mosfetle akım sınırlama

Başlatan satilla, 12 Temmuz 2012, 13:41:56

satilla

şekildeki devre isite çalışıyor ama gerçekte mosfet yerine bdx53 koyunca çalışıyor...
şu anda transistörden 0.5 A akım geçmesine rağmen ısınıyor çekmem gereken 4  A için daha güçlü bir transistör yerine mosfet kullanmak istiyorum
hem üzerinde güç düşümüde daha az olacaktır
bu devreyi nasıl örn;irfz44n ile çalıştırabilirim


LukeSkywalker

Peki bu devreyi anahtarlamalı bir şekilde nasıl gerçekleştirebiliriz?

http://www.instructables.com/id/Circuits-for-using-High-Power-LED-s/step8/a-little-micro-makes-all-the-difference/

adresinde power ledlerin akım sınırlamasını yapmışlar.

OG

#2
Alıntı yapılan: sinansinan09 - 12 Temmuz 2012, 13:41:56

hem üzerinde güç düşümüde daha az olacaktır


Böyle bir şey olmayacaktır. Hatta aksine. Daha önce konuşulmuştu.

https://www.picproje.org/index.php/topic,38831.0.html
FORUMU İLGİLENDİREN KONULARA ÖM İLE CEVAP VERİLMEZ.

satilla

Alıntı yapılan: OG - 12 Temmuz 2012, 14:33:24
Böyle bir şey olmayacaktır. Hatta aksine. Daha önce konuşulmuştu.

https://www.picproje.org/index.php/topic,38831.0.html


ancak tam güçte ısınma daha az oluyor bunun nedeni ne?

z

Analog çalışan devrelerle akım sınırlama şöyle yapılır.

R1 yük direncin, R2 de akım sınırlayan direncin olsun.

Set edilen Akım = V/(R1+R2) olarak ifade edilir. Eğer bir şekilde V yada R1 değişirse derhal R2 ayarlanır ve akımın değişmemesi sağlanır.

Tam güçte R2 sıfır yapılır. Bu durumda Güç Pmax=V*V/R1 dir ve tamamı R1 üzerinde harcanır.

Tam güç aktarımı yapılmıyorsa bu durumda R1 ve R2 deki güçlerin toplamı V*V/(R1+R2) dir ve bu daima  Pmax dan küçüktür.

R2=0 iken gücün tamamı R1 de harcanırken R2 sıfır değilse yani akım taşıyan yarıiletken akımı kontrol etmek adına üstünde gerilim düşümü yapıyorsa bu durumda

P2=V*V*R2/((R1+R2)(R1+R2)) kadar güç harcamak durumundadır.
Bana e^st de diyebilirsiniz.   www.cncdesigner.com

LukeSkywalker

Hocam pwm ile led parlaklık konusunda nasıl bir öneriniz olur peki? Kullanacağımız ledler power led olduğu için hem akım sınırlama hem de parlaklık ayarı yapmamız gerekiyor. Yukarıda vermiş olduğum linkteki devre sağlıklı mıdır?

http://www.instructables.com/id/Circuits-for-using-High-Power-LED-s/step8/a-little-micro-makes-all-the-difference/

z

#6
Şemadaki yöntem kullanılacaksa, sistem lineer + PWM karma yapıda olduğu için anahtarlama elemanındaki güç kaybına razı gelinebilirmi hesaplayalım.

Diyelimki N tane ledi seri bağladın. Bunlardan nominal değerde I akımı akarken toplamında V gerilimi düşsün.

Sistemi Vb ile beslediğimizi varsayalım. Tamamen Lineer akım kontrolu yaptığımızda

Vb - V farkı MOS da kalacak demektir. I akımı akınca mosumuz (Vb-V)*I kadar güç etkisiyle ısınacaktır.

Tam lineer kontrol yerine şemandaki gibi, yani lineer + PWM kontrol yaptığımızı varsayalım.

Ton/T oranımız atıyorum %50 olsun.

Bu durumda aynı parlaklığı sağlamak için nominal I akımını 2 kat artırmak zorundayız.   

Şimdi tekrar güç kaybımıza bakalım.

(Vb-V)*2I*50/100=(Vb-V)*I yani değişen hiç bir şey olmadı.

Alel acele yazdığım mesajımda mantık ya da hesap hatası yoksa verdiğin şemanın hiç bir anlamı yok. Endüktans bağlayıp akım regülasyonu yapan yapılara yönelmelisin.


Bana e^st de diyebilirsiniz.   www.cncdesigner.com

LukeSkywalker

Hocam anlattığınızı anlamadım. Vermiş olduğum linkteki devre mahsurlu mu yani? Bana çalışır gibi geldi. Sonuçta mosfet tetikleme işlemini yapacak ver gate'e bağlı transistörde akım sınırlaması yapmış olacak?

z

Devre çalışır. Eğer amaç parlaklık ayarlama ise buna karşılık mosun ısınmasının önemi yok ise kullanabilirsin tabiki.
Burada sistem tamamen anahtarlamalı çalışmadığı için akım sınırlama lineer yöntemlerle sağlanıyor. Bu nedenle mosun ısınacak.  (Parlaklık ayarı yaptın diye ilave mosun ısınmayacak.  Akım sınırlama olduğu için mosun ısınacak)
Bana e^st de diyebilirsiniz.   www.cncdesigner.com

LukeSkywalker

Peki Vb gerilimini ledlerin toplam gerilimine yakın seçersek mostaki ısınma az olmaz mı?

z

Bu şemayı kullanacaksan tek çözüm o zaten.
Bana e^st de diyebilirsiniz.   www.cncdesigner.com