igbt lerin eşlenik olduğunu nasıl anlarım?

[remzi]

Elimde aynı kodlu igbt ler var. Fakat ben bunları paralel kullanacağım için igbt lerin eşlenik olması gerekiyor. Elimde 100 adet igbt var. Ben bunları eşlenik 4 lü gruplar şeklinde nasıl ayırabilirim?

Herhangi bir devremi kurmam gerekir yoksa ölçü aletiyle anlayabilirmiyiz?

Ustalardan yardım istiyorum.

İyi çalışmalar...

[Erol YILMAZ]

IGBT kullanmadım ama Mosfet girişli olduğuna göre,
IGBT nin aktif bölgede kalmasını gate gerilimi ile ayarlayarak  
aralarında çıkış akımı bakımından karşılaştırma
yapmak eşlenik olabilecekleri tespit etmek açısından isabetli olacaktır.

[ipek]

ups üreticilerin birinde çalışan bir dostumdan garip bir yöntem duydum
mosfetlerin gate source arasını kapasitemetre ile ölçüp guruplara ayırıyorlarmış bunlarda curve tracer gibi ciddi cihazlar olmasına rağmen önerilen yöntemden netice alınmış
ne yazıkki bu yöntemi igbt de denemedim...

[remzi]

Rica etsem arkadaşınıza sorabilirmisiniz igbt de bu yöntem olurmu diye?

[z]

Es moslardan sozedilecekse, gate source kapasitesi onemli fakat  gate drain arasindaki kapasite de bir o kadar onemli. Gate source kapasitesi mosun aktif bolgeye gecmesi asamasinda baskindir fakat Gate Drain kapasitesi, aktif bolgeden doyum bolgesine gecis surecinde baskindir. Miller etkisinden dolayi bu kapasite, geytin sarj olma suresini etkiler. Bu nedenle uyumdan sozedilecekse bu kapasiteye de dikkat etmek gerekir. Bu kapasiteyi sistemi anahtarlama yaptirmadan olcemezsiniz.

Ote yandan IGBT leri paralel baglamak Moslara kiyasla daha zor. Sadece G-S bacaklarinin uyumlu olmasi yetmiyor E-C aralarinin da cok benzer olmasi gerekiyor. Aksi halde saturasyon voltaji dusuk olan IGBT yuku kendi uzerine almak ister.

Ancak soyle bir durum daha var. Paralel bagli moslarda giris kapasiteleri farkli olsalar bile artik gs kapasitesi iki mosun paralel kapasitesi demektir.

Birisi buyuk digeri kucuk olsa bile moslarda ancak esik degerler farkliysa sorun yasanir.

Amac moslari paralel baglamak ise esik degerleri ve rds degerleri es olsun.

[remzi]

amaç mosları değil igbt leri paralel bağlamak...

[z]

IGBT emetorlerine direnc baglamak gerekiyor gibi gorunuyor.

En basit bu sekilde uyumsuzluklari ortpas edebilirsin.

[ipek]

remzi sordum bu yöntem igbt'de geçerli değilmiş igbt en basit anlamı ile basit bir darlinkton tran.... düsünelim sürme elemanı pasif fet güç elemanı bildiğimiz transistör dirençle eşlemek mantığa yatkın gözüküyor köle efendi çekişmesi yaşamasınlar diye .fakat bunun çıkış transistörüde pek bildiğimiz türden değil çoklu paralel bağlı (multi difüzyon) ne demekse??

[kirli heri]

http://www.semikron.com/internet/webcms/objects/applica_help/e/3_6_3_3-3_7_1_2.pdf
http://www.infineon.com/dgdl/an_2001_03_paralleling_of_ig.pdf?location=Products.Power_Modules.IGBT-Modules.DOCUMENTS.an_2001_03_paralleling_of_ig.pdf&folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b40efd7912f1
http://www.infineon.com/dgdl/an_2004-06_Paralleling_EconoPACK.pdf?location=Products.Power_Modules.IGBT-Modules.DOCUMENTS.an_2004-06_Paralleling_EconoPACK.pdf&folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b40edf8b12b2
http://www.pi.hitachi.co.jp/ICSFiles/afieldfile/2004/09/17/pdrm17.pdf