ARKADAŞLAR IRFZ44 (MOSFET) SÜRÜCÜSÜNÜ BİLEN VARMI?
DC MOTOR KONTROL EDECEM.
BU MOSFETİ KULLANAN YADA BİLEN VARMI.
GATE-SOURCE ARASINA DİREK 10 V VE 27 OHM MU BAĞLAYASAM OLURMU?
DC MOTOR 12 VOLTTA VE ÇOK YÜKSEK AKIM ÇEKİYOR.
YARDIMLARINIZ İÇİN ŞİMDİDEN TEŞEKKÜR EDERİM.
Datasheet mi uygulamamı istiyorsun
www.irf.com
www.ozitronics.com/datasheet.html
IRFZ44 bildigin guc mosfeti. Vgs gerilimi 10 V gibi olursa iyi olur. 16 Voltu asmasi tavsiye edilmez. Onun icin g-s arasina 12 Votluk bir zener koyarsin olur biter bir de g-s arasina (zenere paralel oluyor) 10k gibi bir direnc doyarsan gate gerilimini bosta birakmaktan kurtarirsin. Kolay gelsin.
uygulamasını...
belki yeri değil ama IGBT transistörler üzerinde pratik yapmış olanınız varmı. Bir projemde kullanmak istiyorum.
evet benim baya denemelerim olmuştu sormak istediğin bişey olursa yaz
bence mosfeti sürmenin en güzel yolu intersil firmasının ıcl7667 mosfet
driver ini kullanmaktır. yaklaşık 2amper drive edebiliyor.
Bu IGBT lerin ne gibi avantajları var yani mosfet yerine kullanmak istersek bize ne sağlayacak.
IGBT uçları G,E,C olarak adlandırılır. Gate emetor devresi MOS'un gate source devresinin benzer özelliklerini taşır. Buna karşılık Kollektor emetor devresi klasik transistörün kollektör emetör özelliklerini taşır dolayısı ile MOS ve transistörün karma şekli olarak düşünülebiliz.
Moslara göre çok daha yüksek gerilim akım değerlerinde üretilebilmektedir.
Yakın zamana kadar yüksek hızlarda anahtarlamayan IGBT lerin artık çok hızlı tipleri de üretilmeye başlanmıştır. (Sıradan bir IGBT geçmişte 10Khz civarı anahtarlayabiliyordu. Artık yüzlerce khz'e çıkılabilmektedir)
Mosları anahtarlamada geyt voltajı 0..+v yeterli iken IGBT lerin hızlıca kesime gitmeleri için negatif geyt voltajına ihtiyaç duyulmaktadır.
Avantajı ne?
1000V 10A yada daha yüksek değerde MOS bulmak mümkün değilken (?)
Bu değerler IGBT ler için sıradan değer olabilmektedir.
Piyasadan kolayca alınabilecek bir IGBT için 1600V üst limit (idi) ve 1000A akım akıtabilecek IGBT bulmak mümkün.
Üstat ağzına sağlık anladım.
mosları pwm tekniği ile sürersen ısınmaz gate gerilimi 12v olamlı..
Zaten güç uygulamalarında başka bir yöntem(saturasyonda çalıştırmak dışında) düşünülemez. Fakat ısınmaz demek doğru değil. Sonuçta mosfetin DS arasında ...mOhm kadar direnç olur. bu da akımla doğru orantılı olarak ısınmaya sebvep olur. Hatta iletim anında DS arasındaki gerilim okunarak kısadevre koruması bile yapılabiliyor.
IGBT yi 15Vp darbeler ile sürmek uygundur. mosfeti süren 12Vp darbeler ile sürülürse (saturasyona ulaşmadığından)aşırı ısınır. bir müddet sonra patlar.
Merhaba,
Dostlar "saturation" nedir? Anlamıyorum! <-- Bunu gerçekten anlamadığım için söylüyorum, yanlış anlaşılmasın.
Bakınız ben şimdi bu kelimeyi araştırıp bulabilirim herhalde. Konuya yabancı olduğum ve kelimenin kendisi de yabancı olduğu için gerçekten de anlamıyorum. İşte Türkçe konuşmanın önemi bir daha gördüm. Meslektaşlar arasındaki konuşmada bile uzmanlık farklarından dolayı anlamıyor insan!
Bilmemek ayıp mı! Soruyorum işte, nedir...:)
Sevgiler, saygılar...
:)
:lol: