350 Volt DC Yüksek Voltajı Süremiyorum !

[Pyrodigy]

Arkadaşlar Mosfet yük altında tam olarak 325VDC altında çalışacak, kullanılan mosfet max 400VDC dayanıyor. Aradaki farkta spike oluşmaz diye tahmin ediyorum.
Ersin hocanın yönlendirmesiyle aşağıda bir makalede formül ve örneği yakaladım. P kanaldan bahsediyor ama N kanal ile formül aynı olsa gerek ! Olmayabilirde:)
Olduğunu varsaydığımda;



FQD6N40C nin verilerine göre;

Q(g) = 16 nC ise;
I(g) = 50mA olduğunda (PC817 nin verebileceği max.akım)
t = 320ms eder.
Yani her mosfetin Gate ine 50mA verilse (pull down dirençleri üzerine düşen akım hariç)
Bu durumda direnç bölücüler pek ise yaramayacak gibi gözüküyor. Siz nedersiniz bu işe?

[OG]

uicroarm gibi direnç değerlerini yüksek tutmamamın birkaç sebebi var.

En önemli sebebi endustriyel ortamlarda (makinelerin çalıştığı parazitin bol olduğu vs) mosfet gatei yüksek empedanslarla sürülürse çok parazit kapar, abuk subuk işler yapar. Bu çok defa yaşadığım tecrübedir.

Direnci yeterince düşük tutarsanız mosfet harici etkilere kolay kolay maruz kalmaz.

Bu konuya çok dikkat edin.

----
Direnci yüksek tuttacaksanız  zener iş görmeyebilir, regülasyon için gereken min zener akımı sağlanmayabilir. Buna dikkat edin. Bu taktirde voltajın fazla yükselmemesini direnç oranları ve voltajdaki dalgalanma miktarı belirler.

----
1N4148 i sök at, bu yanlış bir uygulama.

400V dalgalanma yaparsa regülasyona yardımcı olan, dc yi temizleyen malzemeler kondansatorlerdir. 400V da aşağı iniş eğilimi olunca C deki enerjinin 400V a doğru boşu boşuna harcanmaması içindir 4148.

[dhan000]

devrede izolasyon için minik bir dc-dc konverter tasarlanabilir veya hazır bir tane alınabilir...
örnek olarak linktekilere bakılabilir gerçi ellerinde bir iki tane  tane var...
http://www.dorukanstore.com/DCDC-Converters,LA_272-2.html

selametle.

[Pyrodigy]

uicroarm gibi direnç değerlerini yüksek tutmamamın birkaç sebebi var.

En önemli sebebi endustriyel ortamlarda (makinelerin çalıştığı parazitin bol olduğu vs) mosfet gatei yüksek empedanslarla sürülürse çok parazit kapar, abuk subuk işler yapar. Bu çok defa yaşadığım tecrübedir.

Direnci yeterince düşük tutarsanız mosfet harici etkilere kolay kolay maruz kalmaz.

Bu konuya çok dikkat edin.

----
Direnci yüksek tuttacaksanız  zener iş görmeyebilir, regülasyon için gereken min zener akımı sağlanmayabilir. Buna dikkat edin. Bu taktirde voltajın fazla yükselmemesini direnç oranları ve voltajdaki dalgalanma miktarı belirler.

----
1N4148 i sök at, bu yanlış bir uygulama.

400V dalgalanma yaparsa regülasyona yardımcı olan, dc yi temizleyen malzemeler kondansatorlerdir. 400V da aşağı iniş eğilimi olunca C deki enerjinin 400V a doğru boşu boşuna harcanmaması içindir 4148.

Üstad Bu uygulamada size katılıyorum pulldown direncinin yüksek tutulması Gate in gürültüden etkilenmemesi için gerekli.

Aşağıda ki hesaplamalarımda hata varsa lütfen düzeltin !

Microchip in uygulama notunda I(g) için aynı formülden bahsediyor.
AN786
http://ww1.microchip.com/downloads/en/appnotes/00786a.pdf
Buna göre I(g) ye verilecek akım geçiş zamanı ile ters orantılı.
IG = QG/t (transition)
Q(g) = Mosfet karakteristiklerinde Total Gate Charge olarak veriliyor.

Pulldown  3K3 olarak varsayıldığında üzerine düşen akım 4,5mA olacaktır. PC817 nin Emitter-Collector arasından geçebilecek max.akımı 50mA ise pull down düşüldüğünde 45mA kalıyor.
PC817 yi korumak için 40mA geçirip Gate'e verdiğimizde yaklaşık 370R lik bir direnci Optodan gate e bağlamam gerekiyor.
Doğru yoldaysam FQD6N40C için Geçiş zamanı şu şekilde hesaplanır;
IG = QG/t(transition)
40mA = 16nC/t
t= 400mS 400 µS
Not: VGS = 10 V olduğu farz edilmiş ben 15 V vereceğim sanırım ufakta olsa süre kısalacaktır. Hatta mosfette VGSS Gate-Source Voltage = ± 30 V yazıyor Zener diodu 20 V 0,5w kullanırsam herhalde sürede oldukça düşer.. (?)
Şimdi tek bir mosfetin izoleli olarak 400V ile sürülmesi ile ilgili son şema budur;



48 adet mosfet in sürülmesi konusunda ise maliyet açısından değerlendirme yoluna gideceğim.
1. seçenek ilave 12V 2A lık SMPS yı yalnızca mosfet sürülmesi için optolara bağlamak
2. seçenek ise Direnç + zener devresini tüm mosfetler için ayrı ayrı eklemek.

Saygılar

devrede izolasyon için minik bir dc-dc konverter tasarlanabilir veya hazır bir tane alınabilir...
örnek olarak linktekilere bakılabilir gerçi ellerinde bir iki tane  tane var...
http://www.dorukanstore.com/DCDC-Converters,LA_272-2.html

selametle.

Dhan000 hocam bakıcam devreye hangisi uyarsa onu kullanıcam , uygun SMPS lar olabilir. Verdiğiniz siteye baktım çok pahalı geldi bana. 100 adet lazım.
Hazır adaptörler var karaköyde bilgilendiririm.
Saygılar

[Pyrodigy]

Arkadaşlar tekrar merhaba
Bu devreyi süremedim acaba nerede hata yapıyorum? Optoyu 5V ile tetiklediğimde Mosfetin Gate' inde 15V görüyorum ama Source 'den yani Yük(+) da 12 VDC ölçüyorum.. 350VDC olması gerekirken neden 12VDC?
2 farklı yükske voltajlı mosfet denedim sonuç aynı!

Not: Güç kaynağı 330VDC ile 360VDC arası voltaj sağlıyor.

[kralsam]

Yükü mosfetin üstüne al sorun düzelir. Tasarım hatası.

[Pyrodigy]

Yükü mosfetin üstüne al sorun düzelir. Tasarım hatası.

Peki aynı N kanal Mosfetli devre ile Yükü nasıl source tarafından sürebilirim?
Sanırım buna  Low High side sürme deniyor.

[F.T]

Yükü mosfetin üstüne al sorun düzelir. Tasarım hatası.

bencede sorun bu gibi.

[Pyrodigy]

Neden bu şema ile High Side olarak süremediğimi kendim cevap vereyim.

A N-channel high side has to have the gate at +10V or +5V for logic level above the source voltage when turned on.

[OG]

Voltaj takipçisi gibi kullanmışsın.

Anlamı şudur, girişten verdiğin gerilim çıkışta görülür. Bir farkla;
İletime geçiren Vbe veya mosfet için Vgs gerilim değerinin eksiği kadar.

Vgs 4-5 volt civarında gibidir, bu durumda çıkış 15-Vgs = 10V gibi olur.

[Pyrodigy]

Voltaj takipçisi gibi kullanmışsın.

Anlamı şudur, girişten verdiğin gerilim çıkışta görülür. Bir farkla;
İletime geçiren Vbe veya mosfet için Vgs gerilim değerinin eksiği kadar.

Vgs 4-5 volt civarında gibidir, bu durumda çıkış 15-Vgs = 10V gibi olur.

Evet üstadım ilave olarak;
Mosfeti High side sürmek için (yani yük mosfet ile ground arasında olduğunda) VGS nin iletimde iken source geriliminden VGS kadar fazla olması gerektiğini öğrendim yani iletimde VGS nin 350 + 10 = 360VDC olması gerekiyor. Bu durumda ilave IC gerekiyor ki uzun iş.
Daha önceki çalışmalarımda düşük voltaj ve akım harcanan uygulamalarda bilmeden Yükü Mosfet ile Ground arasına koyuyordum. Yeni birşey daha öğrenmiş oldum!
Saygılar