igbt nin mosfetten üstün yönleri nelerdir?

[remzi]

igbt nin mosfetten üstün yönleri nelerdir? Genelde AC motor sürücülerinde igbt modüller kullanılıyor. Bu modüller yerine mosfetten yapılmış modüller kullanılamazmı?( mosfet modül varmı bilmiyorum...)

[z]

Belli bir voltaj degerinden daha buyuk degerler icin uretilen Moslarin RDS degerleri yuksek oldugundan MOSlar yuksek  voltaj yuksek akim uygulamalari icin fazla kayipli olurlar.

Bu nedenle IGBT ler yuksek voltaj yuksek akim uygulamalarinda avantajli hale gelirler.

Besleme voltaji 200V ustunde, akim da en azindan 10A ler seviyesinde ise IGBT kullanmak mantikli olur.

[erkan614]

igbt ler kitapta yazdığına göre transistor ve mosfetin birlikte kullanılarak ikisinin de eksik kalan yönlerini gidermek için geliştirilmiştir.
sanırım motor kontrol devrelerinde mosfetten çoook daha iyi sonuçlar veriyor.
hatırladığım tetikleme ksmı fetli akım basan kısmı transistor.
ama ben motor kontrol için ipm'i tek geçerim tasarım ve kullanımda çok rahat
pwm i veriyosun 300v dc yiveriyosun gerisini o hallediyo alarm çıkışı bile var mitsubişhi yapmış

[remzi]

Frekansla alakalı üstünlükleri varmı? Yoksa sadece Rds içinmi?

[z]

Calisma frekanslari Moslardan kotu (idi). Simdilerde frekanslari oldukca yukseldi.

[remzi]

Tetikleme olarak igbt nin mosfetten bir farkı varmı?

[z]

Var.

[erkan614]

Var.

ben ünide örendiklerimi hayal meyal hatırlıyorum, musaitseniz igbt ler hakkında şöyle açıklayıcı bi yazı yazarmısınız?

[z]

Mos kullanmayi biliyorsaniz IGBT nin fazla bir trigi yok.

Eger calisma frekansiniz kucukse hele hele besleme voltaji dusukse akim da yuksek değilse IGBT leri hic bir degisiklik yapmadan aynen MOS surer gibi surebilirsiniz.

Ancak;

Besleme voltaji yuksekse
Yuksek akim anahtarlamasi varsa
Yada daha genel konusursak off asamasinda yuksek dv/dt sozkonusu ise

IGBT surmek MOS surmekten farklilasir.

Yuksek dv/dt de Ccg kapasitesi IGBT nin kesime gitmesini zorlastirir ve kesime gecme suresi artar.

Bu nedenle IGBT + V1 ile  iletime zorlanirken -V2 gibi negatif gerilimle yalitima zorlanir.

Bunun icin darbe akimi yuksek, surekli akimlari kucuk surucu devreleri tasarlanir.

IGBT ile devre tasariminda Emetor devresi olabildigince dusuk enduktansli yapilmalidir. Aksi halde ozellikle H tipi surucu devrelerinde sonuclar hep husran olur.