MosFet Gate hakkında kafama takılan bir soru.

[Melih1802]

MosFet Gate kontrolü sırasında Gate "L" seviyesine çekerken tabiri caiz ise zorbaca bu işlemi yapıyoruz.
Sorum şu; Aynı işlemi MosFet'e değilde kondansatöre yapmış olsaydık Kondansatör bu işlemden hasar görebilirdi diye tahmin ediyorum. Peki MosFet in Gate ucunda da "pF" seviyesinde bir kondansatör de olsa yine bu zorbalıktan yıpranır mikro düzeyde de olsa yıpranabilir mi.

[mistek]

Güzel bi soru takip.

[Yuunus]

oyle olsaydi, snubber devrelerinde kllanilan kapasitorlerin fazlasiyla , bundan nasibini almasi gerekmezmiydi...voltaj sinirlari asilmadigi surece zarar gorecegini dusunmuyorum.

[Zoroaster]

Power MOSlarda gate kapasitesi 1nF'a yakındır. Keşke pF olsa.

Küçük sinyal işleme MOSlarında kapasiteler düşük olur sadece.

[OG]

Gate "L" seviyesine çekerken

H'a çekerken de aynı.

[Zoroaster]

Ohoooo Drain gate kapasitesinin işi daha zor.

[LukeSkywalker]

Problem olmaz cunku kondansatorun desarj olurken verebilecegi yuk miktari bellidir. Bunun uzerine cikamaz ve plakalar buna gore imal edilmistir. Onemli olan voltaj sinirlarini asmamak.

[Timucin]

Merhabalar
Konuya maydanoz olduğumun farkındayım ama yeni bir konu açmayayim istedim....
Yukarıdaki devrede, R2 (10ohm) Direncinin watt'ı neye göre seçilir diye bir soru sormak istiyorum.
VB2 eğer 12 Vdc ise, Rg üzerinden anlık 1,2 Amper akım akacaktır. Ig x Ig x R2 = 1,2 x 1,2 x 10 = 14,4 R2watt
Bu akım anlık çekileceği için, Bu akımın RMS'sini mi hesap etmeliyiz; ya da sizin pratik bir yönteminiz var mıdır?

Diğer bir sorum ise; Rg direncinin yüksek olmasının ve düşün olmasının bazı avantaj ve dezavantajları mevcut.
Beslememize, devremize ve PWM frekansımıza göre değişkenlik gösterecek olan Rg direncinin optimum değeri neye göre nasıl seçilir? Bunun pratik bir yöntemi var mıdır?

Desteğini esirgemeyecek olan arkadaşlarıma şimdiden teşekkürlerimi sunuyor, iyi çalışmalar diliyorum.
Saygılarımla
Timuçin

[LukeSkywalker]

Aslında kapasite hemen dolacağı için akım akma süresi çok kısa olacaktır (ns bilemedin 1 us mertebesi) . Bu durumda çok yüksek frekanslara çıkmadıkça direnci watajlı seçmenin bir anlamı olmayacaktır.   

[LukeSkywalker]

http://www.diodes.com/_files/calculators/BipolarGateDriver.xls

[Timucin]

http://www.diodes.com/_files/calculators/BipolarGateDriver.xls

Teşekkürlerimi sunuyorum; oldukça işimi görebilecek bir excel

Saygılarımla
Timuçin

[OG]

Exceldeki bu sürücü yapısı kullanırsanız giriş "drive" ucunu boşta bırakmayın ya Vsupply ya GND de tutun. Aksi halde sürücüler yanar.

hızlı resim yükle

[Melih1802]

Exceldeki bu sürücü yapısı kullanırsanız giriş "drive" ucunu boşta bırakmayın ya Vsupply ya GND de tutun. Aksi halde sürücüler yanar.

hızlı resim yükle

İşte bu yüzden her zaman GATE-GND arası direnç.

[mr.selim]

İşte bu yüzden her zaman GATE-GND arası direnç.

Bu yüzden'i açarsak biraz hocam anlayamadım ben ?

[mozkan87]

İşte bu yüzden her zaman GATE-GND arası direnç.

Burda OG'nin kastettiği Gate GND arası direnç değil Drive ile GND arası. Burada eğer drive ucunu boş bırakırsanız hem npn hem pnp iletimde kalabilir bu durumda transistörler üzerinde büyük akımlar geçer ve yanarlar. Ayrıca bu devre şu anki haliyle kullanılamaz transistörlere 1K dolaylarında base direci koymak gerekecektir. Yada base direnci içeren aşağıdaki linkteki gibi transistörler kullanmak gerekir. Gate ile source arasına her zaman Rgs koymaya gerek yoktur. Eğer devrede yer alan sürücünüz sürekli kontrol altındaysa hiç bir problem olmaz, ama her duruma karşı 10K civarında bir Rgs koymanın hiçbir sakıncası yoktur.

http://www.nxp.com/products/discretes-and-logic/bipolar-transistors/resistor-equipped-transistors-rets/ret-100-ma-50-v/ret-100-ma-50-v-complementary:MC_47346