aslinda soru daha uzundu ama basliga sigmadi, neyse konu mosfetlerin paralel baglanmasi, bugune kadar yaptigim en buyuk anahtarlama: 48v altinda push pull topoloji ile her kanal icin 3 er adet irfp260n ile 40a anahtarlayarak bir dc to dc guc kaynagi yapmak oldu, simdi 2 grup halinde her 3 mosfet paralel bagli ve sistem normal calisiyor yuklenmede filan sorun olmuyor lakin bazen kisadevre aninda akim kontrolu gecikince mosfetlerin 1 tanesi yada iki tanesi gumluyor, ani yuklenmeler sorun olmazken ne oluyorda mosfetler patliyor anlamadim, her mosfetin ayri gate driveri var ve mosfetlerin drain ve source pinleri birbirlerine 3cm uzaklikta 2.5 mm lik iletkenlerle birbirine lehim ile bagli, ustelik her iki kanalin pcb tasarimi simetrik olmasina ragmen hep ayni transistor blogunda patlamalar oluyor, soruya gelirsek, tasarladiginiz sistemlerlerde mosfetleri paralel bagliyormusunuz, eslenik trn kullanmak disinda nelere dikkat ediyorsunuz.
Çok yüksek saflıkta üretiliyor olsa da her mosfet %100 aynı değildir %99.9 aynıdır. İşte değerler aşıldığı zaman içlerinden bazısı daha fazla yüklenecek , yüklendikçe diğer palalel mosfetler daha az yüklenecek artarak devam edecek bu %0.01 lik fark.
Alıntı yapılan: devrecii - 05 Ağustos 2022, 17:42:31Çok yüksek saflıkta üretiliyor olsa da her mosfet %100 aynı değildir %99.9 aynıdır. İşte değerler aşıldığı zaman içlerinden bazısı daha fazla yüklenecek , yüklendikçe diğer palalel mosfetler daha az yüklenecek artarak devam edecek bu %0.01 lik fark.
mutlak esi bulmak zaten imkansiz ama diger ikisi kendini feda ederken ucuncu mos neden izlemeyi tercih ediyor, neyse konu sizler hangi yontemi izliyorsunuz onu merak ettim.
40 mosfet 200 amper.
IRFP250
Alıntı yapılan: brandice5 - 05 Ağustos 2022, 20:16:2340 mosfet 200 amper.
IRFP250
200a icin sayi biraz fazla degil mi.
Alıntı yapılan: Yuunus - 05 Ağustos 2022, 21:15:00200a icin sayi biraz fazla degil mi.
200 amper sürekli akım. Toleranslı 250 diyebilirsin.
O zamanlar dolar bu kadar pahalı değildi, fazladan fazladan koyuyorduk.
Transistörlerin iç Dengesizliklerinin yanında Pcb Tasarımı Akım yollarının
Kalınlığı etkendir.Kısa devre Koruma yapısı nasıl?
Kısa devre korumasında Gecikme nasıl olur?Kısa devre varsa ve Akım belli limiti aşmışsa
bazen Kapatayım,Bazen kapatmamayım durumu olmaz olmamalı.Oluyorsa PCB tasarımınızı gözden geçirin.
Yolları kalınlaştırın.Özellikle Şase hatlarını.
Paralel Transistör Bağlanır hiç bir şey olmaz.Gate yada Base Emdansları artar
ayrı sürüyorsunuz zaten.Transistörler Paralel Bağlanınca Eş değer olması
için Eğer Devrelerinde Seri direnç varsa otomatik olarak hepsi eşlenik olacaktır zaten.
Direnç yoksa da PCB yolarının oluşturacağı Direnç Aynı Dengeyi sağlayacaktır.
Kısa devre Anında Eş değer olmayan Transitör hangisi ise,İlk Aşırı yük onun üstüne Çok kısa bir süre biner,Taaki Diğer Transistörlerin Fark değerleri aşılıncaya kadar.Transitörler Aşırı Akımda
Eş olduğunda, Aşırı Akım PCB yollarına biner.Pcb yolları Direnç olur.Direnç olma durumu,aşırı Akımı izleme Noktasından daha fazla bir Fark oluşturursa Kısa devre korumasını yanıltır.Çünkü Aşırı akım Pcb yollarında Homojenize edilmiştir.Bu kararsızlığıa sebep olur.
Bunların hepsinden bir çırpıda kurtulmanın kolay yolu ise Kısa devre Korumasının max
Noktasını bir miktar aşağı çekip deneyin.Atıyorum Max Protection gerimili 100Mv ise
siz bunu 90Mv yapın.Hazır entegre kullanıyorsanız bunu yapamayacaksınız.O zaman
Kısa devre izlediğiniz ne ise onun değerini Biraz Arttırıp deneyin.
Bir tane bile Transistör Bozulmaz Emin olun.
@JOKERAS yollarin empedenasi cok az osiloskop ile tam yukte drainler ve sourceler arasindanki genlikler cok dusuk 20mv civari onlarda peak degerler, yildiz topolojiye ozellikle dikkat ettim ki basima bela olacagini onceki tecrubelerimden tahmin etmistim. akim kontrolunu ise primere gecirilmis bir toroidin sekonderini dogrultup bir filtreden gecirip sinirlama yapiyorum.
Genelde sürücü tek olur. Ayrı olmasından kaynaklı bir sorun olmasın? Tek surucu ile 3 mosfet bağladım 40A 24volt da.
Mosfetlerde akim değerini zaten hiç anlamadım. 150A yazıyor ama 150W yazmışlar. Peki buna göre 24v kaynakda 6.25A etmiyor mu bu mosfet ?
Ki genelde watt değeri ile ısınma ve yanma değerleri tutuyor. Yani 150A mosfet 10amperde cayır cayır ısınıyor hatta yanıyor.
Bu nedenle watt degerine bakarak mosfet seçiyorum.
Alıntı yapılan: ilyas KAYA - 07 Ağustos 2022, 10:51:00Genelde sürücü tek olur. Ayrı olmasından kaynaklı bir sorun olmasın? Tek surucu ile 3 mosfet bağladım 40A 24volt da.
Mosfetlerde akim değerini zaten hiç anlamadım. 150A yazıyor ama 150W yazmışlar. Peki buna göre 24v kaynakda 6.25A etmiyor mu bu mosfet ?
Ki genelde watt değeri ile ısınma ve yanma değerleri tutuyor. Yani 150A mosfet 10amperde cayır cayır ısınıyor hatta yanıyor.
Bu nedenle watt degerine bakarak mosfet seçiyorum.
150w uzerinde harcayabilecegin guc, baska bir tabirle lineer bolgede maksimum bu guve dayanabilir doyor, tam iletimde ise 150A cekebilirsin diyor, bende suruculer eszamanli calisiyor.
Alıntı yapılan: ilyas KAYA - 07 Ağustos 2022, 10:51:00Genelde sürücü tek olur. Ayrı olmasından kaynaklı bir sorun olmasın? Tek surucu ile 3 mosfet bağladım 40A 24volt da.
Mosfetlerde akim değerini zaten hiç anlamadım. 150A yazıyor ama 150W yazmışlar. Peki buna göre 24v kaynakda 6.25A etmiyor mu bu mosfet ?
Ki genelde watt değeri ile ısınma ve yanma değerleri tutuyor. Yani 150A mosfet 10amperde cayır cayır ısınıyor hatta yanıyor.
Bu nedenle watt degerine bakarak mosfet seçiyorum.
Mosfetin akım ve güç değerini, mosfet tam iletim durumunda iken drain - source arası düşen voltaj ile mosfet üzerinden geçen akımı kullanarak hesaplayın.
150W = 24V * 6.5 A kadar basit değil olay.
Aynı zamanda bu akımı (yani maksimum akımı) akıtabileceği güvenli bir süre var. Tabi bu süre içinde soğutulma şartları da sağlanmalı, maksimum gövde (metal kısım) sıcaklığı aşılmamalı.
aslinda transistorleri karaduzen kullandigimizi dusunuyorum en azindan kendi adima, mesela 50khz frekans ta 3kw lik bir guc kaynagimiz olsun duty %45 olsun, tam yukte ne kadarlik bir
anahtarlama kaybi olacak yani mosfet tam iletime gecene kadarki uzerinde harcalanacak total enerji ne kadar, bu tip hesaplamalari hic yapmadim, belkide transistor basina 300w gibi kocaman bir total power disp. olamasindan dolayi hic hesaplama yapmadim, ama bunlarida bilmek gerekir sanki, bobin ilk devreye girdiginde akim cok dusuk olacagindan kale alinmiyor olsa gerek.
Aktif bir prob ile High ve low tarafların gate-source işaretlerine ve low side'ın drain-source arasını gözlemlemek gerek. Yollar bazen size güzel tasarlanmış gibi gözükür ancak her durumda bir trace endüktans ve direnç demektir. Bu da dv/dt demektir. Bunun sonucu olarak eğer driver'larda miller koruması yoksa ds kapasitesi şarj olacak ve alt mosfeti iletime geçirip gümletecek. Belki de body diyodun toparlanma süresi, akımı ve bağlı olarak gerilim yükselme hızını karşılamıyordur. Bunun yanında uygun olmayan gate dirençleri ve yanlış gate driver seçimi de etken.
Dolayısıyla skobu iyi kullanıp ölçüm alarak ilerlemen gerek.
@Yuunus hocam ticari değilse şema ve pcb ve bitmiş halini ekleseniz belki daha çabuk çözüme ulaşılacak.
Ticari ise sadece sorunlu bölümün çizimi eklersiniz
@gevv hocam ben sorunuma cozum bulunmasi icin degilde benim gibi transistorleri paralel baglayarak guc kaynagi tasarlayan var mi onu ogrenmek icin konu actim, ama sanirim yanlis anlasildim, bastaki ornegi konunun anlasilmasi icin verdim, asil ogrenmek istedigim yuksek akim anahtarlamak icin ozellikle on/off switch seklinde degilde push pull, half bridge, yada full bridge topolojilerde yuksek akim ihtiyaci dogdugunda insanlar yuksek akimli moduller mi tercih ediyor yoksa benim gibi, paralel baglama yontemini mi tercih ediyor onu merak ediyorum, keza forumda cok yuksek guclerde calisan arkadaslar hatirliyorum.
Yüksek akım için ille de paralel mosfet bağlamak gerekmez. Paralel bağlama akım paylaşımı ve sıcaklıkları paylaştırmak için. Dolayısıyla alan genişleyeceğinden daha iyi ısı transferi imkanı sunar.
Bu yüzden modül veya paralel bağlantı şekli ihtiyaca göre farklılık gösterir.
Bu tür sorular önceden de sorulmuş örneğin:
Burada (https://electronics.stackexchange.com/questions/232392/how-many-mosfets-can-we-safely-parallel-in-condition-of-very-high-currents-i-ha)
Orada en çok beğenilen cevabı yazan kişi özet olarak:
Sürücü modüller kullanmanız paralel kullanmaya göre pahalı görünsede bir hatada topluca gümlemenin önüne geçersiniz bu durum sizde parasal sıkıntı çıkarmasından başka moralinizide bozacaktır demiş ayrıca soruyu soranın skop görüntülerinden nerelerde sorun olabileceğinide izah etmiş
Toshiba nın temel tavsiyelerinde
When MOSFETs are used in parallel, a current imbalance is caused during switching transitions by a mismatch between each device characteristics and between circuit wiring layout of each MOSFETs.
This current imbalance could increase power losses and lead to destruction of a MOSFET. Exercise care concerning current imbalance.
Preventing this current imbalance.
*Make a symmetrical layout of circuit wiring.
*Assemble MOSFETs to one heatsink so that the thermal dissipation condition is the
same for each MOSFET.
* Use an external gate resistor for each MOSFET.
* Secure a large current margin, considering current imbalance.
demiş ve 21 sayfalık "MOSFETleri paralel bağlarken dikkat edilmesi gerekenler diye bir uygulama notu var *
*Linkini ekleyemedim ama arama motoruna
"MOSFET Paralleling (Parasitic Oscillation between Parallel Power MOSFETs): Power MOSFET Application Notes" u yazar ve Toshiba nın sitesindeki pdf linkine tıklarsanız app.notu indiribilirsiniz
Kolay Gelsin
**Ekleme: Yukarıdaki kelime ile arandığında arama motorunda Microsemi nin "Paralel Bağlı Mosfetlerdeki Parasitic Osilasyonu Yoketme Yöntemi" diye bir pdf daha çıkıyor .Onuda okumanızı tavsiye ederim.
Mosfetlerin paralel bağlanması konusunda ses sektöründe bayağı yol alınmıştı. O yoldan gidin.
Anahtar kelime "mosfet amplifikator's"
Uzun yıllar güneşin altında, nemin %90 olduğu yerlerde, çalışmış olan, 30 yıl oldu hala çalışan bir mosfet amfi service manual i:
Sinüs teknolojisi olmasına rağmen siz puls teknolojisine modifiye edebilirsiniz bence.
https://medias.audiofanzine.com/files/ecler-pam300-600-1000-1400-service-manual-478078.pdf
adamla bizim durum farkli ama, benim normal calismada hicbir sorunum yok, 3 yildir sorunsuz calisiyor, bendeki sorun kisadevre aninda, zaten problemini de buyuk shottky kullanarak cozmus.
@Epsilon bahsettigin dokumani eklermisin acaba.
Toshiba Linki :
https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=59458
Microseminin Linki :
https://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/14693-eliminating-parasitic-oscillation-between-parallel-mosfets
@Epsilon dokuman basucu kitabi gibi, nerdeyse yuk altinda mosfetleri ayri ayri test edip oyle kullanin diyor, threshold seviyelerini bile goz onunde bulundurun diyor, oyle benim surucum nasil olsa bunlari esitler seklinde dusunmeyin diyor, aklima gelmeyen birsuru seye dikkate edin diyor, tum bunlari goz onunde bulundurunca guclu tek modul kullanmak en akillicasi, cunki bu kadar parametreyi bir araya getirmekte baya zahmetli, herkese tesekkur ederim.
@Yuunus bilginin değerini bilen herkeze yardımcı olmak isterim.Bende size teşekkür ederim.
Doğrudan şebeke gerilimini (220vac) 6 adet ixfk98n50 mosfette girip, mosfetleri ir2153 ve ir2110 serisi ile half side/low side 10 khz de anahtarlayarak çıkışta 8kw. indüksiyon 35uH. bobin çalıştırdım.
Şebeke gerilimi mosfetlere girmeden önce doğrultuluyor tabi 300vdc.