Yüksek akım dc dc ler nasıl yapılır

Başlatan analog06, 12 Mart 2021, 00:46:13

analog06

Selamlar,

400 500 Amper seviyelerinde dc dc ler yapılırken diyelimki 30V Seviyelerinde.giriş de şebekeye yakın bişey olsun.
Bunu yapan insanlar 3 e 4 e minumum bölüp paralel şekilde mi yapıyorlar ?
Yoksa silikon karbide tarzı mosfetlermi kullanılıp tek devrede mi hallediyolar acaba?
Bu konu hakkında tecrübesi duyumu veya tahmini olan varmıdır ? ben araştırınca da bir örnek bulamadım.

İlginiz için teşekkür ederim.

M.Salim GÜLLÜCE

400-500 amper çıkış dediğinizde pek kolay birşeyden bahsetmiyorsunuz.
30V * 500A =15 kWatt
Sadece ortaya çıkacak Kayıp sıcaklık bile kendiş başına problem.
Çıkış diyorları olarak ve giriş anahtarlaması olarak IGBT dışında bir çözüm düşünemiyorum.
MOS olarak çıkış alternanslarını da hesaba katarsak 20 mosfet kurtarırmı bilmem.
Diyotlarla çok kayıplar yaşanacağı kesin.
Silikon karbidler bile tek başına 500 amperi kurtarmaz zannımca.
Mesela şu tek başına olursa..
IXTN550N055T2.PDF
550 Amper 1.3 mOHM için 350 Watt ısıl kayıp ortaya çıkar.
Bu sadece çıkış için.
Giriş Switching ve transmisyon kayıpları henüz yok.

analog06

Alıntı yapılan: M.Salim GÜLLÜCE - 12 Mart 2021, 01:05:57400-500 amper çıkış dediğinizde pek kolay birşeyden bahsetmiyorsunuz.
30V * 500A =15 kWatt
Sadece ortaya çıkacak Kayıp sıcaklık bile kendiş başına problem.
Çıkış diyorları olarak ve giriş anahtarlaması olarak IGBT dışında bir çözüm düşünemiyorum.
MOS olarak çıkış alternanslarını da hesaba katarsak 20 mosfet kurtarırmı bilmem.
Diyotlarla çok kayıplar yaşanacağı kesin.
Silikon karbidler bile tek başına 500 amperi kurtarmaz zannımca.
Mesela şu tek başına olursa..
IXTN550N055T2.PDF
550 Amper 1.3 mOHM için 350 Watt ısıl kayıp ortaya çıkar.
Bu sadece çıkış için.
Giriş Switching ve transmisyon kayıpları henüz yok.
2 veya 3 paralel şekilde çalıştırırsa akım düşer hocam tabiki yük paylaşım entegreleri vs ile eşit paylaştırırak.
ama yine akımlar yüksek topoloji olarak Phase shifted full bridge tarzı bir topoloji mi önerirsiniz ?

z

Bu konuda kendi yaptigim bir calisma yok. Fakat 30 yil oncesindeki yanyana 4-5 tane buzdolabi buyuklugunde TTL ordusu barindiran mainframe bilgisayarlarin guc kaynaklarinin arizalari ile ugrasma sansim olmustu.

Akimlarini hatirlamiyorum ama gunumuz PC guc kaynaklari 5V da 40A veriyorsa o bilgisayarlarin guc kaynaklarinin yuzlerce amper oldugu kesin.

Guc kaynaginda 4 tane senkron 5Khz (bes khz) anahtarlama frekansinda calisan guc katlari vardi. Anahtarlama elemanlari tristordu.

Bu guclerde tabiki phase shift teknigi cok avantajli.
Bana e^st de diyebilirsiniz.   www.cncdesigner.com

pwr_24

Alıntı yapılan: analog06 - 12 Mart 2021, 00:46:13Selamlar,

400 500 Amper seviyelerinde dc dc ler yapılırken diyelimki 30V Seviyelerinde.giriş de şebekeye yakın bişey olsun.
Bunu yapan insanlar 3 e 4 e minumum bölüp paralel şekilde mi yapıyorlar ?
Yoksa silikon karbide tarzı mosfetlermi kullanılıp tek devrede mi hallediyolar acaba?
Bu konu hakkında tecrübesi duyumu veya tahmini olan varmıdır ? ben araştırınca da bir örnek bulamadım.

İlginiz için teşekkür ederim.

En yüksek güç kayıpları yarı iletkenler üzerindeki condition ve freq kayıplarında yaşanır. Bunun için Rdson direnci çok düşük (<100mOhm) Mosfetleri paralelelyip kullanmışlardır.Yada Vce voltajı düşük IGBT kullanmışlardır.  diyotlarda ise üzerindeki gerilim düşümü az olmalı schottky diyotlar gibi onlarıda paralel yaparlar. Tabi ne kadar uğraşsalarda 300-500A lerde deli gibi soğutucu bloklarıda kullanılır. Bunu en güzel UPS üreten firmalarda çalışan arkadaşlarımız bilir.
Yeni Sic teknolojisi ile zaten bu sorunlar çözülmeye başlandı.