke veremediğin voltaj
Vds = IDxRds=5x0.25=1,25V

Mosfet'te kaybolan güç
Pmosfet = IDxVds = 5x1,25= 6,5W    ısı yayar

Yani oluşan ısı normal, soğutucu kullanmalısın


Kolay gelsin

Hesabınızda bence bir yanlış olabilir IRFZ44 ten 5A çekildiğinde oluşacak ısı bu kadar yüksek olamaz. Hesabı P=I*I*Rds şeklinde hesaplamanız lazım, ayrıca Rds ye 250miliohm demişsiniz bu akım aralığında bu değere çıkmaz.

Static Drain-to-Source On-Resistance 17.5 mohm VGS = 10V, ID = 25A Pulse width <= 400μs; duty cycle <=  2%.

yukarıdaki açıklamaya göre 18miliohm olarak Rds alınabilir 10A bir yük için mosfetin üstünde harcayacağı güç en fazla 2W civarındadır.

Isınmanın sebebi Rds ile alakalı olmayabilir sürülen yükün cinsi bu işte çok önemlidir yüksek endüktif değere sahip bir yükse bazı önlemler alınması gerekebilir zira aşırı yüksek değerli pik voltajları oluşacaktır. Diğer bir husus mos-drive a verilen sürme pulsinin ne derece kaliteli olduğuda önemlidir.

Alıntı yapılan: "eemkutay"Rds=18mohm (VGS = 10V, ID = 25A iken)  ID=5A

Dolayısıyla Rds çok daha yüksektir. 250mohm olduğunu varsaysak

mosfette kalan voltaj dolayısıyla yüke veremediğin voltaj
Vds = IDxRds=5x0.25=1,25V

Mosfet'te kaybolan güç
Pmosfet = IDxVds = 5x1,25= 6,5W    ısı yayar

Yani oluşan ısı normal, soğutucu kullanmalısın


Kolay gelsin

Yüküm yaklaşık 500 adet led.Bu ledler kendi içinde serili paralel li gruplar halinde bağlı ve toplamda 5A çekiyorlar.Ancak benım hedefım bu led sayısını 2 ye katlamak.Dolayısıyla çekilmesi gereken akım yaklaşık 10A olacak fakat henüz 5A likken IRFZ ye parmak değdirmiyorum.Bu ısının normal olması mümkün değil.  :roll:

Alıntı yapılan: "hademe"Hesabınızda bence bir yanlış olabilir IRFZ44 ten 5A çekildiğinde oluşacak ısı bu kadar yüksek olamaz. Hesabı P=I*I*Rds şeklinde hesaplamanız lazım, ayrıca Rds ye 250miliohm demişsiniz bu akım aralığında bu değere çıkmaz.

Hesabı zaten P=I*I*Rds şeklinde yaptım, ayrıca 250mohm değerini varsaydım ,burada kaç mohm bilemeyiz ancak @XX_CİHAN_XX,  Vds ve ID 'yi ölçü aleti ile ölçerek bulduktan sonra, o akımdaki mosfetin üzerindeki  kaybı ve iletim direncinide bulabilir.

Rds = Vds/ID

Kolay gelsin.

Vds=0,13V
Id = 5,2 Amper
Rds=0,025ohm
:roll:

Ben olsam 30N06 gibi bir şey kullanırdım.
Sürmek içinde 4422 kullanmazdım.
Pic gibi bir şey kullanıyorsam belki korumak için bir kapı koyardım.

@erkan614 için not : 4422 içerisindeki çıkış moslarından biri "O" direncin işini görür.(Gerçi çok çok kısa bir an olsada yüzer gezer bir an vardır.)Tabii onunda (4422) girişi için bir şeyler düşünmek gerekebilir.

Kazım hocam 30n06 için önerebileceğiniz bir sürücü var mı?
Neden 4422 ve IRFZ yi önermiyorsunuz bilgilendirirseniz benim için oldukça faydalı olacaktır.

Yazdım ya  :) .

30N06 daki rakamlar öylesine örnekti.Daha ucuzlar diye yazdım.
xxNxx : soldaki sayı akım , sağdaki*10 gerilim

On-DS : 4 V (yanlış hatırlamıyorsam ırfz ile aynı)
Sürmek için özel bir şeylere gerek varmı.

Nasıl bir devrenin çıkış kısmı olduğu belli değil fazla yorum yanlış olabilir.

Alıntı yapılan: "XX_CİHAN_XX"
Vds=0,13V
Id = 5,2 Amper
Rds=0,025ohm
:roll:

Umarım ölçü aleti derken multimetre ile ölçmemişsindir. Çünkü ben scoptan bahsettim, alternatif bir sinyalin duty cycle'ına göre güç işlemleri yapılır.

Eğer bir malzeme çok ısınıyorsa üzerinde çok güç harcanıyor demektir.
Çok güç harcanıyorsa , ya akım fazladır veya gerilim yüksektir veya her ikiside. Bundan başka sebep yok.

Gerçek gücü bulmak için, Akımın ve gerilimin alternatif bu nedenle multimetre ile değil scop ile ölçmelisin,


Kullandığın mosfet en küçük Rds'ye sahip mosfetlerden biri.

Hocam devre picli devre pwm vererek sürüyorum zaten.Devrenın birkaç çalışma modu var.O modlardan birinde pwm kesilip sabit lojik1 cıkıyor.Bu durumda pwm kalkmış oluyor.Yazılıma müdahale etmek istemediğim için işi sürücü kullanarak halletmek istedim.(gate ye sürücü kullanmadan direk picten pwm verdiğimde mosfet yine ısınıyor.)  :?

@eemkutay ın uyarısı önemli.

Pwm kullanımında mucizeler beklememek gerek.Ledlerin karakteristikleri göz önünde tutulmalı ve garip frekanslar seçilmemeli derim.
Lojik 1 de ısınma olmuyorsa sorun gate öncesinde aranmalı.
Yok ısınıyorsa @eemkutay uzaktan teşhisi koymuş demektir.
Doğrudan pic yada tampon olabilecek kapı ile sürerken @erkanın sözünü ettiği direnç önemlidir.

Yük tarafı içinde ledlerin nasıl nasıl bağlı olduğunu düşünmedim ama pek sorun olacağını sanmıyorum.

yazıların hepsini dikkatlice okumadım belki soran olmuştur bilemiyorum ama ben sormak istiyorum . soğutucu kullandınızmı ?

selamlar
ben TC428CPA ile IRFZ44 e 18A yükü rahatlıkla sürdüm. ısınma olayı olmadı. 20A den fazla akım verince ısınma başlıyor.
sendeki ısınma MOSFET e uyguladığın frenkanstan kaynaklanıyor olabilir. bence daha düşük bir frenkansta  PWM uygula.

Alıntı yapılan: "swat"selamlar
ben TC428CPA ile IRFZ44 e 18A yükü rahatlıkla sürdüm. ısınma olayı olmadı. 20A den fazla akım verince ısınma başlıyor.
sendeki ısınma MOSFET e uyguladığın frenkanstan kaynaklanıyor olabilir. bence daha düşük bir frenkansta  PWM uygula.

Valla frekans vermeden sürücünün girişini direk vcc ye çekerek te denedim yine ısındı.Birde senin kullandığın sürücüyü deniyecem sonuç ne olacak bakalım.Bu arada soğutucuda kullanıyorum ancak anormal bir ısı var...

Arkadaşlar yanlış hesap yapmayın. Bu eleman en iyi Rds değeri olarak 0,0175ohm değerine düşebiliyorsa, diğer ince hesaplara girmeden, düz bir sürme yolu ile (yani sabit dc)

18A akım geçirilirse, Isıl güç=18*18*0,0175=5,67W dır ki bu güç ciddi bir güçtür, TO220 kılıflı bu eleman için iyi bir soğutucu ister.

Alıntı yapılan: "OG"Arkadaşlar yanlış hesap yapmayın. Bu eleman en iyi Rds değeri olarak 0,0175ohm değerine düşebiliyorsa, diğer ince hesaplara girmeden, düz bir sürme yolu ile (yani sabit dc)

18A akım geçirilirse, Isıl güç=18*18*0,0175=5,67W dır ki bu güç ciddi bir güçtür, TO220 kılıflı bu eleman için iyi bir soğutucu ister.

IRFZ44 MOSFET i 49A 45W gücünde. hesaplarda yanlış yok. 18A de ısıdan eser olmadı. bunu deneyerek söyledim. MOSFET lerin anahtarlama olarak kullanıldığında az ısındığını hemenhemen herkes biliyor.
benim beslemem 12v du. G direncinide 1k kullandım

Alıntı yapılan: "swat"selamlar
ben TC428CPA ile IRFZ44 e 18A yükü rahatlıkla sürdüm. ısınma olayı olmadı.................

Sevgili swat;

Bu TC428'i nereden altın. Tr'de kim satar. Yardımcı olursan sevinirim.

Saygılar...

Transistör 490A 550W da olabilir. Ortaya çıkan ısıl güç 2W olduğunda bu güç uzaklaştırılamıyorsa bir süre sonra yanar.

TO220 kılıfa sahip bu elemanın thermal resistance değerlerine baktığınızda çok yüksek olduğunu görürsünüz. Bunun anlamı, bu değeri düşürecek soğutucu benzeri yardımcı elemanlara ihtiyaç var demektir. Yoksa 5 dk dayanmaz yanar.

Çektiğiniz 18A akım PWM türü birşey ve duty/cycle oranı düşük ise oranı nispetinde ortaya çıkan ısıl güç azalır. O zaman belki mosfet zarar görmez. Sabit 18A de soğutucusuz çalışan IRFZ44'un ömrü birkaç dk yı geçmez.

@OG
sizi anlıyorum
soğutucu kullandım ama çok küçük bişeydi. ısı sorunu 20A in üzerine çıkınca başladı. bilirsin IRFZ44 ısıya göre gücü azalıyor datashetindeki grafikte mevcut.
(http://img503.imageshack.us/img503/4509/29068445fd0.jpg)
bir ısındığımı gücü hemen azalıyor. soğutucu ısısı 25 derecede tutulmalı. cihanın kullanmak istediği 10A de soğutucusuz rahatlıkla çalıştırabilir. benim bahsettiğin 18A sınıra yakın bir güç.
yanılmıyorsam transistörün ısısını hesaplarken üzerine düşen gerilimi kullanmak gerekir.

@alayli
bu entegreyi konya sokaktan almıştım. şimdi varmı bilmem. zor bulunan bişey değil.

Arkadaşlar hala bu konuyu tartışıyormusunuz.

IRFZ'nin Power Dissipation max , yani son nokta, yani artık kesin bozulurum dediği nokta,

PD=94W 'tır

PD = Vdss x ID 'dir

mesela mosfet'le 12V'luk resistif bir yük süreceğinizi düşünün.

Vdss=12V olur, Mosfet'in dayan dığı max güç ise PD=94W

ID=94W/12V= 7,8A 'dır.  Bu nokta mosfetin öldüğü noktadır.

ama tabii bu sürekli akımda,

%50 duty cycle ile sürerseniz son nokta 7,8 x2 = 15,6A olur.

Datasheet'te yazan Vdss=55V ve ID=49A'e takılıp

49A olan şey nasıl 3A-5A'de ısınır gibi yanlış düşüncelere girmeyin. Yoksa

hangi voltajı uygularsam uygulayım 49A'e kadar akım alabilirim mi ?

zannediyorsunuz.

Sonuçta bu mosfet'in gücü belli, max 94W,


Kolay gelsin.

Alıntı yapılan: "eemkutay"Arkadaşlar hala bu konuyu tartışıyormusunuz.

IRFZ'nin Power Dissipation max , yani son nokta, yani artık kesin bozulurum dediği nokta,

PD=94W 'tır

PD = Vdss x ID 'dir

mesela mosfet'le 12V'luk resistif bir yük süreceğinizi düşünün.

Vdss=12V olur, Mosfet'in dayan dığı max güç ise PD=94W

ID=94W/12V= 7,8A 'dır.  Bu nokta mosfetin öldüğü noktadır.

ama tabii bu sürekli akımda,

%50 duty cycle ile sürerseniz son nokta 7,8 x2 = 15,6A olur.

Datasheet'te yazan Vdss=55V ve ID=49A'e takılıp

49A olan şey nasıl 3A-5A'de ısınır gibi yanlış düşüncelere girmeyin. Yoksa

hangi voltajı uygularsam uygulayım 49A'e kadar akım alabilirim mi ?

zannediyorsunuz.

Sonuçta bu mosfet'in gücü belli, max 94W,


Kolay gelsin.

hocam 94w ı 12v a bölüyorsunuzya olmaz... tekrardan söylüyorum transistörün üzerine düşen gerilimi hesaba katınız. bu gerilimi hesaplamak için min. direncinden yola çıkın.
teşekkürler...

@swat

PD , sadece mosfet'in üzerinde kaybolan güç değildir. yani mosfette ve yükte kaybolan gücün toplamına eşittir. İşte bu yüzden sürdüğümüz max. Vds'ye bölüyoruz.

PD = Pyük + Pmosfet
PD = IyükxVyük + IyükxVds 'e eşittir,

TO220 kılıfta olan yoksa nasıl 94W olacak, böyle birşey olabilir mi?

PD= Power dissipation= Yaydığı güç demektir,

harcadığı güç anlamında değildir.

Alıntı yapılan: "eemkutay"@swat

PD , sadece mosfet'in üzerinde kaybolan güç değildir. yani mosfette ve yükte kaybolan gücün toplamına eşittir. İşte bu yüzden sürdüğümüz max. Vds'ye bölüyoruz.

PD = Pyük + Pmosfet
PD = IyükxVyük + IyükxVds 'e eşittir,

TO220 kılıfta olan yoksa nasıl 94W olacak, böyle birşey olabilir mi?

PD= Power dissipation= Yaydığı güç demektir,

harcadığı güç anlamında değildir.

hocam bu 94w ı nerden çıkardın şimdi ? bu bahsettiğiniz değerler IRFZ44 ün datasherindeki değerlerden farklı. isterseniz aşagıdaki değerlere bakın .
siz 7,8A de bozulur demişsiniz :) ben 35A i acımadan verdim .
şuanda transistörüm halada sağlam sorun yok. ben denediğim sonuçları söylüyorum.

tartisma muhendislik boyutuna geldi boyle bir sorun ile ugrastim ve fetlerin patates olduguna karar verdim logic fet kullandim suruculeride sokup attim direkt olarak mcu ya bagladim sorun falan kalmadi ..IRLZ44
mosfeti full dc anahtarlar iseniz mutlak rds'ye ulasiyor dissipation olmadigi icin  isi olusmuyor fakat pwm ile surdugunuz zaman asla bu verim alinamiyor uygun duration'u bulmak epey zaman alir ...
bence sogutucuya bir tane daha yapistirin.... ;)

@swat

Sen gönderdiğin resme bak, max 31A diyor sen 35A vermissin?
Bravo sen IR rectifier müh. bile aşmışsın. Acaba 18A ve 35A'i buradaki gibi
yanlış görmüş olabilir misin?

Hem de IRFZ44 yerine başka bir bir malzemeninkine bakmışsın. Doğrusu
aşağıda veya IR'den indir.


(http://img395.imageshack.us/img395/817/irfz44ts0.jpg)

@eemkutay
olabilir... dalgınlıkla IRFIZ44 ün datashetine bakmışım olabilir...
ama yanlış hesap yaptığının farkında değilsin hala. IRFZ44 den datashetinde yazan 49A i rahatlıkla alabilirsin. tabi iyibir driver kullanmak şartıyla. 5v da sürmeye kalkarsan 7A e ulaşmadan bile bozuluyor.

eemkutay, linear bölgede çalışma ile on-off çalışma farklıdır. Linear çalışmalar (amplifikator vs) , on-off çalışmadaki ile kıyaslanamıyacak kadar fazla ısınır.

Anahtar kullanımda Vgs ye bağlı ortaya çıkan Rds*Id*Id kadar bir ısıl güç ortaya çıkar.

Dissipation Güç dışarıya verdiği güç (yaydığı) değil, üzerinde israf olan güç demektir. Zaten eleman kendisi güç veren bir konumda değildir.

Alıntı yapılan: "eemkutay"Arkadaşlar hala bu konuyu tartışıyormusunuz.

IRFZ'nin Power Dissipation max , yani son nokta, yani artık kesin bozulurum dediği nokta,

PD=94W 'tır

PD = Vdss x ID 'dir

mesela mosfet'le 12V'luk resistif bir yük süreceğinizi düşünün.

Vdss=12V olur, Mosfet'in dayan dığı max güç ise PD=94W

ID=94W/12V= 7,8A 'dır.  Bu nokta mosfetin öldüğü noktadır.

ama tabii bu sürekli akımda, ......................

Yanlisin var.

Eger bu mosu 7.8A de bozmayi kafaya koyduysan Mosun Drain Source uclarina 12V u dogrudan vereceksin. Gate'e ayarli bir kaynaktan gerilim verip Gate gerilimini ayarlayarak Drain akimini 7.8A'e set edeceksin. Bu durumda Mosun 94W guc tuketecek.

Mosu anca boyle bozarsin.

arkadaşlar tam birşeyler netleşirken konu yarım kalmış

şimdi bu mosfetlerin katalag bilgisinde yazılı olan ( PD )

PD = Vdss x ID şeklinde yapılmıyorsa orada yazan PD nedir

bu katalog değerlendeki hesapları tam olarak açıklayacak bir arkadaşımız yokmu.

PD (Maksimum Power Dissipation @T =25 °C ve @T =100 °C):Eleman için belirtilen sıcaklıklarda jonksiyon sıcaklığının maksimum hızla yükseldiği varsayımıyla maksimum güç dağılımıdır.

(http://img217.imageshack.us/img217/5674/adszfz3.jpg)

:idea:

Az çok gibi yorumlar yerine oturup hesaplamak lazım. TO220 kılıfın:
Junction-Case termal direnci 1,5°C/W
Case-Ambient termal direnci 62°C/W

Yani soğutucusuz bir to220 transistörün termal direnci toplam 63,5°C/W. Bu durumda bu transistörün sıcaklığı, üzerinde harcanan her 1W başına ortamdan 63,5°C yüksek olur. Eğer ortamda fan varsa ortam sıcaklığı odanın sıcaklığı (20-30°C) alınabilir. Eğer fan yoksa, transsistörün hemen çevresinde sıcak hava birikeceğinden 50-60°C alınmalıdır. 50 alalım, bu durumda 1 watt kayıpta junction sıcaklığı 113,5 derece olacak, metal fin de 112 derece olacak.

5A de, I²×R=5²×0,017=0,425 Watt olur kayıp. Transsitörün metalinin sıcaklığı da;

50°C + 0,425W×62°C/W=76,35°C olur.

76 derecedeki bir şeye dokunamazsınız :)

Mosfet üzerinde eğer anahtarlama var ise;

toplam kayıp = iletim kayıpları + anahtarlama kayıplarıdır

İletim kaybı şu an hesapladığımız kayıplardır. Anahtarlama kayıpları ise transistör iletime ve kesime gittiğinde geçişlerde olan kayıplardır. Anahtarlama frekansı yükseldikçe anahtarlama kayıpları da doğru orantılı olarak artar.  Eğer mantıklı bir gate drive direnci kullanıldıysa, mosfetler için yaklaşık 40kHz de anahtarlama kayıpları iletim kayıplarına eşit olmaya başlar. (mantıklıdan kastım: transistör kesime gittiğinde yüksek Vds gerilimleri oluşturmayacak kadar yüksek, anahtarlama kayıplarını artırmayacak, transistörü yavaşlatmayacak kadar düşük gate drive direnci.)

Arkadaşlar bu konuya son noktayı koyacak yok mu?  :?:

Datasheetteki power dissipation nedir tam olarak?

Alıntı yapılan: "eemkutay"@swat

PD , sadece mosfet'in üzerinde kaybolan güç değildir. yani mosfette ve yükte kaybolan gücün toplamına eşittir. İşte bu yüzden sürdüğümüz max. Vds'ye bölüyoruz.

PD = Pyük + Pmosfet
PD = IyükxVyük + IyükxVds 'e eşittir,

TO220 kılıfta olan yoksa nasıl 94W olacak, böyle birşey olabilir mi?

PD= Power dissipation= Yaydığı güç demektir,

harcadığı güç anlamında değildir.

Buradaki herşey net ve açıklayıcı. Örneğin elektronik yüklerde Voltajı arttırdığınız zaman geçireceğiniz akım düşer dolaylı olarak içindeki mosfeti korur.

@emrahmrcn, @eemkutay,

Pd yani Mosfet max kaybı hakkında yanlış düşünüyorsunuz.

Pd=Piletim+Panahtarlama=I²×Rdson×duty + f×(Eturnoff+Eturnon)

Formul bu kadar açık ve net, ne eksiği var, ne fazlası. I=akım, Rdson=iletimdirenci, f=frekans, Eturnoff=Kesime giderkenki anahtarlama enerjisi, Eturnon=iletime giderkenki anahtarlama enerjisi.

TO220 kılıfta 94 watt harcayabilirsin. Transistörü Case-Ambient Rth değeri 0 olan bir soğutucuya bağlarsın (çok güçlü bir soğutucu). Soğutucu sıcaklığı da 25° olsun. Bu durumda toplam Rth değeri Junction-Case Rth değerine eşit olur, yani IRFZ44 için 1,5W/C° dir.
Tj=Pd×Rth+25°=94×1,5+25=166° olur. IRFZ44 için en yüksek junction sıcaklığı 175° olduğuna göre bir sorun yok, çalışabilir.

Zaten transistörlerin en yüksek çalışma akımları, yada Pd değerleri belirlenirken, 25° deki çok güçlü bir soğutucu üzerine harika termal macunlarla bağlandığında Junction sıcaklığını 175° ye çıkartacak Pd değeri hesaplanır ve yazılır.

Biz transistörleri bu kadar güçlü soğutuculara bağlamadığımızdan, soğutucu sıcaklığı 25° olmadığından ve transistörü sıcaklık limitine bu kadar yakın çalıştırmak istemediğimizden datasheet akımında kullanmamalıyız. 1/2, 1/3 akım değerlerinde kullanmalıyız. Zamanında Buck Converter yapısında 2kW lık bir MPPT (maximum power point tracker) yapmıştım. Verimi %98 de tutabilmek adına, 10A anahtarlama akımı için, 30A lik 3 tane mosfeti paralel bağlayarak 90A lik grup kullandım.

Alıntı yapılan: "xenix"@emrahmrcn, @eemkutay,

Pd yani Mosfet max kaybı hakkında yanlış düşünüyorsunuz.


TO220 kılıfta 94 watt harcayabilirsin. Transistörü Case-Ambient Rth değeri 0 olan bir soğutucuya bağlarsın (çok güçlü bir soğutucu). Soğutucu sıcaklığı da 25° olsun. Bu durumda toplam Rth değeri Junction-Case Rth değerine eşit olur, yani IRFZ44 için 1,5W/C° dir.
Tj=Pd×Rth+25°=94×1,5+25=166° olur. IRFZ44 için en yüksek junction sıcaklığı 175° olduğuna göre bir sorun yok, çalışabilir.

Zaten transistörlerin en yüksek çalışma akımları, yada Pd değerleri belirlenirken, 25° deki çok güçlü bir soğutucu üzerine harika termal macunlarla bağlandığında Junction sıcaklığını 175° ye çıkartacak Pd değeri hesaplanır ve yazılır.

Peki , IRFP3710 üzerinde yaptığım bir denemeyi paylaşayım. Mosfeti kocaman bir soğtucuya bağladım , macunlarınıda sürdüm.(Sizin anlattığınız soğutucuya benzemesede baya iyi bir soğutucu). Mos sıcaklığını gözetim altında tuttum. (Ort. 28C) Üzerinden 24V da 5A geçirdim 10sn boyunca ve mosfette herhangi bir hasar oluşmadı bu deneme sonucunda. 2. Denememde ise 40V da 5A geçirdim(Tabiki mosun soğuması beklenerek ve 28C de). Gücü verdiğim 2.Saniye sonucunda mos kısadevre oldu. Bunları yazarken tartışıp öğrenmek için yazıyorum yanlış anlamayın.

@emrahmrcn;

hocam elindeki soğutucunun materyali, termal direnci de çok önemli.Ve bu soğutucudan da ne hızda atıyorsun o ısıyı, bu da önemli...

Ve sen son denemende muhtemelen jonksiyon sıcaklığı 170 i aşmıştır. Bu çok hızlı olabilir çünkü. Ve sen de aynı hızda o ısıyı jonksiyondan uzaklaştıramazsın.
Datasheetlerde yazan değerleri yakalamak illaki zor, özel şartlar gerektirir.

Mesela bir örnek vereyim, şu an benim kullandığım bi IC var ve bunun thermal koruması mevcut.140C derecede kendisini kapatıyor. üzerine dokunduğumda ciddi bi ısı oluşuyor(ama elimi yakmayacak kadar). Ve bundan anlayabilirim ki yüzeyi 140 C değil. Fakat jonksiyonun sıcaklığı aniden 140 C a ulaşıyor ki IC kendini kapatıyor..

Normal bi thermocouple vs. ile jonksiyon sıcaklığını ölçmen de zor.Çünkü o aletlerin de temas ettiği yerde bir termal direnç oluşuyor...

Alıntı YapNormal bi thermocouple vs. ile jonksiyon sıcaklığını ölçmen de zor

Zor değil imkansız, adı üstüne jonksiyon.

Alıntı yapılan: "emrahmrcn"

Peki , IRFP3710 üzerinde yaptığım bir denemeyi paylaşayım. Mosfeti kocaman bir soğtucuya bağladım , macunlarınıda sürdüm.(Sizin anlattığınız soğutucuya benzemesede baya iyi bir soğutucu). Mos sıcaklığını gözetim altında tuttum. (Ort. 28C) Üzerinden 24V da 5A geçirdim 10sn boyunca ve mosfette herhangi bir hasar oluşmadı bu deneme sonucunda. 2. Denememde ise 40V da 5A geçirdim(Tabiki mosun soğuması beklenerek ve 28C de). Gücü verdiğim 2.Saniye sonucunda mos kısadevre oldu. Bunları yazarken tartışıp öğrenmek için yazıyorum yanlış anlamayın.

Anlaşılan anahtarlama yapmamışsınız, 8ohm yükü mosfet ile devreye alıp 5A geçirmişiniz, sadece iletim kayıpları var, peki Vgs olarak ne uyguladınız? Vds geriliminin 0,025ohm×5amper=0,125V a düştüğünü gözlemlediniz mi? Böyle bir durumda 5×0,125=0,625W kayıp bekliyoruz, hiç ısınma olmamalı.

Eğer iletim anında,  Vds=40V, Id=5A ise Pd=200W yapar, mosfet elbette yanacaktır.

Öncelikle herkese teşekkürler;

Beklediğim cevap öncelikle şuydu;
  Juntion sıcaklığının çok hızlı şekilde 175C aşması, yani soğutucuya yeterince hızlı transfer yapılamadağından mosfet yanmıştı. Bende ölçerken deneysel anlamda hatalı ölçüm yapmıştım, junction sıcaklığını ölçmek imkansız ancak üretim esnasında içine belki sensör yerleştirilebilir.
 
  İkinci olarak; Direnç üzerinden değil mosfet i lineer bölgede çalıştırdım. Zaten bütün yükü mosfet üzerine almıştı.

Burdan anlaşılan, xeinix@ söylediği gibi güvenlik katsayısını en az 2 tutmalı.
Başka eklecekleriniz varsa lütfen üşenmeyin, tartışmalara devam:)

Alıntı yapılan: "xenix"

Eğer iletim anında,  Vds=40V, Id=5A ise Pd=200W yapar, mosfet elbette yanacaktır.

hocam bence arkadaş orada 40V u Vds olarak vermemiştir. Vds:40 volt ise kısa devre gibi bir durum var demektir zaten.
Besleme voltajından bahsediyor sanırım...

Pds=200W olduğunda anında yanar mosfet elbette.

Alıntı yapılan: "alone_lover"

Alıntı yapılan: "xenix"

Eğer iletim anında,  Vds=40V, Id=5A ise Pd=200W yapar, mosfet elbette yanacaktır.

hocam bence arkadaş orada 40V u Vds olarak vermemiştir. Vds:40 volt ise kısa devre gibi bir durum var demektir zaten.
Besleme voltajından bahsediyor sanırım...

Pds=200W olduğunda anında yanar mosfet elbette.

Evet , 40V Vds olarak verdim , dediğiniz gibi aslında kısa devre. Ben DC elektronik yük dizaynı ile çalışmalar yapıyorum , bazı testlerim oluyor. Mosfetlerin üzerinde olabilecek en yüksek gücü harcamaya yönelik çalışmalar aslında.

Alıntı yapılan: "emrahmrcn"

Alıntı yapılan: "alone_lover"

Alıntı yapılan: "xenix"

Eğer iletim anında,  Vds=40V, Id=5A ise Pd=200W yapar, mosfet elbette yanacaktır.

hocam bence arkadaş orada 40V u Vds olarak vermemiştir. Vds:40 volt ise kısa devre gibi bir durum var demektir zaten.
Besleme voltajından bahsediyor sanırım...

Pds=200W olduğunda anında yanar mosfet elbette.

Evet , 40V Vds olarak verdim , dediğiniz gibi aslında kısa devre. Ben DC elektronik yük dizaynı ile çalışmalar yapıyorum , bazı testlerim oluyor. Mosfetlerin üzerinde olabilecek en yüksek gücü harcamaya yönelik çalışmalar aslında.

hocam sen şansını zorlamışsın o zaman  :D  dayanır mı mosfet o PD değerine.. (Pd=200W)