High Side mosfet ve Bootstrap olayı

Başlatan ulaç, 28 Kasım 2012, 00:14:55

ulaç

Merhaba arkadaslar, high side mosfetin sürülmesi için gerekli bootstrap olayıyla iyice kafayı bozdum :'(  bu olayı kısaca anlatabilrseniz yardımcı olursunuz teşekkürler

z

https://www.picproje.org/index.php/topic,3673.msg20943.html#msg20943

Olay kısaca şöyle;

Bir kondansatörün bir ucuna diyod üzerinden +12v ver. Diğer ucunu Gndye bağladığında kondansatör 12v a şarj olmuş oluyor.
Şimdi kondasatörün Gnd ayağını Gnd den ayır ve devrede V gibi potansiyele sahip herhangi bir noktaya bağla.
Bu durumda kondansatörün üst ucunun potansiyeli V+12 olacaktır.

Bu sana kısa sureli olarak V+12 veren güç kaynağı gibi davranır. Eğer bu işlemi peryodik olarak sürekli yaparsan bootstrap yapmış olursun.
Bana e^st de diyebilirsiniz.   www.cncdesigner.com

Logan

Çok güzel anlatmışsınız. Sanırım IR2103 tarzı high-side gate driver entegreleri bu şekilde çalışıyor.
İmza.

OG

Arkadaş mosfetlere gereken 2 farklı referans noktasının anlamını kavrayamamış olabilir.
FORUMU İLGİLENDİREN KONULARA ÖM İLE CEVAP VERİLMEZ.

ankyra

Alıntı yapılan: OG - 28 Kasım 2012, 09:00:02
Arkadaş mosfetlere gereken 2 farklı referans noktasının anlamını kavrayamamış olabilir.

arkadasi bilmem ama ben kavrayamamisim sanirim... ?

pisayisi

Fet sürücülerde kullanılan aşağıdaki bootstrap devresini gözönüne alalım; Q1 fetini ietime sokabilmek için Vs referans noktası ile fetin gate arasına 10- 20 volt arası bir gerilim uygulamak gerekir. Dolayısı ile alt kolda bulunan fetin referans noktası devrenin toprak noktası olduğundan üst koldaki fetin referans noktası gerilimi alttaki fetin azami besleme gerilimi değerlerine ulaşabilmektedir. 200 volt ile beslenen bir fet sürücü de (2 fetli sürücülerde) vs noktası 200 voltlara ulaşmaktadır, dolayısı ile Q1 fetinin gate ine 210 -220 volt uygulamak lazım ki feti sürebilelim. Kısaca bootstrap devresi Vb - Vs arasındaki   gerilimi feti iletime sokacak seviyede tutar bunu da üst kola uygulanan ardışık pwm işareti ile cbs kapasitesini doldurarak gerçekleştirir. Üst kolda pwm işaretiniz yoksa 555 li devrelerle de bootstrap kapasitesinin dolması ile ilgili sıkıntıları aşabilirsiniz...

Murat

Muyat

 şu IR2103 high side olayını çözemedim.Benım güç kaynagım 12 volt.Datashette vdc 600volt diyor.Ben 600 volta kadar çıkamam.Ne yapmam gerekli?Vdc ucuna 12volt verince çıkış gerilimi düşüyor.Aldıgım Ir2103 ler boş boş bekliyor.

Erol YILMAZ

@Muyat;

IR2103 senin 600VDC vermeni beklemiyor... Oraya kadar çalışırım diyor...

Üniversitede bazı hocalarım da dahil olmak üzere Mosfetlerle yeni tanışanların anlamadıkları bir konudur High Side N kanal mosfet sürmek...
Genelde çalışıyor ama aşırı ısınıyor diye şikayet ederlerdi :)

Neyse High Side Mosfetin sürüldüğünü ve iletimde olduğunu varsayalım.

Source pini ile Drain kısa devre olmuştur. Drain de 12VDC varsa Source ta da 12VDC olmalıdır.

Buraya kadar tamam peki, N kanal mosfeti sürme şartı neydi ?

G ile S arasına +12VDC vermek... Yani Vgs = 12VDC yapmak...

Yani Gate - Source gerilimi 12 V olmalıdır.

Source 12V olduğuna göre Gate gerilimi 24V olmalıdır.... ( Ayrı bir Güç Kaynağına ihtiyaç var gibi görünüyor. )

Ama IR2103 sürücü bunu yapabiliyor... Hani yöntemle?
Bootstrap yöntemi ile...

Bootstrap yukarı da anlatıldığı gibi.  Bir kapasiteyi doldurmak ve şasesini kaydırmakla alakalı.

çankırıelk

Allegro adlı kullanıcıya katılıyorum ..IR21 serisini izole bir kaynak ile beslemek gerekecektir. Böylelikle mosfetler kolayca sürülecektir. Yüksek lisans tezimde 15 ile ır yi besledim ve mosfetleri 15 v ile sürmüş oldum.. Hiç bir problem yaşamadım..Aynı zamanda IR kullanmak ölü zaman probleminide çözmektedir. High sidedı picten ver , low u da aynı şekilde invert alarak (7404) ver optocouplere ..TAbi izole kaynak kullanmak gerekecek .. Masraf artacak ancak , problem olmadan devre çalışacak .. Herkese kolay gelsin

Mnemonic

Merhaba;
konuyu hortlatmış olacağım ama yazıyı okuyunca kafamda çok fazla şey yerleşti ve beraberinde bazı sorular oluştu.
high side da n kanal mosfet kullanımı anlatmışsınız. peki durum p kanal mosfet olsaydı nasıl olacaktı. yada low side da n kanal high side da p kanal kullanmak durumu nasıl oluyor.
kısacası bu tarz bir yapıda high side ve low side için en doğru topoloji nedir n kanal ve p kanal arasında seçimi nasıl yapacağız ?

z

P kanal mosfetler yapıları gereği yüksek Rds değerine sahiptir. Bu nedenle yüksek akım uygulamaları yoktur.

Ancak düşük voltaj uygulamalarında CMOS bağlantısı avantaj sağladığı için sürme kolaylığından dolayı düşük voltajlı motor sürücülerde kısmen tercih edilir.
Bana e^st de diyebilirsiniz.   www.cncdesigner.com

Mnemonic

o zaman gem high side da hemde low side da n kanal mos/igbt kullanıyoruz ?
bunları sürerken ama genede sürücü entegresinini high side ve low side driver olarak ayrı seçmeliyiz diye düşünüyorum doğrumuyum ?

z

Neden ayrı ayrı olsun. Tek çip her ikisinide ayrı ayrı süren devreleri içinde barındırıyor.
Bana e^st de diyebilirsiniz.   www.cncdesigner.com

Mnemonic

onlar half bridge driverlar sanırım ?

z

Türlü türlüsü var.

IR nin sayfasına gir.
Bana e^st de diyebilirsiniz.   www.cncdesigner.com