Vgs dayanimi 30v olan bir mosun gate source arasina 1MOhm uzerinden 50v uygularsak gate source arasinda kac volt olculur?
Bu mos saglam kalirmi?
Kalmaz cortlar. Kapasitörü düşün. 35v luk kapasitöre 1M ohm üzerinden 60v uygularsan yine de delinir. Sonuçta akım akmadığı için sadece şarj deşarj eğrisi uzamış olur. Bu delinmeyi engellemez.
Bak ama BJT akım tetiklemeli olduğu için birşey olmaz.
nedense bana birsey olmazmis gibi geliyor. yani mos saglam kalir, gate source arasinda 30V civari birsey gorursun. fakat mos un bundan sonraki hayati tartismaya aciktir. baya stres altinda kaldigindan psikolojisi bozulabilir. erken yaslanip olme ihtimali artar. bence.
1M bence bozmak icin yeterli degil her ne kadar mos voltaj bazli calissada bozmak icin biraz akim akitmak gerekir diye salliyorum.
ben vazgectim. mos sizlere omur olur diyorum. eminim. son kararim.
G-S arasında mutlaka parazitik direnç vardır ve gs şarjını deşarj edecektir. Gs deki sızıntının miktarı üzerinden yorum yapılabilir.
Gate Source direnci tera ohm mertebesindedir.
1M direnci de 10M yapayim ve sorumu aynen bir daha sorayim.
Direnç deyip ters köşemi yapıyorsun acaba
belki GS direncini dielektrik malzeme diye düşünüp
30V kapasitöre 50V uygulamış olacağız.
(Bu mesajda anlatılanlar tamamen hayal ürünü olup gerçeklik payı taşıyabilir.)
100 Mohm yap. 1 sene beklesin. Zararlı bir şey olmaz. 1Mohm ile de olmaz.
Bişicikler olmaz.
Bence delinir, biri hayrına denesin...
Yabancı kaynaklara baktım . Elbette buradaki gibi bir senaryo yok ama temel olarak Vgs geriliminin maksimumunu biraz geçince bozulur deniyor.
...For example, a suitably high voltage applied between the gate and source (V[/size]GS[/size]) will break down the MOSFET gate oxide. Gates rated at 12 V will likely succumb at about 15 V or so; gates having a 20-V rating typically fail at around 25 V.[/size]All in all, exceeding the MOSFET voltage rating for just a few nanoseconds can destroy it. Device manufacturers recommend selecting MOSFET devices conservatively for expected voltage levels and further suggest suppressing any voltage spikes or ringing.
Akım yok, delinmez. Gerilim tek başına zararlı değil. 1 Mohm seri direnç ile şebekeye dokunun. Çarpılmazsınız.
O zaman 100 volt uygulayabiliriz yani gate ucuna nasıl olsa akım yok yada 5000 volt potansiyele de dokunsak birşey olmaz bize hani yalıtkan delinmesi olayı olmaz diyorsunuz. Mosun gate ucundaki yalıtkan tabaka birkaç atom kalınlığındadır. Direnci ise çok yüksek haliyle gerilimin çoğu üzerine düşer. Bir yerde delinmesi gerekir. Verdiğim yazıda da maksimumun 3-5 volt yukarısı yalıtkanı deler deniyor.
Verdiğiniz bilgiler içinde akım sınırından seri 1Mohm direnişten bahsedildiğini göremedim
HP 6034A güç kaynağım 60 volta kadar verebiliyor, bu akşam deneyeceğim, 1Mohm ve 10Mohm ile 15'şer dakika işkenceye tabi tutacağım,Gate ucunda 12 volt 15 volt 18 volt 22 ve 24 volt zenner diyotlar gördüm,tolerans ve güvenlik sınırlarınında olduğunu düşünüyorum ( safety operating area)
Alıntı yapılan: cetin1990 - 28 Şubat 2018, 07:28:00
Verdiğiniz bilgiler içinde akım sınırından seri 1Mohm direnişten bahsedildiğini göremedim
Iyi guzel de teorik olarak direnci cok cok yuksek gate ile 1 Mohm yok sayilir. Sadece delindikten sonra akimi sinirlayacaktir. Korumali mosfette ariza cikartmaz cunku koruma diyotlari fazla voltaji iletirken direnc akimi sinirlayacaktir.
LED ters dayanma gerilimi gibi düşünelim. 1M seri dirençle ters gerilim uygulandığında bozulmaz.
hepsine standart koyuyorlar mı bilmiyorum ama gs arasına dahili zener koruma diyotu konduğunu okudum ( ters yönde seri bağlı iki zener). varsa kurtarır.
Bir yalitkan yuksek voltaj ile delinirse delindigi yerdeki elektriksel ozellikleri degisir.
Delinme aninda olusan plazma isi uretir ve hem dilektrigi hem de aluminyum levhalar (Mosun G S bolgesinden bahsediyoruz) eriyebilir.
Eger bu erime ardindan G ve S birbirine kaynasmaz ise sorun yok.
Bu deney cok kere tekrarlanirsa bazi MOSlarin tamamen olecegini, bazilarinin ise elektriksel parametrelerinin kayacagini dusunuyorum.
Mesela Mosun G-S bacaklari arasinda 100K olusmasina neden olmak O mosun bozuldugu anlamina gelmez. Biz cogu zaman GS arasina 10K hatta bir kac yuz ohm baglayan adamlariz.
Birisi denesin de kurtulalim bu sorudan.
Seri direnc 1M gibi yeterince yuksek ise yaklasik 1nF Cgs kapasitesi 30v da delindiginde 1/2 x 1E-9 x 30 x 30 =450nJ enerjisi ile tahribat yapmaya calisir. Bu enerji gozume hic buyuk gorunmedi fakat GS bolgesindeki mesafeler ve kutleler cok kucuk oldugu icin bu enerji belki de boylesine minik aluminyum yuzeyi buharlastirmaya yeter..
bir nedenden dolayı 60 Voltluk cihaz 40volta sınırlamışım ,kitabını bulupta açamadım....gate1500PF gelen fet'e 1 mega ve 10 mega ile 20 dakika verdim tık yok,100K ile vereyim dedim Drain Source arası diyodu hala okuyabiliyorum fakat Gate artık kapasite olarak cevap vermiyor....40Volt öldürücü...
LED de 1M ohm verip ters kutuplarsanız normalde bozulur. Deneyinizde kurtaran muhtemelen bunu DC ile değil alternatif akımla denemenizdir. Ya da ters kutuplamada oluşan sızıntı akımıdır. 1Mohm luk direnç üzerinden 10uA aksa direnç üzerine 10V düşer, 20uA aksa 20V. Kaldı ki LED için sızıntı akımı 20uA ile 1mA arasındadır.
Vce maksimum 30V olan BJT ile akım maksimum kollektör akımını aşmayacak şekilde 100Vu anahtarlamaya çalışalım. Sizce ne olur? Transistör yanar mı? Yanmıyor. Sadece anahtarlayamamış oluyor. Kesime gitmiyor. Sürekli iletimde oluyor.
Alıntı yapılan: ipek - 28 Şubat 2018, 21:54:04
bir nedenden dolayı 60 Voltluk cihaz 40volta sınırlamışım ,kitabını bulupta açamadım....gate1500PF gelen fet'e 1 mega ve 10 mega ile 20 dakika verdim tık yok,100K ile vereyim dedim Drain Source arası diyodu hala okuyabiliyorum fakat Gate artık kapasite olarak cevap vermiyor....40Volt öldürücü...
100K ile denediginde Gate Source kisa devreye mi gitti?
1M ohmda da bozuluyordur fakat bunu fark edemiyoruzdur, diyelim 10M yüz tane molekül bozuldu bunu fark edemeyiz 100k da çok daha fazla molekül bozulur ve fark ederiz , ölçümleyebiliriz.
10megahm direnç ile 50v verdik diyelim üç beş tane molekül bozulur ve akım akıtmaya başlar ve voltaj daha yükselemez üç tane molekül bozulur öyle kalır mosfette çiddi bozulma olmaz.
Test ederken yüksek ohmaj ölçen multimetre ile öncesi ve sonrasu ölçülmeli.
hayır Gate kısa devre olmadı Draine 24 volt Ampul bağladım, boştaki Gate ucuna dokundum lamba parlayıp yanık kaldı,cımbızla Gate Source kısa devre yaptım Lamba sönmüyordu,oysa Gateye işkence yapmadan evvel gayet rahat sönüyordu,sonuçta Gate tamamen bozulmuyor,sadece tepkime reaksiyonu sağırlaşıyor,ilginç olan Fet'in gate ve source ayakları arasına gerilimi ters uyguladım Fet tedavi oldu,gayet normale döndü,yada ben fazla yoruldum...
EEprom gibi bir şey olmuş.