Ortak Emitterli Transistörün Yüksek Frekans Tepkisi

[scapegoat]

Tüm mühendisleri ve ustalarımı saygıyla selamlıyorum.
Ortak emitterli bjt transistörde yüksek kesim frekansına sebep olan nedir ? Ayrıca yüksek frekanslarda giriş ve çıkışta neden faz farkı gözlenir ? (180 derece olan terslemeden bahsetmiyorum)
Bir laboratuvar deneyi yapıyoruz ve simülasyona hiç yakın gelmiyor sonuçlar. Bayağı bir araştırdım ancak işin içinden çıkamadım.

Şimdiden teşekkürler.

[z]

Beyz emetor kapasitesi ve daha onemlisi kollektor base kapasitesidir.
Faz kaymasinin sebebi gene bu kapasitorler yuzunden.

FET, Mosfet ya da BJT farketmez Miller etkisi.  (https://www.youtube.com/watch?v=wKlStyjOs9Y)

[scapegoat]

Beyz emetor kapasitesi ve daha onemlisi kollektor base kapasitesidir.
Faz kaymasinin sebebi gene bu kapasitorler yuzunden.

FET, Mosfet ya da BJT farketmez Miller etkisi.  (https://www.youtube.com/watch?v=wKlStyjOs9Y)

Hocam o kapasitelerin etkisini biliyorum, ama nasıl simule ederim onu bulamadım. Biz derste teorik olarak onları miller teoremi ile toprak ve transistorun kolları arasına bağladık. Dolayısıyla çıkış dirençleri ile paralel hale geldi. Sonuç olarak da frekans tepkisi oluşmadı yani benim simulasyonda yaptığım kadarıyla.

[z]

Transistorun kollektoru ile beyzi arasina bir kapasitor ekleyip analiz etmeyi denesene.

Sinyali mesela bir direnc uzerinden gir. Aksi halde simulasyonda sinyal kaynaginin ic empedansi sifir olursa, beyz sase arasina gelecek kapasitenin degeri ne olursa olsun kapasitenin istedigi akimi kaynak verir ve sana bu kapasitenin hic etkisi olmaz.