Picproje Elektronik Sitesi

elimde bulunanlar

Ölçüaleti
breadboard güç kaynağı (5v 3v3)
irfz44
stm32f103c8t6 minimal (STD lib kullanarak,em::bitz kullanıyorum ama platform fark etmez. )
pasifler, ledler

MCU yu kullanarak bu mosfeti sonrasında mosfetleri (full bridge half bridge diyorlar)kullanmak istiyorum. Artık PWM mi olur başka türlü mü olur bilemiyorum.

Malzemeler tamam değil. Ya lojik mosfet ya da 12-15V kaynak gerekiyor hocam.

Alıntı yapılan: Cemre. - 05 Aralık 2016, 12:49:26
Malzemeler tamam değil. Ya lojik mosfet ya da 12-15V kaynak gerekiyor hocam.

tamam buluruz artık ne yapalım

en basitinden "muhittin" e anlatır gibi bir şema ile başlayalım örneğin.

Hocam takipteyim ve aynı malzemelerden bende de var.

Temel birkaç konu var.

Genel olarak (belki >%90) N kanal mosfet kullanılır.
N kanal mosfeti iletime geçirmek için Vgate- Vsource >8V,  aynı zamanda <15v olmalıdır.   (Bence ideal Vgs=12v civarı)
Mosfetin gate kapasitesini yavaşça doldurmak kolaydır, Hızlı doldurup boşaltmak zordur.
Pwm uygulamarında da genellikle hızlı doldurup boşaltmak gerekir.
Fet sürücüler temel manada bu işlere yarar.

1-2 Soruda ben sormak ve konuyu takip etmek istiyorum.
Mosfete nerede ihtiyaç duyarız? Neden Transistör kullanmayız da Mosfet kullanmak ihtiyaç ve zorunluluk olur?

Bir zorunluluk değil. Tercih meselesi.

On-Off çalışmada akım değerleri yüksekse mosfete geçmek avantajlı. İletim dirençleri küçük. Fakat bunların da gerilim sorunu var. Yüksek gerilimlerde iletim dirençleri artıyor. Anahtarlama hızı da etken. Yüksek akımlı yüksek gerilimli yüksek hızlı transistörler daha pahalı.

Yüksek gerilimlerde transistör mantıklı.
Düşük gerilimlerde MOS.

Yüksek akım ve gerilimlerde IGBT.

Mosu gerilimle açıp kapıyorsun transistörü akımla.

Transistörün Vsat*I değeri ile Mosun Rds * I^2 değerlerini karşılaştırıp işine geleni kullanırsın.
Fakat güçlü transistörleri sürmek için özel sürücü yapman gerekir. Moslar için üretilmiş çok sürücü IC var. Bu da tercihleri MOS'dan yana yapmamıza neden oluyor.

Simdi mcu yu devreye koymadan oldukca basit seviyede once bir butonla on off sonrasinda bir pot ile ayarla yapalim. Basit iki devre cizerseniz hemen baslayalim.

Bunlari irfz44 ile yapalim.

Sonrasinda mcu ile on off ve devaminda pwm ile yapalim.

hocam irfz yerine irlz al bir adet l logic level kontrol oluyor. işlemci  çıkışından 100 ohm gibi bir değerle mosfetin gateine gir mosfet gate ve gnd arasınada bir adet 10k at. mosfetin source u gnd de baglı . collecturuda senin ledinin katotuna baglı. ledin anodu v+ ya baglı. bu kadar sonra daya pwm yi

Simdi burada neden irfz degilde irlz sorusunu sorayim.
Datasheet grafikleriyle aciklama yapabilecekmiyiz ? Hani su akim gerilim, gate source voltage i felan ?

Mosfetin tercih edilme sebeplerinden birisi de yüksek giriş direncidir. Bjt akım tetiklemeli olduğundan dolayı koruma direnci mevzusu var.  Mosfetler cok daha kucuk olarak uretilebiliyor e bu da bir sebep.

Alıntı yapılan: skara1214 - 05 Aralık 2016, 17:00:32
hocam irfz yerine irlz al bir adet l logic level kontrol oluyor. işlemci  çıkışından 100 ohm gibi bir değerle mosfetin gateine gir mosfet gate ve gnd arasınada bir adet 10k at. mosfetin source u gnd de baglı . collecturuda senin ledinin katotuna baglı. ledin anodu v+ ya baglı. bu kadar sonra daya pwm yi

irfz44N= VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V
irlz44N= VGS Gate-to-Source Voltage ±16 V

Nasıl olcak ben anlamadım.

Alıntı yapılan: xoom - 05 Aralık 2016, 19:46:29
irfz44N= VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V
irlz44N= VGS Gate-to-Source Voltage ±16 V

Nasıl olcak ben anlamadım.

Max değerler bunlar.

Muhittin  hocam  yine herkesin aklındaki bir soruya tercüman olarak 12 den vurmuşsun senin de sorduğun gibi hem anahtarlama hem de sinyal yükselteci olarak anlatacak ustaları bekliyoruz

konu güzel favorilerime aldım ayrıca arkadaşlar anlattıklarınızı şemalarla destekleseniz çok müteşekkir oluruz.fetlerin hızlı çalışmasında şöyle bir durummu var ben doğrumu anlamışım.standart bir transistör base üzerinden geçen akım sayesinde ki bi t0 zamanından transistör iletime geçene kadar süren süre t1 diyelim yavaş kalacağı için fet kullanıyoruz böylelikle hızlı digital anahtarlama ile base üzerinden gecen akım yerine hızlı clock palsler sayesinde daha hızlı çalıştırabiliyoruz.

Yani gerilim tetiklemesi akıma göre daha hızlı olduğu için mi kullanıyoruz ?

hocam mosfeti gate ine uyguladığınız voltajla kontrol edersiniz. mosfet genel olarak(%90 uygulamada) on off şeklinde yani doyumda yada kapalı çalışır. transsitör gibi lineer bölgede çalıştırılmaz. Standart mosfetler gatelerine 12 v verince o bahsi geçen rds on direncine kavuşur. siz bu mosfeti 3.3 yada 5 voltla sürmeye kalkarsanız transistör gibi lineer bölgede işlem yaptırırsınız. o zamanda mosfet ısınır. logic level mosfetlerde yani "l" olanlar bir işlemciden  çıkan 5 volt (genel)yada 3.3 volt ile doyuma gider rds on direnci minimuma yaklaşır bu sayede herhangi bir mosfet sürücü kullanmadan direk işlemci çıkışından mosfeti kontrol edebilirsiniz. o bahsi geçen +-16 volt maksimum değerler yani "l" serisine 12 volt verince yanmıyor sadece doyuma 5 volt lada giriyor durum bu

Gate in iletime geçtiği kısım önemli. İd ve
Vgs grafiklerini inceleyiniz.
IRFZ44 ~7.5V civarında iletim durumuna
gecerken IRLZ44 ~2.5V civarında geçiyor.
Bu nedenle; ya transistör ile takviye yapılacak
ya da gate eşiği düşük mosfet kullanılacak.
Akıma ihtiyacimiz olduğunda mecburen
gate gerilimini sınırlar dahilinde yükseltmemiz
gerekecektir. Çok durumda bu 3.3V. veya 5V.
ile yetmeyektir. Mos sürücü veya transistör
ile sürmek gerekecektir. 
Gate gerilimi Rds(on) direncine direkt etki
edeceği için mos üzerinde harcanacak
gücü de etkileyecektir.     

mosfetin hızlı anahtarlamasıda input capacitance ile alakalı bir mevzudur. input capacitanci yüksek  mosfetler yavaş anahtarlanırlar. Hızlı anahtarlama için capacitanci çabuk doldurup boşaltmak gerekiyor. bunun içinde akım basmak gerekiyor. mosfet driverlar bu giriş kapasitansını hızlı anahtarlamak için akım basarlar. bu yüzden 1A vs gibi değerler olur. yani 1 kazançlı bir yükselteç için mosfet kullanmak mantıksızdır transistör kullanmak mantıklıdır

Neden Mos Fet kullanmalıyım:

Kabaca, iyi yanları.

- Aynı kılıftaki bir transistöre göre daha yüksek güç verebilir,
RDS on yani Drain Source arasındaki Saturasyon anındaki için direnci mΩ sevilerinde olduğunda yüksek akımlarda çok uygulamada soğutucu olmadan kullanılır,

- Transistörün aksine Akımla değil Voltajla sürüldüğünden ve Gate akımı çok çok az olduğundan çok yüksek akımlı olanları bile direkt mikroişlemciden sürülebilir,

- Transistorde olduğu gibi 50Amper akıtmak için arkasına 3 transistör istemez,

- Aynı akımdaki bir transistöre göre çok daha az ısınır.



Zayıf yanları.

- Yüksek frekans sınırı vardır, sanırım 40kHz sınırındalar,

- Lineer bölgede kötü performans sergilerler,

- Hızlı çalışmalarda Gate kapasitesi sebebi ile zorla kesime götürülmesi zorunludur, dolasiyle MosFet Driver kullanılmalıdır.

- Uygulamada asla Gate boş yada bağlantısız bırakılmamalıdır tetiklenip kontrolsüz çalışır.

Konu biraz "Niçin Mosfet kullanırız"'a kaçmış. Mosfet'i kullanmaya başlayacak isek öncelikle terminalleri arasındaki ilişkiyi kavramamız gerekiyor.

Bu elemanın 3 bacağı var. Gate, Drain,Source
(http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran35.gif?x98918)

Bu elemanlar on-off kontrolü olarak kullanılabileceği gibi yükselteç olarak da kullanılabilirler.

aşağıdaki şekle bakalım

(http://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amp88.gif?x98918)

Şekilde görüldüğü gibi 3 çalışma bölgemiz var. Bunlar Cut-off, Ohmic, Saturation

Eğer Vgs yani Gate gerilimi - Source gerilimi 0V civarındaysa Drain den Source a hiç akım akmaz. Mosfet kesimdedir.

Diğer bölgeleri diğer ileti de anlatayım. Ben bunları yazarken nele konuşuldu bilemedim. Konu akışı uygun olursa bu şekilde anlatabilirim

Muhittin Hocam,
Çok teoriye girmeden, kısa ve öz olarak,

Source pini referans noktamız.

Gate e uygulanan gerilim yani Vgs gerilimi, Drain - Source arasındaki ana akım kanalının üstünde bir vana gibi işlem yapar.
Bu vana Vgs ye göre az veya çok açılır. Bunun açıklık oranına D-S arasındaki empedans denir, yani Rds .
Vana ne kadar açık ise Rds direnci o kadar az, tersinde de tersi.

Mosfeti genelde lojik olarak kullandığımız için (1-0) bu vanayı ya tam açmaya çalışırız ya tam kapamaya.
Kapatmak kolay, Vgs = 0V yaptınızmı çok uygulama için yeterlidir.
(Bu konuştuğumuz enhancement mosfet tipleri için, anahtarlama için genelde bunlar kullanıldığından enhancement terimini kullanmak bile unutulmuştur diyebiliriz, çünkü geneli enhancement yapıda, bu terim ile kafanı karıştırmana gerek yok şimdilik).)

Vanayı açmak istiyoruz, Vgs yi arttırıyoruz. Belli alt değerlere kadar (2,5V-3V gibi diyelim) vanadaki haraket çok az oluyor.
3 - 3,5V gibi diyelim (tipik değerdir, değişir) bu değerlerden sonrada vana hızla açılır.
Vgs = 5V da çok uygulama için vana yeterince açılmış ve Rds çok uygulama için yeterince düşmüştür mesela 100 miliOHM gibi.

Vgs arttırılmaya devam edilirse Rds düşmeye devam edecektir ancak artık düşmedeki değişim oranı çok daha az görünecektir.
Genelde Vgs için 15V sınır değer belirtirler. İyi bir Rds(on) değeri 12V Vgs ile yakalanabilir.

Mosfeti pwm gibi uygulamalarda kullanıyorsak Vgs'nin LOW - HIGH - LOW gecişleri olabildiğince hızlı olması istenir. Sebebi 0 ila HIGH değeri arasında yükselme ve düşme anında bir çok değer Rds direncinin birkaç ohm, kilo ohm gibi olduğunu düşünürseniz, bu direnc değerleri gecen akım ile çarpılınca ısı olarak açığa çıkacaktır, bu gibi bölgelere linear çalışma noktaları diyoruz. O sebeple bu noktaları olabildiğince hızlı gecmemiz gerekiyor ki ısı kaybı az olsun.

PWM deki, 0 dan HIGH 'e veya HIGH'den 0'a gecişlerde bu ara bölgenin hızlı gecilmesine zorluk gösteren bazı yapısal parametreler var.
Gate Source arası bir kapasite etkisi yapar, kapasitelerde de bir enerji saklanır,
bir kapasite de, şarj veya deşarj olurken dışardaki uygulanan enerji ile içinde birikmiş enerji farkınca Vgs geriliminin gecişlerindeki dikliğine olumsuz etki eder ve bu ara bölgelerde daha fazla süre gecer, bu da daha fazla ısı açoğa çıkması demektir.

Bu etkiyi en aza indirmek (yani bu bölgenin en hızlı geçilmesi için) için Vgs ye zorba davranmak gerekir, bu amaçlı gate driver elemanları üretilmiştir.

Ancak LED sürme gibi çok işlem için bu driverlara gerek kalmaz.

Toparlarsak,
Vgs yi sürecek MCU pini 5V gibi ise Rds(on) direncini yeterince düşürebileceği için çook iş için, MCU pininin direk bağlanması yeterlidir. ben 10R gibi koruma amaclı bir direnç araya giriyorum o kadar.

Bir de Gate Source arasına 10K gibi bir direnç bağlanmanız önerilir, buna sebep de gate ucu boşta kalırsa (mesela mcu pini input oldu veya başka bir sebep) gate çok yüksek empedanslı olduğu için küçük enerji birikimleri ile Rds nin ara değerlerde olmasına, o değerlerde beklemesine ve mosfetin yanmasına sebep olabilir.

Yavaş iletime gecsin dediginiz durumlarda yani rampali calismada gate e direnc baglayabilirsiniz.

(https://s17.postimg.cc/dzlk2z3y3/MOS.jpg) (https://postimg.cc/image/dzlk2z3y3/)

Mosfet'i ayarlı bir direnç gibi düşünün. Akımı (N kanal için) Drain'den Source' a doğru akıtan bir ayarlı direnç.  Mosfetin iç direncine de Rds(on) deniyor.

Gate'e uyguladığımız gerilimle bu direncin değerini değiştiriyoruz. Bu gerlimin adı Vgs, yani Gate-Source voltajı.
Vgs yaklaşık 2-4 volt olana kadar mosfet kesimde kalıyor, bunu aşmaya başlayınca iletime geçiyor, buna eşik voltajı VGS(TH) denir. Bu değer katalogda yazar.

Vgs yükseldikçe mosfetin direnci düşüyor, buna "lineer bölge"deniliyor. Vgs 10V civarına yaklaşınca mosfet satürasyona ulaşıyor, yani Rds(on) minimum değerine düşüyor. IRFZ44 için bu değer 18 miliohm. Bundan sonra Vgs artsa da bu değer değişmiyor. Vgs en fazla 20 V olabiliyor, bundan sonra mosfet bozulabilir.

Mosfeti gerilimle kontrol edildiği için, gate akımı nA seviyelerinde. Yani on-off çalıştırcaksak (OFF 0V, ON 10V) akımın bir önemi yok, bir opampla, 7407 gibi bir çiple bile sürebiliriz. Burada dikkat edilmesi gereken mosfeti lineer bölgede çalıştırmamak. Lineer bölgede içdirenç Rds(on) büyük olacağı için Drain-Source Voltajı (Vds) büyüyecek bu da mosfetin ısınmasına sebep olacaktır.

Yukardaki şemada lambanın 5A çektiğini yani Drain akımının (Id) 5A olduğunu farzedelim, Vgs de 10V olsun.
Rds(on) = 0.018 Ohm.
Drain-Source voltajını hesaplayalım:
Vds = Rds(on) x Id  Vds = 0.018 x 5  Vds = 0,09 V
Yani mosfet üzerinde 90 milivolt voltaj var.
Şimdi de üzerinde harcanan gücü hesaplayalım:
Pd = Id x Vds    Pd = 5 x 0.09   Pd = 0,45 W
Yani IFZ44'ün üzerinde 5A yükte harcanan güç 0.45 W imiş.

(https://s15.postimg.cc/f6lkl6mlj/moscap.jpg) (https://postimg.cc/image/f6lkl6mlj/)

Mosfetleri yüksek frekansla (PWM) sürmeye başladığımızda anahtarlamada önemsiz olan gate akımları önemli olmaya başlıyor.
Çünkü Gate-Source aras8ında Ciss ve Gate-Drain arasında Crss denen kapasiteler var. Bunlar frekans artıkça gate akımının artmasına sebep oluyorlar (Bakınız : kapasitif reaktans)

Bu yüzden mosfet yüksek frekanslı PWM ile sürülecekse güçlü bir sürücü ile ON-OFF yapılması gerekiyor. Yani Vgs tam kare dalga olmak zorunda ki lineer bölgede kalmasın. Yumuşak çıkışlar ve yumuşak inişler transistörün lineer bölgede daha çok zaman geçirmesine dolayısı ile daha çok ısınmasına sebep olur.

P tipi mosfetlerde akım Source'dan Drain'e doğru akar. Vgs ise negatif olmak zorundadır. Yani  Source'da 20V var ise Gate gerilimi 10V olmalıdır.   

IRLZ tipi lojik ile sürülebilir mosfetlerde Vgs satürasyon voltajı daha düşük oluyor, 10V yerine 4.5 - 5V ile sürülebiliyor. PIC ile doğrudan sürülebilir, tabii düşük frekansta...           

Direk MCU ile süreceksek 5 veya 3.3V vermekten başka şansımız yok. bu durumda şöyle bir sorum var.
Yukarida anlatılanlara göre bir Vgs 10-12V civarı verebileceği Maximum akımı alabiliyoruz. Buraya kadar OK.
Peki bu Vanayı Az açarsak Mosfete zararı yokmu? Sadece Mosfetten %100 faydalanamamış mı oluyoruz?
**PIC ile tetiklediğimizde (örneğin 5V) 5/16 ile Mosfet akımını %30 ile sınırlamış mı oluyoruz? (IRLZ44N)

Vanayı az açmak Rds direncinin yükselmesi demektir.
Bir direnç üzerinde harcanan gücü hatırlayın
I x I x R

Mosfetin daha fazla ısınması demek.

Mosfet anahtar olarak kullanılıyorsa ( ki pwm kullanımında öyle ), anahtarın on durumunda en az direnç, off durumunda en fazla direnç hedeflenir.

silikon yapiya zarar verirmiyiz gibi bir soruysa kafaniza takilan, datasheetlerde hic boyle bir aciklamaya rastlamadim bipolar transistoru nasilki base akimini ayarlayarak farkli kazanclar elde edebiliyorsak moslari da gate voltajini ayarlayarak kullanabilirsiniz. OG nin de dedigi gibi isi faktorunun mutlaka malzemenin omru uzerinde etkisi vardir ama mosfeti kac yil kullanmayi dusunuyorsunuz ki? 30 yil calisan bipolar gordum.

Konudan "Basitliğinden" Uzaklaşıp, çok derinlere girmeyelim, yüzme bilmiyoruz.

yarın gidip hangi MOSFET i hangi transistörü hangi malzemeyi alayım ?

Devreyi Nasıl kurayım (MCU dan 1-0 yapalım ve şöyle akım çekebilecek birşey kontrol edelim. Örneğin OTO STOP lambası gibi -12v 21W yazıyordu)

@muhittin_kaplan: Abi olayın sihirli yanı yok. Yok 8V-12V-15V gerekiyormuş mosfet için palavra inanma onlara. İnanmayan Nixie projeme bir göz atsın, 170V üretiliyor 5V'tan, ee özel bir mosfet de seçmedim nasıl oldu bu; şöyle oldu.

Öncelikle yazalım, mosfetler çok narin, hassas, kırılgan varlıklar, bunlara gerekli özeni göstermezsek çabuk bozulurlar.

IRFZ44'ün mü varmış. Mis gibi mosfet, en fazla 5V'tun mu var korkma.

Şimdi buradaki mosfet datasheet'ini kullanıyorum: http://www.vishay.com/docs/91291/91291.pdf
Sonra başka yerdekini bulup o da böyleymiş denmesin.

1) Şimdi abi ilk bakacağın şey mosfeti sürme yöntemi. Yükün nerede olacak, ona göre işler değişiyor, sen en basit işlemi yap, low side sür, yani yükün yukarıda olsun, böylelikle N kanal mos kullanabilirsin, mis gibi.
(http://i.stack.imgur.com/a0yBQ.jpg)

2) Sonra mosfetinin dayanacağı maksimum gerilimi bulman lazım, burasını sana bırakıyorum, zaten mosfetin ne diyor bak. Ne yap ne et benim gerilimimi 60V'tu geçirme diyor. Geçerse ne olur, mosfet=zener diyot olur, ve o anlık enerjiyi kaldıramazsa güm!
(http://i.hizliresim.com/3vPg04.png)

3) Yukarıdaki grafik bir kaç şey daha söylüyor, benim silikon sıcaklığını 175C'ye çıkartma falan diyor. Daha bunun kılıfı soğutucusu var, bizim oraya gelinceye kadar ısıl dirençle karşılaşacak, yani dışarıdan yaklaşık 100C'yi geçirmemeye özen gösterelim. Bu kısım çok detaylı, aşırı aşırı detaylı, hot spotlar, cycle by cycle ısı hesaplamaları vs. var. Hiç girmeyelim şimdi bunlara.

4) Sıra gelsin mosfeti 8V-12V-15V ile sürebilirizlere. Mosfet'in altın kuralı şudur abim, threshold voltajını geçince gate source uçlarında, ince kanal oluşmaya başlar Drain-Source arasında. Sen bastıkça gerilimi, elektrik alan artar, kanalın alanı genişler, akım daha fazla artar. Eh senin 5V'un varmış, ne kadar ekmek o kadar köfte, senin de 5V'luk kadar akım kanalım olsun. Bak o zaman neler oluyor; senin mosfetin 5V gate/source geriliminde maksimum ~23A civarında akımın akmasına neden oluyor normalde 12V uygulasan bu akım +100A civarında olacak ama o değer seni kurtarıyorsa problem değil.

(http://i.hizliresim.com/jXjNPr.png)

5) Gate/source gerilimin düşük olduğu için grafiklerde verilmemiş yalnız Rds-on direncin biraz yüksek olacağından, mosfet iletim kaybında ona nazaran fazla olacak, buna dikkat etmen gerekiyor.

Senin yerinde olsam alırım bir tane TC4427, alırım IRFZ44'ümü, bağlarım 5V'tumu, mis gibi sürerim istediğimi. Boost convertor yapabilirsin mesela, hatta flyback bile yapabilirsin. Olay bu kadar.

Alıntı yapılan: muhittin_kaplan - 05 Aralık 2016, 23:42:51
Konudan "Basitliğinden" Uzaklaşıp, çok derinlere girmeyelim, yüzme bilmiyoruz.

yarın gidip hangi MOSFET i hangi transistörü hangi malzemeyi alayım ?

Devreyi Nasıl kurayım (MCU dan 1-0 yapalım ve şöyle akım çekebilecek birşey kontrol edelim. Örneğin OTO STOP lambası gibi -12v 21W yazıyordu)

-12V ifadesi Negatif değilmi. Negatifse Mosfetimiz "P" kanal olacak. Bu durumda 12 volt için 15-20 Volt arası en az 2 Amper bir Mosfet e gerek var. Voltaj için seçimde cömert davranmayalım malum ne kadar az voltaj o kadar düşük RDS ON direnci. Fakat akımda bir az cömert olabiliriz. Seçim yapıp yazıyorum.

grafik le açıklaman on numara olmuş, datasheet lerde görüyoruz ama anlamıyoruz.

baktım TC4427 mosfet sürücüymüş,Eskişehirde bulamayabilirim.(onun için sonraki aşama bunlar)  Yukardaki N kanal için olanın direnç değerleriyle alakalı bir bağıntı var mı ?

yok hocam -12 dan bahsetmiyorum, yazım hatası olmuş

Alıntı yapılan: muhittin_kaplan - 06 Aralık 2016, 00:22:16
grafik le açıklaman on numara olmuş, datasheet lerde görüyoruz ama anlamıyoruz.

baktım TC4427 mosfet sürücüymüş,Eskişehirde bulamayabilirim.(onun için sonraki aşama bunlar)  Yukardaki N kanal için olanın direnç değerleriyle alakalı bir bağıntı var mı ?

yok hocam -12 dan bahsetmiyorum, yazım hatası olmuş

Gate'ten source'a olan direnç 4k7-10k-22k gibi büyük değerler. Amacı şu, olurda gate ucu boşta kalırsa, orada ahlaksız bir tane gate kapasitesi var, etraftan dolabiliyor, o da mosfeti yanlışlıkla açabiliyor. Bu olmasın diye gate'i toprağa çekiyoruz.

Diğer direnç ise sürücüden gate ucuna geliyor. Gate ucunda 10nF-22nF gibi bir kapasite olduğunu düşün hocam içinde, kapasiteyi dirençsiz doldurup boşaltırsan ne olur, anlık teorik sonsuz akımlar geçer. Bu da senin sürücünü, mosfetini haşat eder. Bu olmasın diye 10R, 22R falan koyuyorsun yola. Koyduğun her direnç, gate kapasitesi dolumunu da yavaşlattığı için mosfetin açıp kapanma anları yavaşlıyor bu da kayba neden oluyor, senin için önemsiz ama. 3.3V ile süremezsin mosfeti yalnız, sürsen de sağlıklı olmaz. Direnç'nette falan var TC4427, söyle gelsin :)

Eskişehirde Grup elektronik olmalı Hocam onlarda vardır. Yoksa istet gelsin.

Alıntı YapKoyduğun her direnç, gate kapasitesi dolumunu da yavaşlattığı için mosfetin açıp kapanma anları yavaşlıyor bu da kayba neden oluyor.

İşte bu yüzden pwm benzeri uygulamalarda yüksek akımlar anahtarlanacaksa 5v yerine 12..15v kullanmak gerekiyor.

tamam edinelim ondan. peki ozamana kadar MCU yu boşverdik, 12v ile deneylere başlayalım.

MCU 3,3V ise ve
LED falan süreceksen mosfet driver kullanmaya zorlanma,

1 bjt transistor (bc237 tarzı bir tr) 2 direnc ile invert yaparsın, pwm değerini de yazılımda invert sürersin.

MCU pwm çıkışı 1K gibi bir direnç ile BC237 bazına
BC237 emetor GND de
BC237 kollektör 1K gibi bir direnc araya girerek +12V veya +5V gibi daha yüksek + gerilimde.
Yine BC237 kollektor mosfetin gate ucuna.

Bu kadar.

Yok illa pwm invert olmasın dersen aynı devreden 1 tane daha araya girince pwm true olur.

Sürücü entegresini bulamazsanız mosfeti  TLP250 gibi  bir opto coupler ile sürmeniz hoş olur.

(http://i.hizliresim.com/zaYqa6.png) (http://hizliresim.com/zaYqa6)

Aslında bir ara mosfet vs. datasheeti nasıl okunur şeklinde bir video hazırlamak gerek; kendime not olsun.

(https://s18.postimg.cc/6lt5w92gl/image.png) (https://postimg.cc/image/6lt5w92gl/)

@muhittin_kaplan  abi konuyu baltalamak niyetinde değilim.Ancak bir yerde kafam karıştı. Müsadenle sormak istiyorum.

Burada bahsi geçen mosun lineer bölgede çalışma meselesi, mosun gate ucuna bağlanmış 22R direnç mi yoksa mosun imalatı sırasında oluşan bir direnç var, o mu?

Bu Rds nin konuyla ilgisi nedir?

Açıklandıysa ve gözden kaçırdıysam bağışlayın.

Mümkün olduğunca "bak bununla sürersin" yada "uğraşma burada sürücü var" çözümlerinden ziyade, "devreyi şöyle kurduk çünkü bu direnç mos içindeki kapasiteyi boşaltmak için kullanılır, kurduğumuz devrede söküp bakalım neler oluyor", gate ucunda transistörle bir eviren yükseltek koyduk çünkü tarzında  basit bir devre kurulup, üzerinden gidip "ders" niteliğinde olması herkes için faydalı olacak sanırım. 

Hadi şu direnci değiştirelim ;)

Alıntı yapılan: FxDev - 06 Aralık 2016, 10:17:16
Aslında bir ara mosfet vs. datasheeti nasıl okunur şeklinde bir video hazırlamak gerek; kendime not olsun.

Dört gözle bekliyorum Hocam. Sürekli bilgiye aç olan biri olarak,  fazla arayı açmayın.

irfz44 ve bc237 ile yapılacak bu nabenzer birşey sanırım.
(http://i.hizliresim.com/1Vr3oB.png)

hocam konuyu dikkatle okuyorum zira bizimde eksiklerimiz çok fazla, bende aşağıdaki şekliyle 300v luk bir gerilimi pwm ile kontrol etmek istedim ama çalıştıramadım. bu devrede nerde hata yapmış olabilirim ki çalışmadı. ben 2-3hz de %1-%2 doluluk oranı ile sürmeye çalıştım ama olmadı.
(http://4.bp.blogspot.com/-Dk7PjN576ek/UPvn4v8I1NI/AAAAAAAAAaI/pyhB2pXQcEw/s1600/IR2110+-+4.png)

Gate ucunda osilaskopla ne görüyorsun.

Alıntı yapılan: Melih1802 - 06 Aralık 2016, 13:12:47
Gate ucunda osilaskopla ne görüyorsun.

bakmak aklıma gelmedi ustam ya, ne görmeliyim. acaba gate de girişin ters işaretini mi görmeliyim 300v olarak

Yük nasıl bir şey?

Alıntı yapılan: Zoroaster - 06 Aralık 2016, 13:27:24
Yük nasıl bir şey?

hocam 1A yı geçmemem lazım. yani çin işi 300w lık basit bir inverter çıkışını doğrultup 280v DC civarını elde ettim. elimdeki bu voltajı inverterin kapanmaması ve 1A yı geçirmemek adına pulse ile duty değeri ile oynayarak kontrol etmek istiyorum.

Duty oranına göre kare dalga görnem lazım.

Alıntı yapılan: pro-TR - 06 Aralık 2016, 13:37:01
hocam 1A yı geçmemem lazım. yani çin işi 300w lık basit bir inverter çıkışını doğrultup 280v DC civarını elde ettim. elimdeki bu voltajı inverterin kapanmaması ve 1A yı geçirmemek adına pulse ile duty değeri ile oynayarak kontrol etmek istiyorum.

Tamam da bu devrenin çıkışına yük bağlamazsan devre çalışmaz. Üstelik yükü beğenmemezlik de yapabilir.

Çıkışa bir lamba vs bağla bir daha dene. (2 adet 220v seri lamba)

Alıntı yapılan: FxDev - 06 Aralık 2016, 10:17:16
Aslında bir ara mosfet vs. datasheeti nasıl okunur şeklinde bir video hazırlamak gerek; kendime not olsun.

+1 opamp ta ilave edilebilir.

hocam yük olarak 1 tane 60w lık ampulüm vardı, şimdi benim ampulümü beğenmedi bu devre? peki o zaman devre benimi ben devreyi mi kontrol edecem? >:( hocam o zaman beni beğenecek bir sürücü katı başka ne olabilir? yada nasıl modifiye edebilirim.
1 opamp ilavesinin amacı ne olacak ki üstelik 300v kısmına bağlantı sıkıntı yaratmaz mı?

Muhittin,
BC237'nin base'i ile GND arasına yüksek omajlı direnç (22K mesela) koy ki base boşta kalıp havadan nem kapmasın.
Bu şemayla mosfeti sadece ON-OFF deneyebilirsin, o da ters çalışır.  Düzeltmen için bir BC237 daha koyman gerek.

Daha önce verdiğim şemada gate'de trimpot vardı, onunla gate'e uygulanan gerilim Vgs - Rds(on) ilişkisini inceleyebilirsin. 

@pkelle hocam şu an ters doğru pek önemli değil.

aşağıdaki devrede RL bir oto ampulü.

yaptığım ölçümler

DS arası OFF iken  yaklaşık 12V
DS arası ON iken yaklaşık  90mV

Yük 300mA akım çekiyor. (doğrudan kaynağa bağladım, Mos üzerinden sürdüm değişim fazla olmadı.)

(http://i.hizliresim.com/l39nqX.png)

Alıntı yapılan: muhittin_kaplan - 07 Aralık 2016, 00:01:31
@pkelle hocam şu an ters doğru pek önemli değil.

aşağıdaki devrede RL bir oto ampulü.

yaptığım ölçümler

DS arası OFF iken  yaklaşık 12V
DS arası ON iken yaklaşık  90mV

Yük 300mA akım çekiyor. (doğrudan kaynağa bağladım, Mos üzerinden sürdüm değişim fazla olmadı.)

(http://i.hizliresim.com/l39nqX.png)

Hocam 1000 ohm Vgs direnci düşük olmuş biraz, 4k7 - 10k arası bir direnç ile Vgs 10 Volt civarına ulaşacaktır, ya da gate direnci düşürülebilir,  bu sayede  mosfeti neredeyse tamamen on konumuna getirebiliriz.

Bir de aşağıda açtığım konuya ara sıra göz atmanızı tavsiye ederim.

https://www.picproje.org/index.php/topic,66581.msg520050.html#msg520050

hocam orada bir yanlışlık olmuş G-S arasındaki R 10Kohm
ve Vgs=9,43v

Yöntem doğru,
330R yi de düşürebiliriz.

@OG hocam onune bc237 koydum ama ben evirmeyen yaptim. Yarin bu tr yi mcu ile surecegim.
(Su datasheet deki grafikler veriler vb bilgileri yorumlamak var. Sanirim bu konuda @FxDev yardim edecek.)

http://tinyurl.com/jd7q4ao

Alıntı yapılan: muhittin_kaplan - 07 Aralık 2016, 01:31:46
@OG hocam onune bc237 koydum ama ben evirmeyen yaptim. Yarin bu tr yi mcu ile surecegim.
(Su datasheet deki grafikler veriler vb bilgileri yorumlamak var. Sanirim bu konuda @FxDev yardim edecek.)

O konuda bir video ya da yazı yazacağım hocam, özellikle mosfetle alakalı ne nedir, neye göre mosfet seçilir vs.

Konuyla alakalı, olayı anlama açısından bir sorum var. Bu mosfet, igbt sürmek için Vgs arasına belirli bir voltaj girmemiz lazım. Örneğin igbt max 20v, datasheet grafiklerden 15v ile ideal sürebileceğimi gördüm veya düşündüm. Lineer bölge denilen olay da mevcut. 10v a kadar lineer bölge olsun. 10v da iç direnç yüksek, sürersek transistör dayanamayıp uçuyor. O zaman hiç 10v a uğramadan doğrudan 15v verebilirsek bu lineer bölgeyi aşmış oluyoruz fakat bu mümkün değil anladığım kadarı ile. O zaman çok çok hızlı bir şekilde 0 dan 10v üzeri voltaja ulaşmamız lazım ki iç direnç çok kısa sürede aşılsın. Bu işlemi çok çok hızlı yapabileceğimiz yani mükemmele yakın kare dalga oluşturabileceğimiz bir sürücüyü nasıl yapabiliriz? 10v a kadar iletimde olmayıp sonrasında iletime geçen zener gibi birşeyden faydalanabilirmiyiz? Bir amatör olarak, tamamen olayı anlama adına, kişisel zevk ve merakımdan soruyorum. Aslında ziraat mühendisiyim. Bitki gelişimi deneylerim için gerekli yapıları kurma adına araştırma yapıyorum, bilgisizliğimden dolayı beni mazur görün lütfen. Şimdiden teşekkürler...

Gate voltajını hızlıca artırıp azaltamayışımızın sebebi gate bacağından görünen kapasite.

Bu kapasitörün voltajını hızlıca azaltıp çoğaltmak için yüksek akım veren sürücü ile mümkün.

Siz "gate"e kare dalga vermeyi düşünseniz dahi gate kapasitesine yeterince akım basamıyorsanız gate voltajı kare dalga formunda olmaz.

Bir kaç yüz mA'den bir kaç ampere kadar akım basabilen çok değişik MOS/IGBT sürücü çipleri bulunabiliyor.

Bahse konu lineer bölgedeki kayıpları sineye çekmekten başka çare yok.

Snubber devreleri ile MOS/IGBT üzerindeki stres azaltılıyor zaten.

MosFet Gate ucu kesimdeyken "0" volt, İletimdeyken 15-20 Volt seviyelerinde olduğunda MosFet üzerindeki "Source-Drain" arasındaki direnç çok çok az (mΩ) olduğundan akan akım ısınmaya sebep olmaz.
Bu durum, Örn: Gate bacağına 3Volt verince bu iç direnci ile ( Lineer Bölge ) üzerinde fazla güç harcayacağından çok fazla ısınır. Bu ısı bir anda Mosfet üzerindeki çekirdek üzerinde bağlı bulunduğu soğutucu yüzeye ulaşmadan çekirdeği yakar. Bu sorun genelde Soğutucu bağlanmamış Mosfetler de görülebilir.

Gate ucundaki kapasite değeri pF mertebelerinde olmasına rağmen, hızlı aç/kapa işlemlerinde ideal kare dalga formunu bozacak kadar etkili olur. Bu bozulma genelde Kare dalga şeklinin kenarlarının radüs etkisi almasına sebep olarak MosFetin Lineer bölgede kalma süresini uzatır. Bu etkiye Kare dalganın "0" dan "20volt" a erişme ve düşme ( RiseTime FallTime ) de eklenince RiseTime FallTime+Radüs etkisi Mosfeti ne kadar da ideal şekilde sürmek istesek te ısıtır.

Maalesef MosFet in iç yapısı sebebi ile bu etki Minimum' a inse bile bazen rahatsızlık verecek kadar ısınmasına sebep olur. Uygun hesaplanmış bir soğutucu v.s ile bu ısı emilerek MosFet korunur.

Alttaki çizimde RiseTime FallTime ve Radüs etkisi açık olarak verilmiştir.




(https://s18.postimg.cc/k3ubpfnjp/Addtool_rise_time_5.png) (https://postimg.cc/image/k3ubpfnjp/)

Anladığım kadarı ile biz mükemmel kare formunda gerilim uygularsak bile, gate kapasitesinin yüklenmesi zaman alacak ve bizim mükemmel kare dalgamızın köşesinde bozulma meydana gelecek. Doğal olarak bu radius yani 0v dan lineer üstü voltaja kadar geçen süre çok kısa da olsa transistörün lineer bölgede çalışmasına neden oluyor. Bu süreyi kısaltmak için de gate kapasitesini mümkün olduğunca hızlı yüklemek, fakat bunu yaparken de belirtilen sınırların dışına çıkmamak lazım.

Bahsettiğiniz yüksek akımlı sürücüler bu kapasitenin mümkün olduğunca hızlı yüklenmesini, lineer bölgede çalışma süresini kısaltmakta sanırım. Peki bu gate bacağına uygulanacak akımın sınırını ne belirliyor? Datasheet ten input kapasitans, output kapasitansa göre bir değer mi belirlemeliyiz?

Gate sürme hızı arttıkça karedalgaya benzeyecek bunun karsiliginda EMİ de artacak.

Herşey de olduğu gibi bunun da bi orta yolu var.
Ne çok kayıpli ne de çok dik...

Gate akımı söz konusu olunca, Gate sürerken ben biraz abartmakta sakınca görmüyorum. Nasıl ki 10mA çeken bir led içim 20Amper güç kaynağı kullanabiliyorsak MosFet sayısına göre ( Paralel bağlı MosFetler ) Datasheet ten bakıp Min akımı bulup Max sınırını aşabiliriz.
Bilindiği gibi Akım ihtiyacını yük, yani burada Gate belirler biz sürücü entegresini 1A veya 10A da seçsek Mosfet ihtiyacı olduğu kadarını kullanacaktır.

Her ne kadar MosFet sürücü entegresi kullanılsada ben her zaman Gate ucuna 1K gibi bir değeri ihtiyaten kullanırım. Gerekli veya şart olmayabilir ama bulunması bir + oluşturuyor.

1k yı gate serimi bağlıyorsunuz yoksa source gate arasınamı ?

Alıntı yapılan: sadogan - 10 Aralık 2016, 20:09:15
1k yı gate serimi bağlıyorsunuz yoksa source gate arasınamı ?

Gate GND arası.

Gate source arası diyelim

Alıntı yapılan: Allegro - 10 Aralık 2016, 22:41:12
Gate source arası diyelim

Hocam yazarken onu bende düşündüm, ama takıldığım bir yer oldu.
Varsayalım MosFet Source bacağında Akım kontrölü için bir X değerde direnç var, bu durumda etkileşim yapmaması için ( Source bacağındaki darbelerin Gate bacağını geri etkilemesi gibi ) Gate GND arası yazdım.

Alıntı yapılan: Allegro - 10 Aralık 2016, 22:41:12
Gate source arası diyelim

Hocam konuyu karıştırmak istemem yeri gelmişken bir soru sormak isterim. Bazı devrelerde High low sürme işlemi yapılırken, 10k gibi bir direnç High mosfetinin Gate bacağından, Source' e değil de GND ye bağlanıyor. Bu yanlış mıdır yoksa bir mantığı var mıdır ?

Devrede gate'i surecek yeterli voltaj yok ise mosfeti kesime goturmek icin emniyet amacli kullanilan bir direnc, genelde source bacagina baglidir, fakat tasarimlar genelde N-Ch mos ile gnd bazli yapildigindan olsa gerek; aklinizda oyle kalmis olabilir.

Bir mosfetin Gate'i için referans noktası kendi SOURCE ucudur, tabiri caiz ise GND sidir. 
Mosfet driver kullandığınızda, bu yapıda H bağlantı varsa, doğal olarak, üstteki mosfetin SOURCE ucu GND de olmaz,
ancak driver, o mosfetin source ucunu referans kabul edip, gate'in sürülme elektriksel yapısını source pinine kıyaslayarak şekillendirecektir.

(https://i.ibb.co/LP69tfB/IR2301.jpg) (https://imgbb.com/)


(https://i.ibb.co/zrMkkw7/3211.png) (https://ibb.co/80ChhVd)


(https://i.ibb.co/DQzvnqD/yNWTc.png) (https://ibb.co/dDjVyh0)



(https://s20.postimg.cc/tyg56s1ul/IR2301.jpg) (https://postimg.cc/image/r4cztbzo9/)resim upload (https://postimg.cc/index.php?lang=turkish)

(https://s20.postimg.cc/r5mxmr1i5/3211.png) (https://postimg.cc/image/5j7x5q2xl/)resim yükleme servisi (https://postimg.cc/index.php?lang=turkish)

(https://s20.postimg.cc/prvarg28t/y_NWTc.png) (https://postimg.cc/image/aj5ddo8k9/)resim yüke (https://postimg.cc/index.php?lang=turkish)

Alıntı yapılan: OG - 11 Aralık 2016, 00:00:40
Bir mosfetin Gate'i için referans noktası kendi SOURCE ucudur, tabiri caiz ise GND sidir. 
Mosfet driver kullandığınızda, bu yapıda H bağlantı varsa, doğal olarak, üstteki mosfetin SOURCE ucu GND de olmaz,
ancak driver, o mosfetin source ucunu referans kabul edip, gate'in sürülme elektriksel yapısını source pinine kıyaslayarak şekillendirecektir.

Ben cevabımı aldım sağolun hocam. O zaman High daki direncin source yerine gnd ye çekilmesi olağın dışı bir durum diyebiliriz. Teşekkürler.

irfz44 için Vgs ne olmalı ki Mos Saturasyon da çalışsın ?
Datasında nereye bakmalıyım ?

(http://i.hizliresim.com/41lGzL.png)

IRFZ44 için
RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– ––– 17.5 mΩ  VGS = 10V,    ID = 25A

IRLZ44 için
Drain-Source On-State Resistance RDS(on)  VGS = 5.0 V ID = 31 A - - 0.028Ω
                                                                VGS = 4.0 V ID = 25 A - - 0.039Ω

IRFZ44 den gidelim hocam;
Vgs 10v olduğunda Drain Akımı 25A demişsiniz ama yukardaki grafikte 110A gibi bir değer görüyorum.

(http://i.hizliresim.com/DBJyAm.png)
burada kırmızı ile işaretlediğim nokta

Vds=10v
Vgs=8v
Ids= ?

IRLZ44 ü örnek için verdim.
Drain akımının (Ids) saturasyonla ilgisi yok.
Katalog Vgs'nin 10 Voltta Rds(on)'un en düşük değerde olduğunu söylüyor.
Yani en düşük direnci veren gerilim satürasyon voltajı oluyor. 9 Volta da satürasyona ulaşabilir, ama katalog değeri 10 V.
IRLZ için bu değer 5V. Çünkü en düşük direnç bu görünüyor.

     

hocam IRLZ şu an konumuz dışında. IRFZ44 için Bu bilgiyi datasheet in neresinde bulabiliriz ?
(dataseet: http://www.infineon.com/dgdl/irfz44n.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3575220b )

(http://i.hizliresim.com/8P1Nyk.png)

Yazdım ya Muhittin.

(https://s30.postimg.cc/5hy25bv3x/rds.png) (https://postimg.cc/image/5hy25bv3x/)

gönderiğin ikinci tablonun
Vgs = 8 V
Vds = 10 V
Ids = 110 A
Rds(on) kaç?
Rds(on) = Vds / Ids
Rds(on) = 0.090 ohm

Yani satürasyondan uzak.
Vgs 10V olsaydı,
Vds = Rds(on) x Ids = 0.017 x 110 = 1.87 V olacaktı.

@muhittin_kaplan : Abi grafiğin köşesinde ufacık ne yazmışlar buna dikkat etmek gerekiyor.

20uS Pulse Genişliği ve Tj=25C diyor.
Şimdi ne demek bu, 20uS boyunca, silikon sıcaklığımı 25C'de tutarsan ve Vds gerilimimi sağ üsttekiler gibi kullanırsan, Vgs gerilimine karşılık benden akıtabileceğin akım değeri şudur diyor. Yalnız dikkat edelim, sürekli bu akımı akıtabilirsin demiyor, 20uS akıtabilirsin diyor. Ayrıca bkz. Safe Operating Area

Fig.3'te de 20uS ibaresi var.

Kısacası grafiklerden anladığımız şudur; Vds=10V, Vgs=8V iken 20us boyunca bu mosfetten sen 150A civarı akım akıtabilirsin diyor. 20us çok önemli.

Saturasyon şudur; başlıyoruz mosfetin gate'in gerilim vermeye, yükseltiyoruz, Id yükseliyor, biraz daha gate gerilimi veriyor Id yine yükseliyor, derken öyle bir noktaya geliyor ki Vgs gerilimini istediğimiz kadar arttıralım Id'de kayda değer yükselme olmuyor. İşte burası saturasyon değeridir. Adamlar boşuna değişik Vds gerilimlerinde test yapmıyorlar. Her değişik drain-source geriliminde ayrı saturasyon gerilimleri var fakat genel kanı en yüksek Vgs geriliminde olduğu yöndedir ki bu da bir nebze doğrudur.

en son verdiğim sayfada
10v 17.5mOhm 25A vermiş  değer olarak anlamı 10v vgs de 25A i i geçirebiliyorum ? (verdiğim grafiklerdeki 20us yi anlamamıştım zaten.) 20ms br anlamda burst oluyor.

ozaman @FxDev ben bu Mosfet denilen zavazingoya doğrudan gerilim uygulamaktansa 20us lik Pwm uygulasam daha güçlü çalıştırmış olurum ;)

Alıntı yapılan: muhittin_kaplan - 15 Aralık 2016, 13:48:36
ozaman @FxDev ben bu Mosfet denilen zavazingoya doğrudan gerilim uygulamaktansa 20us lik Pwm uygulasam daha güçlü çalıştırmış olurum ;)

hocam bu reklam tekniği. 150 A mosfet diyor satıyor.

(http://i.hizliresim.com/77vDAL.png)

şimdi buradaki grafikten anlamam gereken.
Güvenli Bölge Olarak
100uSec lik bir zaman biriminde Vds 20v ise 50A geçebilir. (eğer 1mSec olsa yaklaşık 15A)

Yahu reklam tekniği falan yok, olay sıcaklıkla ilgili.

Bu adamdan sürekli akım akıtacaksan I2R oranına bağlı kalırsınız. 20mOhm iç direnci varsa ve 10A geçirirseniz bu adam 2W ısınır demek.

Ama adam diyor ki atıyorum motor süreceksin ya da başka bir şey yapacaksın benden anlık 150A geçirebilirsin, bunun da süresi 20us diyor. Yahu bu 20us nereden çıkıyor neden 150A diyor olayı da "hot spot" olayından meydana geliyor. Yani şu oluyor, silikon alan anlık olarak 20us'lik puls ile sürülürse yani bizim anlayacağımız usul PWM uygulanırsa soğuyabiliyor. Datasheet 200A'i de görürsünüz ama safe operating area der ki hooop kardeşim benim ısıl ataletim var, bu ısıyı kılıfıma oradan da soğutucuna aktaramazsın, dolayısı ile ısı birikimi sonucu yatıiletkenim zarar görür diyor.

20us 150A geçirip, 20us geçirmemeniz beklenirse ortalama akım 75A civarı olur (aslında RMS'den gitmek lazım) bakın bakalım ortalık şenleniyor mu sonra.

İyi bir soğutma her halukarda yarı iletkenler için önemlidir.

Alıntı yapılan: FxDev - 15 Aralık 2016, 14:42:11
Yahu reklam tekniği falan yok, olay sıcaklıkla ilgili.

Aynen.
Böyle basit dalavereye ihtiyacımı var bu firmaların.

Güvenli Güç eğrisi içinde kalacaksınız.

@OG hocm bu güvenli güç yukarıda verdiğim grafikten çıkartılıyor değil mi ?
peki ben bu mosfetin nekadarlık bir freq da nekadarlık bir duty ile sürebileceğimi nereden bileceğim ?

Tc ve Tj sıcaklık değerlerini gösterilen sınırlarda tutabilmek önemli olan.
Yani buna, üzerinde ortaya çıkan ısıl gücü defetmek diyelim.

Bu başarıldığında, pulse, sürme süresi gibi sınırlamalardan kurtulursunuz.

Ne kadarlık frekans ve duty süresince sürülebilir sorusuna net bir cevap olamaz, propagasyon sınırlamalarına uyulmak zorundadır o ayrı konu.

Nominal çalışma frekansları içinde kaldığımızı düşünürsek,
sürme tarafında (gate) ve yük tarafındaki (drain) oluşumlar iyi bilinmeli.

Yük, reaktif yapıda ise iş daha kompleks hal alır. Rezistif yükler için daha kolay hesap imkanı bulursunuz, zaten datada da genelde rezistif yükler konuşulur, bunlara kapasitif yük etkileri az miktarda eklenerek bir şeyler söyler datasheetler. Çok bilinmezli reaktif yükler için ince hesap, ince ölçüm yolları şart gibi. Bir süre sonrada tecrübe haline gelir, "ben şu tip yükten şu şekilde rahat kullanırım, veya zorlanırım" gibi ön kabulleriniz oluşur.

Rezistif yükler için,
ön adımda,
ON_OFF gecişlerini ideal şartlarda yaptığınızı düşünüp hesap kolaylığı sağlarsınız.
ON durumunun süresince üzerinde açığa çıkan ısı, birim zaman içinde ne kadar ON ne kadar OFF durumu var, ona göre ortaya çıkan ısı. Yine birim zaman içinde ne kadar ısıyı transfer edebiliyorsunuz (soğutma sisteminizin toplam termal direnç yapısı).

ISI'yı defetme ve buna yeterli hızda yetişme işini bir an düşünmez isek (böyle bir sıkıntı olmadığını düşünürsek),
mosfeti, güvenli güç bölgesinde kalmak şartı ile, gösterilen akım değerlerinde istediğiniz zaman boyunca sürebilirsiniz (üretici ciddi firma ise ve datalarına güveniyorsak).
IRFZ 44 için açıp baktım (absolute degerler),
Maximum Power Dissipation (TC = 25 °C) PD = 150 W
Bunun anlamı, çalışırken 25 dereceyi koruyup, 150 Watt'ı gecme diyor. 25 dereceyi koruyorsan 150 watt sınırın var diyor.

Alıntı yapılan: muhittin_kaplan - 15 Aralık 2016, 14:12:46
(http://i.hizliresim.com/77vDAL.png)

şimdi buradaki grafikten anlamam gereken.
Güvenli Bölge Olarak
100uSec lik bir zaman biriminde Vds 20v ise 50A geçebilir. (eğer 1mSec olsa yaklaşık 15A)

Evet doğru.

@FxDev Hocam bir video bir yazı yapacaktınız(Mosfet Grafikleri Datasheet le alakalı) ama yoğunsunuz galiba ?

Hocam bu aralar az yoğunluğum var ama bu hafta içi buna bakmaya çalışacağım.

Hertürlü bilgiyi "çalmaya" ihitiyacımız var hocam. ;)

bu da şurada dursun;
https://www.youtube.com/watch?v=GrvvkYTW_0k

Peki bir soru:
logic level mosfetlerde gate akımı direk picden çıktıgından gate ucunu daha çabuk doldurmak için logic level mosfetlerle de mosfet sürücü kullanabilir miyiz?

Logic Level kabul edilmiş mosfet'in datasını açarız,
Örnek LL search sayfasından
http://www.nteinc.com/Web_pgs/LL_MOSFET.html

en üsttekine bakalım
http://www.nteinc.com/specs/2900to2999/pdf/nte2980.pdf

Absolute Maximum Ratings  altında Vgs son sınır değerleri var,
Gate−Source Voltage, VGS . . . . . . +- 10V

Driver çıkışı bu değeri aşmamalı, tabi bu değere çok yaklaşmamalı demek daha doğru olur.

OG
hocam şöyle diyim.Logic mosfet en iyi 5volt vgsde çalışıyor.
Pic çıkışı 5 volt ve maksimum çıkış akımı 25ma yani 0,25 amper.Genelde 47R gibi dirençle logic mosfeti pice sürebiliyoruz.Bu durumda 5\47= 0,10 amperle gate ucu doluyor.
Bir de  TLP250 sürücüyü ele alalım.Bu sürücünün çıkış akımı datahsheetde 1.5amper yazıyor.
Ben logic mosfeti buna benzer çıkış akımı yüksek bir sürücüyle gate ucuna 5 volt vererek sürersem mosfet sürücünün çıkışından 1 amper akıtarak gateyi doldurursam fark ne olur?
Bu arada TLP250 datahsheet de
Supply current (ICC): 11mA(max.)

 Supply voltage (VCC): 10−35V
yazıyor.Yani VCC  5 volt olmaz.
İşte VCC si 5volt olan bu tip bir sürücüyle(Varsa şayet) logic mosfeti hızlıca (1amperle mesela) doldurursak ne değişir?

Alıntı Yaphocam şöyle diyim.Logic mosfet en iyi 5volt vgsde çalışıyor.

Ama bu doğru değil.

LL mosfetin avantajı ne, drain source daha düşük Vgs de sature olur.

Sürücünün çıkışının 5V olmasına gerek yok, Mosfetin Vgs limitlerinin içinde olabilir.

Alıntı yapılan: OG - 15 Aralık 2016, 20:25:30
Tc ve Tj sıcaklık değerlerini gösterilen sınırlarda tutabilmek önemli olan.
Yani buna, üzerinde ortaya çıkan ısıl gücü defetmek diyelim.

Bu başarıldığında, pulse, sürme süresi gibi sınırlamalardan kurtulursunuz.

Ne kadarlık frekans ve duty süresince sürülebilir sorusuna net bir cevap olamaz, propagasyon sınırlamalarına uyulmak zorundadır o ayrı konu.

Nominal çalışma frekansları içinde kaldığımızı düşünürsek,
sürme tarafında (gate) ve yük tarafındaki (drain) oluşumlar iyi bilinmeli.

Yük, reaktif yapıda ise iş daha kompleks hal alır. Rezistif yükler için daha kolay hesap imkanı bulursunuz, zaten datada da genelde rezistif yükler konuşulur, bunlara kapasitif yük etkileri az miktarda eklenerek bir şeyler söyler datasheetler. Çok bilinmezli reaktif yükler için ince hesap, ince ölçüm yolları şart gibi. Bir süre sonrada tecrübe haline gelir, "ben şu tip yükten şu şekilde rahat kullanırım, veya zorlanırım" gibi ön kabulleriniz oluşur.

Rezistif yükler için,
ön adımda,
ON_OFF gecişlerini ideal şartlarda yaptığınızı düşünüp hesap kolaylığı sağlarsınız.
ON durumunun süresince üzerinde açığa çıkan ısı, birim zaman içinde ne kadar ON ne kadar OFF durumu var, ona göre ortaya çıkan ısı. Yine birim zaman içinde ne kadar ısıyı transfer edebiliyorsunuz (soğutma sisteminizin toplam termal direnç yapısı).

ISI'yı defetme ve buna yeterli hızda yetişme işini bir an düşünmez isek (böyle bir sıkıntı olmadığını düşünürsek),
mosfeti, güvenli güç bölgesinde kalmak şartı ile, gösterilen akım değerlerinde istediğiniz zaman boyunca sürebilirsiniz (üretici ciddi firma ise ve datalarına güveniyorsak).
IRFZ 44 için açıp baktım (absolute degerler),
Maximum Power Dissipation (TC = 25 °C) PD = 150 W
Bunun anlamı, çalışırken 25 dereceyi koruyup, 150 Watt'ı gecme diyor. 25 dereceyi koruyorsan 150 watt sınırın var diyor.

hocam mosfetleri iyi bir soğutucu ve fan ile soğutuyorum fakat sıcaklık  75°C sabit bu bana uzun vadede sıkıntı yaşatır mı?

mosfet i PWM ile sürdüğümüzü dolayısıyla gücü ayarlayabildiğimizi düşünelim.
DRAIN de de aynı pwm sinyalin evrilmiş(yüksek genlikli) halini görürüz. Peki bu SwMode güç kaynakları nasıl oluyor ? Çıkış Düzgün bir DC oluşturma işlemini nasıl Hallediyorlar ?

 kapasitör  ile. seviyeyi pwm nin duty cycle'ı ile ayarlıyıp diyot ile düzeltip capasitörden geçirince dc oluyor. çıkıştan bir feedback alıp girişe optocoupler üzerinden vererek stabil bir çıkılş elde ediyorlar

hocam nasıl pwm ile genliği ayarlayacaksınız ?

Primer bobininin sarjda kalma suresini degistirerek

Alıntı yapılan: muhittin_kaplan - 30 Ocak 2017, 12:16:33
mosfet i PWM ile sürdüğümüzü dolayısıyla gücü ayarlayabildiğimizi düşünelim.
DRAIN de de aynı pwm sinyalin evrilmiş(yüksek genlikli) halini görürüz. Peki bu SwMode güç kaynakları nasıl oluyor ? Çıkış Düzgün bir DC oluşturma işlemini nasıl Hallediyorlar ?

Smps de giriş DC kabul edilir. Ac220 direkt
dogrulutur. Bu iş için tasarlanmış sürücü
entegresi; çıkış gerilimininden gelen geri
besleme ile frekans ve/veya duty değerlerini
ayarlayip tam gerilimin çıkmasını sağlar.
Buradaki sihirli nokta 50Hz den yüksek bir
frekans kullanılmasıdır. Genelde 50, 67,100
ve 132KHz kullanılmaktadır. Hem de trafo
ebatları ve bakır oranı da küçülmüş olur.

Mosfetlerde di\dt nasıl hesaplanır.
Örnegin ıf3205 mosfeti ele alırsak datasheettedeki Source-drain ratings bölümündeki revers recory time ve revers recory charge bilgileriyle neyi belirliyoruz?

Slm  ben forumda yeniyim .birazda acemiyim  bir sorum olacaktı  devrede bd243 ısınıyor birazdaha amperi yüksek olan bd911 kullandım yine ısınmaya devam ediyor  bunun yerine  mosfet kullansam yararı olurmu   yada  başka ney kullanabilirim   

Yapmak istediğiniz işlemi ve/veya şemanızı eklerseniz
daha fazla yardım alabilirsiniz...

(https://s1.postimg.cc/dp2nknebf/IMG-20170731-_WA0004.jpg) (https://postimg.cc/image/dp2nknebf/)

(https://s1.postimg.cc/oem6e85pn/IMG-20170731-_WA0002.jpg) (https://postimg.cc/image/oem6e85pn/)

Devrede trafonun sağında 2 adet bd243 var  arkadaki ısınıyor   birkacgün çalıştıktansonra  yanıyor ve yanarken 12 volt giriş diyotlarınıda yakıyor   

Nedir bu cihaz?
Belki sadece transistör kullanılması gerekiyordur.
Soğutucu yerleri var ama. Bağlanmamış...

Hayvanlarin etrafına çekilen elektirikli tel devresine benziyor.

Alıntı yapılan: vedataytekin - 01 Ağustos 2017, 18:53:32
Devrede trafonun sağında 2 adet bd243 var  arkadaki ısınıyor   birkacgün çalıştıktansonra  yanıyor ve yanarken 12 volt giriş diyotlarınıda yakıyor   

Hocam, mahsuru yoksa devre şemanızı paylaşsanız? Fotoğraflardan sağlıklı bir yorum yapmak pek olası değil. Ya devrenizde bir sorun var, veya çıkışınız kısa devre oluyor. Her halükarda transistörden geçen akım fazla olduğu için, transistörünüz yanıyor diye düşünüyorum.

Bu cihaz elektrikli çit   aküden aldığı 12 voltu  yaklaşık  10ila15 kv ya çeviren bir cihaz

Soru, bu haliyle kalirsa cevap almaniz zorlasir.Isinmanin oldugu devrenin semasini koymalisiniz ki yorum yapilabilsin.

Şeması yok hocam  sorunu hallattim birvşekilde teşekkür ederim ilginiz için

@mehmet Merhaba

Alıntı YapSmps de giriş DC kabul edilir. Ac220 direkt
dogrulutur. Bu iş için tasarlanmış sürücü
entegresi; çıkış gerilimininden gelen geri
besleme ile frekans ve/veya duty değerlerini
ayarlayip tam gerilimin çıkmasını sağlar.
Buradaki sihirli nokta 50Hz den yüksek bir
frekans kullanılmasıdır. Genelde 50, 67,100
ve 132KHz kullanılmaktadır. Hem de trafo
ebatları ve bakır oranı da küçülmüş olur.

İletileri okurken dek geldi sizin yazınız
Şimdi ben buck converter smps yapmaya çalışıyorum.şebekeden doğrultup 12V 1 A Dc gerilim elde etmeye çalışıyorum.
Burada anahtarlama devremde kullanacağım mosfeti nasıl seçmem gerekiyor?

1A çıkış için mos kullanmanıza gerek
yok. Direkt sürücü entegre işinizi
görecektir. En basitinden Viper, Top serileri
olabilir. Bir çok çeşit var. Frekans ve
gücünüze bağlı olarak birini kullanabilirsiniz.

@mehmet
Sürücü direk kendisi mi anahtarlıyor yani?
Hangi akım  seviyelerinde mosfete ihtiyaç duyarız?

Sürücü sg3525 ,uc3825 gibi mi?

Top, viper, fan, tny gibi seriler.
Gücünüze ve frekansınıza göre
kataloglarindan seçebilirsiniz.
Güç kati, geribesleme, osilator,
gibi donanımları
içerisinde barındır.
Tabii belli güçler çerçevesinde.

Mosfet gerekmez demişsiniz peki nasıl anahtarlama yapacak o zaman onu anlayamadım

Buraya bak,

https://www.google.com.tr/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=11&ved=0ahUKEwj9t63Lm_fWAhUBMZoKHQc3DhAQFghPMAo&url=http%3A%2F%2Fdalincom.ru%2Fdatasheet%2FVIPER22A.pdf&usg=AOvVaw3XdqfbbO07j0JriHV5A8ik

Mosfeti içerisinde...

Bunla direk işlem gerçekleşiyor mu yani @ferit06

Alıntı yapılan: Teğmen - 17 Ekim 2017, 11:13:47
Mosfet gerekmez demişsiniz peki nasıl anahtarlama yapacak o zaman onu anlayamadım

mosfet chip içinde var . 

Örnek devre bir önceki mesajımdaki ve aşağıdaki pdf te var.

https://www.google.com.tr/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=2&ved=0ahUKEwjF6q39tPfWAhUDApoKHZKED9EQFggtMAE&url=http%3A%2F%2Fserver2.asm51.com.br%2Fdownloads%2Fdatasheets%2Freguladores%2Fan1735%25209682.pdf&usg=AOvVaw3iyykSPhGSvrj9jMesdnSq

Daha yüksek güçler için önceki mesajlarda @mehmet'in yazdığı TOP serisi ve VIPER in diğer ürünlerine bakabilirsin.   4A  e kadar olan sürücüleri var.

Seçimini aşağıdaki linkten yapabilirsin.

http://www.st.com/en/power-management/viper.html?querycriteria=productId=SS1835

Merhaba
Diğer başlıklarda da problemin diğer kısımlarını sormaktayım fakat bu konu bu başlıkla ilgili olduğundan burda soruyorum.
Şimdi full bridge dc dc convertor yapmaya çalışıyorum.
En son karar verdiğim değerler 24V-315V dönüşüm yapılacak.Ve çıkış yaklaşık 1500 VA olacak.Girişten çok daha fazla akım çekilmesi gerektiğini biliyorum.
Sorum şu bu topolojide kullanacağım 4 mosfet var.Şimdi bu mosfetleri sürmek için bir sürücüye ihtiyacım olduğunu nerden anlayacam?
Mesela Bc337 tranzistörü MCU ile direk sürebiliyoruz.Burda nereden bileceğiz sürücü kullanmamız gerektiğini ?
2.Soru çift çift anahtarlamam gerekiyor.Bunu MCU suz nasıl yapacağım hangi pwm control entegresini kullanmam gerekiyor.Ki entegrelere nasıl söyleyeceğim 2 li 2 li anahtarlama yapması gerektiğini ?


İyi Çalışmalar
(https://s33.postimg.cc/6ss42v417/ema.png) (https://postimg.cc/image/6ss42v417/)

Sectigin mosun gate kapasitesi yada Q yuku ihtiyaci sana secilecek surucu hakkinda ip ucu verir.

Tabiki bunun icin Miller etkisi hakkinda da fikir sahibi olman gerekir. Bazi moslarin dokumaninda Q yukleri ile ilgili parametreler verilir.

Sen bizim bilmeceyi begenmedin ama bak Q yukleri burda da karsina  cikti. (https://www.picproje.org/index.php/topic,71377.0.html)

@Zoroaster usta ben bilmeceyi niye beğenmeyim :) O soruyla başka bir başlıktan karşılaştık quantum filan derken  :)
Şimdi usta dökümandan belki bulurum ama hangi dökümana bakacağım.Bir sürü mosfet çeşidi var.

Şöyle bir şey aklıma geldi, tabi yanlışlarım vardır illa ki, acemiliğime verin.

1500VA için 220 V x 7 A = 1540. Yani çıkış ucundan maksimumda 220 volt 7 amper akabilmeli.
Trafo ve sistem kayıpları derken %85 verimde olsa trafo primerine 1811VA akım akıtmak lazım.
Bu durumda 24 V için primere yaklaşık 75 amper akım yollamak lazım.
Yani bizim seçeceğimiz mosfet en azından 50 V 100 A dayanımda olmalı.
Tabi bu arada mosfet rıpıllarının sebep olacağı ani voltaj yükselmelerinden dolayı mosfetimizin uçma olasılığı da mevcut.
En sağlamı 80-100 volt arası 100 amperlik mosfetler seçmek olur diye düşünüyorum.

Yorumladığım bu hesap şekil itibari ile ne kadar doğrudur acaba?

Mesela asagidaki IRFP250 dokumaninda gate yukleri ile ilgili degerler verilmis. 5, 6 ve 13 nolu resimlerde de grafikler verilmis.

http://irf.com/product-info/datasheets/data/irfp250.pdf

Gerisi temel elektronik bilgine kalmis.

@Zoroaster usta

Alıntı yapılan: felix_eray - 24 Kasım 2017, 16:04:10
Şöyle bir şey aklıma geldi, tabi yanlışlarım vardır illa ki, acemiliğime verin.

1500VA için 220 V x 7 A = 1540. Yani çıkış ucundan maksimumda 220 volt 7 amper akabilmeli.
Trafo ve sistem kayıpları derken %85 verimde olsa trafo primerine 1811VA akım akıtmak lazım.
Bu durumda 24 V için primere yaklaşık 75 amper akım yollamak lazım.
Yani bizim seçeceğimiz mosfet en azından 50 V 100 A dayanımda olmalı.
Tabi bu arada mosfet rıpıllarının sebep olacağı ani voltaj yükselmelerinden dolayı mosfetimizin uçma olasılığı da mevcut.
En sağlamı 80-100 volt arası 100 amperlik mosfetler seçmek olur diye düşünüyorum.

Yorumladığım bu hesap şekil itibari ile ne kadar doğrudur acaba?

Burada ustanın dediği gibi mi yani giriş kısmından çekilecek akıma göre mi mosfet seçmeliyim ?

Sekonder gucu belli. Buradan verimi de hesaba katip primer akimin hesaplanir.

Idealde H bridge yapisinda anahtarlarin muhatap olacagi voltaj bara voltaji kadardir. Anahtar uclarinda olusacak sivri uclu voltajlar snubber devrelerince torpulenecek olsa da bunlar icin de pay verip anahtar dayanim voltajlarini besleme voltajindan daha yuksek degerde secmen gerekecek.

Cok yuksek voltajli moslar secip anahtar direnclerini artirma yada, yuksek voltajli fakat direnci dusuk moslar secipte maliyeti artirma. Arada optimum bir malzeme sec.

Artik moslari cok hizli. Gene de anahtarlama frekansini da gozonunde bulundur.

Moslardan once senin nuveyi secmis olman lazimdi.

@Zoroaster usta zaten daha tek tek gidiyorum.Araştırıyorum.Dediğiniz doğrultuda önce nüveyi araştırıp seçeceğim.Tecrübelerinizi aktarıyorsunuz sürekli çok sağolun.

Çok güzel bir konu olmuş bütün mesajları okudum.
Şöyle bir tutorial serisi var Julian Ilett'in hazırladığı:

Practical MOSFET Tutorial:

http://www.youtube.com/playlist?list=PLjzGSu1yGFjUgTVkhb4WslOVDNAZ3K4yR

Miller kapasitöründen mosfetin anahtarlama hzıını bulabiliriz sanırım. @Zoroaster usta da bahsetmişti.Bunun hesabını açıklayabilir misiniz?Matematiğini yani ?
Mesela ;
[latex=inline]Qgs=11 nC[/latex]
[latex=inline] Qgd=32 nC[/latex] 
[latex=inline]Crss=120 pF[/latex]


Bu mosfetin anahtarlama frekansını nasıl buluruz?

Bu mosfetin anahtarlama frekansı 20khzdir. Deneyerek 20kHzde çalıştığını görebilirsiniz.

Alıntı yapılan: cetin1990 - 05 Aralık 2017, 13:54:19
Bu mosfetin anahtarlama frekansı 20khzdir. Deneyerek 20kHzde çalıştığını görebilirsiniz.

Nasıl hesaplandığını sordum ama @cetin1990 ayrıca datasheetinde 1Mhz yazıyor.İşi matematiğe dökerek anlatırsanız faydalanırız.

"cozturk" pardon bugünkü nikiyle "cetin1990" 20 khz'de kullanabilirsin demek istemiş...

Malzeme ve tasarımına göre Rise ve Fall sürelerinin  oluşturacağı anahtarlama kayıpları senin için makul kaldığı noktaya kadar kullanabilirsin demek çok daha doğru olur.

Alıntı yapılan: Allegro - 05 Aralık 2017, 15:30:58
"cozturk" pardon bugünkü nikiyle "cetin1990" 20 khz'de kullanabilirsin demek istemiş...

Malzeme ve tasarımına göre Rise ve Fall sürelerinin  oluşturacağı anahtarlama kayıpları senin için makul kaldığı noktaya kadar kullanabilirsin demek çok daha doğru olur.

@Allegro usta zaten birşey bilmiyoruz biz.
Demek istemiş belki ama biz anlayamıyoruz açık açık tane tane anlatın bize :)

Anlatacak kadar bilgi olmayınca böyle geveliyoruz.

Alıntı yapılan: cetin1990 - 05 Aralık 2017, 15:56:25
Anlatacak kadar bilgi olmayınca böyle geveliyoruz.

@cetin1990 usta şimdi yazdığımı tekrar okudum acaba yanlış birşey mi söyledim diye.Siz heralde size birşey bilmiyorsunuz demek istedim sandınız.Orada

Alıntı yapılan: Teğmen - 05 Aralık 2017, 15:33:15
@Allegro usta zaten birşey bilmiyoruz demek istemeyin açık açık tane tane anlatın bize :)

Biz birşey bilmiyoruz bize tane tane anlatın dedim ben virgül olmadığından yanlış anladım sanırım.


Bu konuyu aydınlattım sanırım fakat @cetin1990 usta siz genelde böyle kızarmış gibi anlatıyorsunuz bence yapmayın @Zoroaster usta da öyle.Onu da etiketliyorum ki arkasından konuşma olmasın görsün.Kızarak anlatmak mantıklı olmasa gerek.

@Teğmen,

Konuya bütünsel bakmaya gerek var.
Örnek vermek gerekirse Fet sürücü olur 10 khz'de kullanamazsın,  Bi başka sürücü ile 100 kHz de çalışır.
Toplam kayıp 20 kHz de 2W' tır. 100 kHz e çıkarsın kaybın 4W'a çıkar...

Başka bir konudan örnek vermek gerekirse,
Step motorlarda hız / tork eğrisine bakarak bu motoru kaç devirde kullanabilirim diye sorduğumuzda öncelikle ne kadarlık bir torka ihtiyacım var? a cevap vermek lazım.

(http://www.pbclinear.com/images/blog/HighSpeedStepper-Fig2.jpg)

Alıntı yapılan: Allegro - 05 Aralık 2017, 16:56:54
@Teğmen,

Konuya bütünsel bakmaya gerek var.
Örnek vermek gerekirse Fet sürücü olur 10 khz'de kullanamazsın,  Bi başka sürücü ile 100 kHz de çalışır.
Toplam kayıp 20 kHz de 2W' tır. 100 kHz e çıkarsın kaybın 4W'a çıkar...

Başka bir konudan örnek vermek gerekirse,
Step motorlarda hız / tork eğrisine bakarak bu motoru kaç devirde kullanabilirim diye sorduğumuzda öncelikle ne kadarlık bir torka ihtiyacım var? a cevap vermek lazım.

(http://www.pbclinear.com/images/blog/HighSpeedStepper-Fig2.jpg)

@Allegro usta ben zaten demek istediğinizi anladım benim verdiğim kapasitör değerlerinden o mosfetin maksimum anahtarlama hızı hesaplanmıyor mu?He işte ben o nasıl yapılabilir diyorum?

Hazır Atışma başlamışken bende bir soru sorayım:) Linkteki Mosfeti max ne kadar bir frekansta anahtarlayabiliriz.


http://www.mouser.com/ds/2/149/NDT2955-1011659.pdf

Alıntı yapılan: JOKERAS - 05 Aralık 2017, 18:14:20
Hazır Atışma başlamışken bende bir soru sorayım:) Linkteki Mosfeti max ne kadar bir frekansta anahtarlayabiliriz.


http://www.mouser.com/ds/2/149/NDT2955-1011659.pdf

1Mhz diyorum ben

1Mhz'mi? Varmı arttıran:)

1 Mhzi goruyorum ve rest diyorum.

Rest noluyor? Hocam? Şah mat gibi oyunla ilgili bir terim midir?

Bende Rest diyorum:)Çünkü bu Mosfeti yaklaşık 3Mhz'de sürdüm.
Yaklaşık Pik to Pik 2A asıldım,banamısın demedi.


Acaba ben sürmedimde sürdümmü sandım:)
Halbuki Scoplada baktım Pulsleri gördüm.


Bu Mosfetlerin neresinde yazıyor bunlar?

Rise fall time yazan yerlerde var nanosaniye olarak vermiş.

Ama şunu unutmamak lazım junction temparature denen bi olay var mosfet iletime geçme yada iletimden durma anında silikon yonga ısınır.
Eğer ağır yük varsa mosfet bozulur.

Ya rezoanans süreceksin yada düşük frekansda bu mosfet rezoznas durumda 5mhz ye kadar çalışır. Ama mosfete yük bindiriseniz 500k sonrası (hardswitch) bozulur.

Demek Rise ve Fall zamanlarından hesaplanıyor.
Peki bunu direkt olarak neden yazmıyorlar.Mesela Akımı şu,Voltajı bu Frekansı şu diye.
Niye dolandırıyorlar?


Bunları okumakta başlı başına iş.Yandık Valla:)

Dostum mosfeti ne şekilde sürdüğüne bağlı adamlar bu nedenle yazamıyorlar.

Bazı igbt pdflerinde vardı 60khz hard switch diye. Bazıları ise resonant veya soft 400khz diye yazar.

Bazı igbt yada mosfetleri soft yada hard switch diye farklı üretiyorlar bu da tamamen rise fall time değiştiriyorlar sort yada hard kullanılabilir diye
yazıyorlar.

https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 inceleyebilirsin

Alıntı yapılan: iboibo - 05 Aralık 2017, 19:07:14
Rise fall time yazan yerlerde var nanosaniye olarak vermiş.

Ama şunu unutmamak lazım junction temparature denen bi olay var mosfet iletime geçme yada iletimden durma anında silikon yonga ısınır.
Eğer ağır yük varsa mosfet bozulur.

Ya rezoanans süreceksin yada düşük frekansda bu mosfet rezoznas durumda 5mhz ye kadar çalışır. Ama mosfete yük bindiriseniz 500k sonrası (hardswitch) bozulur.

Rezonans sürmeyi açıklar mısın @iboibo usta

Resonans zvs soft vs.  İsmi önemli değil yapmak istenen şu , igbt mosfet yada normal transistör hepsi için geçerli , rise fall anında mosfet vs üzerinden voltajı çekmek, mosfetin üzerinden yükü kaldırmak o an için, mosfet tam iletime geçtimi yükü asılmak. 
Eğer bunu başarabiliyorsan mosfet igbt çok yüksek frekansda kullanabilirsin. Eğer başaramıyorsan mecburen düşük frekansda sürüp  toplam zamanda rise fall oranını düşürmek şekil A da görüldüğü gibi.



(https://s2.postimg.cc/7d2r829yx/sdfsdf.jpg) (https://postimg.cc/image/e3j8hhx4l/)

Alıntı yapılan: iboibo - 06 Aralık 2017, 16:19:24
Resonans zvs soft vs.  İsmi önemli değil yapmak istenen şu , igbt mosfet yada normal transistör hepsi için geçerli , rise fall anında mosfet vs üzerinden voltajı çekmek, mosfetin üzerinden yükü kaldırmak o an için, mosfet tam iletime geçtimi yükü asılmak. 
Eğer bunu başarabiliyorsan mosfet igbt çok yüksek frekansda kullanabilirsin. Eğer başaramıyorsan mecburen düşük frekansda sürüp  toplam zamanda rise fall oranını düşürmek şekil A da görüldüğü gibi.



(https://s2.postimg.cc/7d2r829yx/sdfsdf.jpg) (https://postimg.cc/image/e3j8hhx4l/)

@iboibo usta bu dediğini işlemci olsa yapılabilir ama analog devrede nasıl sağlayacağız iletime geçme anında yükü çekmeyi .Doğru anlamış mıyım iletime geçeceği anda keseceğiz sonra tekrar yükleyeceğiz.Yani sadece anahtarlama bölgesinde çalıştıracağız.Aktif bölgesinde çalışmayacağız

Merhaba tc4427 ile mosfet sürmeye çalışıyorum, tc4427 yi 12volt ile beslediğim zaman picden gelen sinyale tepki vermiyor input uçlarına 7.5 volt uyguladığım zaman ancak çıkış veriyor. Tc4427nin besleme voltajını 7 volta indirince picten gelen 5volt sinyalleri algılayıp mosfeti sürüyor. şaseleri birleştirip iki farklı besleme kaynağı kullandım yine aynı bunun sebebi nedir bilen varsa beni aydınlatır mı?

Alıntı yapılan: iz61 - 23 Ekim 2018, 23:48:56Merhaba tc4427 ile mosfet sürmeye çalışıyorum, tc4427 yi 12volt ile beslediğim zaman picden gelen sinyale tepki vermiyor input uçlarına 7.5 volt uyguladığım zaman ancak çıkış veriyor. Tc4427nin besleme voltajını 7 volta indirince picten gelen 5volt sinyalleri algılayıp mosfeti sürüyor. şaseleri birleştirip iki farklı besleme kaynağı kullandım yine aynı bunun sebebi nedir bilen varsa beni aydınlatır mı?

12v un yarısı 6v yapar  entegreye 6v üzeri giriş yaparsan 1 konumuna 6v altı yaparsan 0 konumunu algılar,  5v verdiğin için hep 0 olarak algılıyor

7volt verdiğinde yarısı 3.5v olur  3.5v altı 0 üstü ise 1 olduğu için 5v verince 1-0 konumuna gelebiliyor

10-9 volt versen tam sınırda olduğu içinde doğru çalışmaz.


Tavsiyem piç çıkışına transistör koy şunun gibi.


(https://image.ibb.co/cpA0BV/fgrrg.png)

Datasheet te lojik olduğu 0.8 volttan sonra iletime geçeceği yazıyor pek anlam veremedim yinede.