yardım - Gate Source arasına hangi diyot ?

[z]

Tamam kızma. gate ile source arasına ters diyod bağlandığını gördüm dediğin dokumanlara bakalım. Eminimki farklı bir olaydan bahsediliyor.

TI'ın vs uygulamalarını görebilirmiyiz?

[t2]

iptal

[wolf88]

Z hocanin dedigi dogru. Ben kendi blogumda bile entegredeki bipolar transistorleri ters akima korumak icin schottky konulabilir yazmisim. Nasil salaklik yapip gozumden kacirdim bilemedim. Kafada 1500 sey olunca normal sanirim. Fakat osilasyon icin konulan yerleri de gormustum buldugumda elbette koyarim. En azindan onlar ole diyordu. Rgate direnci uygun secilerek osilasyon giderilebilirmi bilemem ama azaltilabilir.

Neyse burda z hoca gibi bilen kisiler olduguna gore benim gibilere de b.k yemek duser sanirim. Kolay gelsin.

[z]

Kusura bakma yazı uslübüm biraz hatalı. Bipolar transistörlerde beyz emetör ters kırılma voltajı düşük olduğu için (7v civarı) ters diyod konuyor.

Gate'e verilen ani gate voltajı (darbesi) yada kesilen voltaj daha önce dediğim gibi kaçak hat endüktansı ve gate kapasitörünün oluşturduğu LC devresini çınlatıyor.

Aslında bu frekans çok yüksek (Genellikle 1Mhz den yüksek) ve drain akımını çoğu zaman bu frekansda değişim gösteremiyor. Dolayısı ile aslında doğrudan zararı yok. Fakat gate akımı yüksek olduğu için bu tank devresinden yayılan elektromagnetik yayılım EMI testlerinde cihazınızın çuvallamasına neden olur. (455 Khz civarında olursa zaten büyük sorun)

Bunu engellemenin yolu gate'e direnç bağlamaktır. Günümüz gate sürücüleri o kadar yüksek akım basabilir oldular ki iç dirençleri çok düşük. Bu gate yolu üzerinde istem dışı oluşan RLC devresinin kritik sönüm katsayısı şartı R2 >= 4L/C  değerini sağlayamıyor ve sistem salınımlı  modda çalışıyor. Gate'e direnç eklendiğinde kritik şart sağlanıyor ve RLC devresi kritik hatta aşırı sönümlü moda geçiyor.

Seri gate direncinin değeri artınca kayıplar artrsa da bu kayıpların bir miktar artmasına göz yumuluyor hatta bu bazen snubber ihtiyacını kaldırabildiği için tercih de edilebiliyor.

Arkadaşın sorunu gate salınımı (osilasyonu) değil. Moslar yalıtıma geçince bir salınım oluşuyormuş ve bunu gate'de görüyormuş.

Snubber problemi gibi görünüyor yada IR2113'un üst sürücüsünün beslemesini sağlayan diyodla ilgili bir yavaşlık sözkonusudur. (Source bacağından gelen voltaj darbesi mosun gate kapasitesi üzerinden sürücü üzerinden sürücünün beslemeye bağlı diyodun (yavaşlığı yüzünden) üzerinden sürücü voltajına aktığı esnada oluşan çınlamadır. Bu esnada devreye seri giren bobinlerin alayı bu olayda frekansı belirler)

-------------------

Ters düştüğüm konu;

Yanlış olduğunu bildiğim bir önerinin bir başka üye tarafından kabul görüp  uygulamaya alınmasına neden olmak.

Yoksa yanlışım varsa, bunu gösterirseniz memnun olur, özürümü dilerim.

http://www.intmath.com/differential-equations/8-2nd-order-de-damping-rlc.php